М: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1968. — 264 с. Излагается теория переходных процессов в полупроводниковых диодах с p-n-переходом, работающих в режиме переключения , а также описаны основные экспериментальные результаты по рассматриваемой проблеме. Наиболее подробно проанализирована модель nлоскостного диода с nолубесконечной базовой областью, так...
Учебник для радиотехн. спец. техникумов. — 3-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1986. — 303 с.: ил. В книге рассмотрены принципы работы, устройство, основные параметры и технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. 3-е издание (2-е— 197 9 г.) переработано с учетом последних достижений в области физики, химии и технологии изготовления...
4-е изд., перераб. и доп. — М.: Энергия, 1977. — 672 с.: ил. В книге проводятся анализ и расчет основных типов транзисторных усилителей, импульсных схем и источников питания. Анализу схем предшествует рассмотрение физических процессов в полупроводниковых диодах и транзисторах и характеристик диодов и транзисторов в качестве схемных элементов. Существенно переработана по...
Ленинград: Наука, 1969. — 206 с. В книге рассматриваются вопросы расчета и проектирования термоохлаждающих устройств. Значительное внимание уделяется изучению влияния конструктивных и технологических факторов на эффективность и надежность термобатарей. Теоретические исследования дополняются примерами конкретных расчетов и данными практических испытаний термоохлаждающих...
Москва: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1986. — 320 с. Изложены физические основы новых перспективных элементов микроэлектроники и оптоэлектроники — полупроводниковых приборов с зарядовой связью. Приведены результаты теоретического анализа и экспериментального исследования статических, динамических, фотоэлектрических, шумовых характеристик этих...
5-ое издание. — Пер. с немецкого под ред. А.Г. Алексенко. — М.: Мир, 1982. — 512 с. Книга Ульриха Титце и Кристофа Шенка «Полупроводниковая схемотехника» представляет собой фундаментальный труд, объединяющий принципы устройства полупроводниковых элементов (диоды, биполярные и полевые транзисторы, интегральные микросхемы) и основы создания из этих элементов различных...
Монография. — М.: МИСиС, 2011. — 364 с. — ISBN 978-5-87623-489-6. Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники — биполярных и полевых транзисторов — в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники — гетероструктурной...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1986. — 142 с. Предназначено для практических занятий студентов специальностей 06.29, 06.04, 06.43. В пособии содержатся задачи, решение которых позволит закрепить лекционный материал, посвященный основным представлениям о физических явлениях, имеющих место в полупроводниковых приборах как дискретного, так и интегрального исполнения. Задачи...
Москва: Радио и связь, 1982. — 210 с. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник. Рассматривается физическая модель контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник. Рассматриваются эквивалентная схема и параметры контактов. Особое внимание уделяется омическим контактам металл—...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 2012. — 107 с. Содержит описания лабораторных работ, выполняемых в среде Multisim и Electronic Workbench. Описания лабораторных работ содержат краткое изложение вопросов теории, методику проведения экспериментов и обработки полученных данных, контрольные вопросы. В практикум включены работы по исследованию характеристик полупроводниковых приборов,...
М.: МИСиС, 2012. — 78 с. — ISBN 978-5-87623-533-6. Сборник задач содержит ряд указаний по расчету параметров полупроводниковых материалов и приборов, а также примеры решения задач и необходимые теоретические сведения. Предназначен для студентов, обучающихся по направлению «Электроника и наноэлектроника», изучающих дисциплину «Физические основы электроники». Соотношения из курса...
М.: Ай Пи Эр Медиа, 2021. — 238 с. — ISBN: 978-5-4497-0508-2. Учебное пособие содержит изложение теоретических основ работы полупроводниковых приборов. Рассмотрены физические явления, протекающие в диодах, транзисторах, силовых и оптоэлектронных приборах, операционных усилителях. Приведены эквивалентные схемы и описание P-Spice моделей полупроводниковых приборов. Издание...
М.: Энергия, 1973. — 152 с. Описываются конструкции, параметры и характеристики бескорпусных полупроводниковых приборов, а также гибридных интегральных микросхем. Книга предназначена для специалистов, занимающихся разработкой, изготовлением и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры на полупроводниковых приборах и интегральных схемах.
М. : Советское радио, 1973. — 248 с. Книга написана в соответствии с утвержденной программой курса «Полупроводниковые приборы» для средних специальных технических учебных заведений. В ней рассмотрены принципы работы наиболее распространенных полупроводниковых приборов и физические процессы, определяющие их характеристики. Приведены конструкции, основные электрические параметры и...
СПб.: БХВ-Петербург, 2014. — 327 с.: ил. — ISBN: 978-5-9775-2807-8. Собрано более 350 принципиальных схем, в которых используются ЖКИ, светоизлучающие и лазерные диоды: мигалки, вспышки, бегущие огни, различные индикаторы, автомобильные тестеры, парковочный радар, тактильный датчик, игры и др. Уделено внимание теоретическим основам и ответам на часто задаваемые вопросы. Каждая...
Ленинград: ЛДНТП, Институт полупроводников АН СССР, 1957. — 63 с. — (Полупроводники. Выпуск 3). Введение. Основные параметры и характеристики термосопротивлений. Основы технологии изготовления термосопротквлений. Основные параметры термосопротивлений. Температурная зависимость сопротивления. Статистические вольтамперные характеристики. Динамические характеристики ....
Справочник. Под ред. А. В. Голомедова. — М.: Радио и связь, 1985. — 400 с.: ил. Приводятся справочные данные по электрическим параметрам, эксплуатационным характеристикам и зависимостям параметров от режимов использования мощных полупроводниковых диодов. Даются основные области их применения в электронной аппаратуре. Для широкого круга инженерно-технических работников.
Брошюра. — Куйбышев: Куйбышевское книжное изд-во, 1964. — 92 с. Описываются некоторые новые полупроводниковые приборы и наиболее часто встречающиеся в практике схемы на полупроводниковых приборах. Приведены формулы для расчета каскадов усиления низкой и высокой частоты, импульсных и широкополосных усилителей, преобразователей частоты, диодных детекторов и автоматической...
М.: Энергия, 1978. — 176 с. Книга посвящена одному из перспективных направлений микроэлектроники — полупроводниковым интегральным запоминающим устройствам на МДП структурах. В книге рассмотрены общие принципы организации полупроводниковых интегральных ЗУ и основные характеристики элементов ЗУ на МДП структурах, различные типы запоминающих элементов, используемых для построения...
4-е, перераб. и доп. — М.: Энергия, 1977. — 744 с. В справочнике приводятся электрические параметры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых полупроводниковых диодов, транзисторов, тиристоров и интегральных схем широкого применения. Справочник предназначен для широкого круга специалистов по радиотехнике и электронике,...
М.: ДОСААФ, 1968. — 72 с. В брошюре рассматриваются некоторые наиболее употребительные полупроводниковые приборы и даются примеры их практического применения в технике и в быту. Читатель сможет познакомиться с описанием нового типа полупроводникового прибора — канальным транзистором, с основными схемами его включения. Рекомендуемые автором схемы различных электронных устройств,...
М.: Государственное издательство физико-математической литературы, 1958. — 150 с. — (Физико-математическая библиотека инженера). Брошюра предназначена для ознакомления инженерно-технических работников с характеристиками и параметрами термосопротивлений, особенностями работы их в схемах и возможностями, открывающимися в результате использования термосопротивлений при решении...
М.: Техника, 1977. — 104 с. Рассмотрены причины, вызывающие нестабильность режима работы полупроводниковых усилительных элементов - транзисторов и интегральных микросхем типа операционного усилителя. Даны методы, обеспечивающие простоту и требуемую точность расчета режима усилительных элементов, в том числе в усилителях с гальваническими связями элементов. Дан анализ ряда...
2ed., Prentice Hall, Pearson Education, Upper Saddle River, New Jersey, 2003, 231 pages, ISBN: 013061792X, 0-201-12295-2
Modular Series on Solid State Devices vol. 6
Focus on silicon-based semiconductors—a real-world, market-dominating issue that will appeal to people looking to apply what they are learning. Comprehensive coverage includes treatment of basic semiconductor...
М.: Энергоатомиздат, 1988. — 130 с.
Описан новый класс полупроводниковых приборов, созданный за последние десятилетия. Изложены физические процессы, приводящие к формированию симметричных нелинейных вольт-амперных характеристик и принципы действия приборов на основе поликристаллических и аморфных полупроводников: нелинейных резисторов, переключателей элементов памяти и др....
Москва: Энергоатомиздат, 1987. — 184 с.: ил. Изложены принципы построения различных типов полупроводниковых преобразователей средней мощности, содержащих транзисторные или тиристорные звенья повышенной частоты. Рассмотрены электромагнитные процессы в типовых схемах, описаны энергетические характеристики преобразователей, принципы регулирования и некоторые вопросы взаимодействия...
Москва: "Радио и Связь", 1984 - 136 c.
Даны общие принципы проектирования однокристальных ЗУ и основные расчетные соотношения для МДП транзисторных и ПЗС элементов памяти. Проанализированы электронные схемы (обеспечивающие выбор требуемых ячеек памяти и запись или считывание информации), сформированные на одном кристалле с запоминающими элементами, приведена методика их...
Издательство: Ленинградский электротехнический институт связи. 1968. — 197 С.
Полупроводниковыми приборами называются приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Они подразделяются на электропреобразовательные полупроводниковые приборы, предназначенные для преобразования электрических величин в другие электрические величины, фотоэлектрические...
Книга. — Москва: Издательство "Знание", 1969. — 80 с.
В предлагаемой брошюре сделана попытка кратко изложить физические процессы и основные принципы схемного использования наиболее интересных полупроводниковых приборов, появившихся после транзистора. В силу фрагментарности и сжатости изложения, явившегося в значительной степени следствием ограниченного объёма брошюры, ни в коей...
М.: Знание, 1990,-64 с. Серия "Радиоэлектроника и связь", №7. В брошюре представлен анализ методов синтеза полупроводниковых аналогов реактивностей (индуктивностей,емкостей, трансформаторов) используемых разработчиками радиоэлектронной аппаратуры. Подробно рассмотрен широкий класс управляемых аналогов индуктивности, выполненных в интегральном исполнении. Рассмотрены...
Л.: ЛДНТП. Выпуск 13. 1964. — 37 с. Гальваномагнитные приборы используются в различных устройствах автоматики, в устройствах для регистрации механических перемещений, в бесконтактных механических переключателях, в преобразователях постоянного тока в переменный, для измерения магнитного поля, для бесконтактного измерения токов и др. устройствах. Введение. Влияние магнитного поля...
Мн.: Университетское, 1989. — 368 с. — ISBN: 5-7855-0045-0. Монография посвящена вопросам постановки, методам и алгоритмам решения задачи численного моделирования микроэлектронных структур. Содержит обобщающее введение в проблему получения математических моделей полупроводниковых структур, берущую свое начало в закономерностях электромагнитных процессов, выраженных уравнениями...
Москва: ДОСААФ, 1966. — 80 с. Введение. Основные типы и конструкции диодов и транзисторов. Классификация и система обозначения диодов и транзисторов. Основные характеристики и параметры диодов и транзисторов. Параметры диодов. Параметры транзисторов. Проектирование схем с полупроводниковыми приборами. Выбор типа полупроводникового прибора. Разброс параметров полупроводниковых...
New York: Electronics division, The electrochemical society, Inc., 1969. — 360 p. Physics of interfaces semiconductors, ohmic contacts to classical semiconductors and wide-band-gap semiconductors, multilevel metalization systems for silicon integrated circuits.
Перев.: В. Климов, В. Пальянов - М.: Наука, 1983. - 362 стр.
В книге кратко излагаются теоретические основы ионной имплантации. Описаны различные методы исследования имплантированных слоев, оборудование и технология ионного легирования. Рассмотрены проблемы, связанные с пассивацией и локализацией р-n-структуры. Приведены примеры использования ионной имплантации для создания...
Навч. посіб./За ред. А.Г. Соскова. 2-е вид. — К.: Каравела, 2004. — 432 с. Для студентів, які навчаються за напрямками «Електромеханіка» та «Електротехніка». Стислий зміст. Фізичні основи роботи напівпровідникових приладів. Напівпроводникові прилади та їх стисла характеристика. Підсилювачі електричних сигналів. Підсилювачі постійного струму. Імпульсні пристрої. Логічні елементи....
2-е издание, переработанное и дополненное. — М.: Радио и связь, 1990 — 264 с.: ил. ISBN: 5-256-00565-0. Рассмотрены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, приборов с отрицательным сопротивлением с зарядовой связью, с инжекционным питанием, полупроводниковых датчиков, приборов на основе эффекта сверхпроводимости. Даны...
Москва: Советское радио, 1975. — 104 с.: ил. — (Советско-венгерская библиотека по радиоэлектронике). Рассмотрены физические и технические проблемы и направления полупроводниковой электроники. Оцениваются перспективы использования различных физических эффектов (барьера Шоттки, доменной неустойчивости и т.д.) для создания полупроводниковых дискретных и интегральных приборов. В...
Учебное пособие. — М.: МИФИ, 2009. — 52 c.
В пособии приводится краткая классификация полупроводниковых приборов, определения режимов работы транзисторов и линейные (малосигнальные) эквивалентные схемы (схемы замещения) транзисторов в активном режиме, а также методика и примеры расчетов параметров этих эквивалентных схем. Предназначено для студентов дневного и вечернего...
Чебоксары: Издательство Чувашского университета, 2010. - 448 с./Иванов А.Г., Белов Г.А., Сергеев А.Г.
Рассматриваются принципы и системы управления и регулирования различных видов полупроводниковых преобразователей силовой электроники.
Для специалистов в области силовой электроники и автоматизированного электропривода, а также студентов, магистрантов и аспирантов....
М.: Мир, 1984. — 456 с. (300 dpi, b/w, OCR) Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. В переводе на русский язык выходит в двух книгах. Книга 2 посвящена физике приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекторов и солнечных батарей). Для научных работников и инженеров,...
М, Мир, 1984 - 456 с. (300dpi, b/w, OCR) Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. В переводе на русский язык выходит в двух книгах. Книга 1 посвящена физике биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p–n-переходом и барьером Шоттки). Для научных...
Автор книги - Атанас Иванов Шишков, Издание: 5, Издатель - Деликом, 2004, ISBN: 9549042723, 9789549042726, Количество страниц - Всего страниц: 475 Можно ли понимать процесы в полупроводниковой технике и оптимально использоват элементы (диоды, транзисторы и т.д.) посредством их каталожные данны, изпользуя менше формулы и тежелые вычисления? Положительны ответ на этом вопросе...
New York: Wiley, 1982.- 906 p.
Explains the theoretical and experimental foundations of the measurement of the electrical properties of the MOS system and the technology for controlling its properties. Emphasizes the silicon oxide and the silicon oxide-silicon interface. Provides a critical assessment of the literature, corrects incomplete or incorrect theoretical formulations,...
М.: Наука, 1965.- 448 с.
В книге изложены теория контактных явлений и принципы работы приборов. Для того чтобы лучше уяснить эти физические принципы и иметь возможность провести все расчеты, не отсылая читателя к оригинальным работам, в книге рассматриваются наиболее простые модели, позволяющие более четко выделить основные явления и получить окончательные формулы в простом...
2nd edition. — Prentice Hall, 2002. — 316 p. — ISBN 0201444941. Modular Series on Solid State Devices This introductory book assumes minimal knowledge of the existence of integrated circuits and of the terminal behavior of electronic components such as resistors, diodes, and MOS and bipolar transistors. It presents to readers the basic information necessary for more advanced...
Prentice Hall, 2000. — 666 p. Технология производства полупроводников. Книга известных американских специалистов (Michael Quirk, Julian Serda) охватывает практически все важнейшие аспекты технологии субмикронных СБИС. Несмотря на то, что она написана в 2000 г., до сих пор книга не потеряла своей ценности и актуальности и не только для отечественного читателя, она по прежнему...
М., Сов. радио, 305 стр., 1981 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода. Рассматривается физическая модель р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник и р—п перехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих контактов. Рассматриваются...
М.: Энергия, 1979г. - 168с.
В книге изложены физические основы деформационных эффектов в однородных полупроводниках и полупроводниковых приборах. Даны формулы для расчета чувствительности этих приборов к давлению. Проведены расчеты зонной структуры деформированных полупроводников для разных видов деформаций.
Springer 1986 (Tokyo 1981) — 450 p. VLSI – Very Lage Scale Integration – Технология больших интегральных схем. VLSI Technology summarizes the main results of the research performed by the Japanese VLSI Technical Research Association. The studies concentrated on silicon as the major basis of modern semiconductor devices. The results presented are on microfabrication technology,...
М.: Машиностроение. 1966. — 288 с.
Настоящее учебное пособие написано в соответствии с утвержденной программой курса "Полупроводники и полупроводниковые приборы" для специальных средних технических учебных заведений.
В книге рассказано о строении атомов и на этой основе дано описание строения твердых тел. Рассмотрены физические явления, происходящие в полупроводниках, и...
2-е изд., перераб. и доп. - М.: Энергоиздат, 1982. - 152 с.
Рассмотрены аварийные режимы силовых полупроводниковых преобразователей, приведены расчетные формулы и построены кривые мгновенных и амплитудных значений аварийных токов и их теплового воздействия на полупроводниковые приборы. Определены требования, предъявляемые к защите полупроводниковых преобразователей, описаны...
Издательский дом Додэка-XXI, 2001. -384с.
Представлена эволюция развития основных семейств мощных ключевых приборов. Приведены базовые структуры полупроводниковых ключей, их характеристики, методы управления и защиты. Рассмотрены основные режимы работы силовых ключей и рассмотрены особенности их применения в устройствах преобразования электрической энергии.
Для специалистов,...
Москва: ДМК Пресс, 2008. - 352 с.
В книге рассмотрены задачи, методы и особенности автоматизированного лабораторного практикума с удаленным доступом (АЛП УД) по исследованию полупроводниковых приборов, приведено описание реализующей его системы АЛП УД «Электроника», в том числе входящего в ее состав аппаратно-программного комплекса (АПК) «Электроника», разработанного на основе...
6-е изд., доп. и испр. — М.: Солон-Пресс, 2008. — 591 с. — ISBN: 978-5-91359-043-5
В справочном пособии систематизированы в табличной форме в алфавитно-цифровой последовательности данные по основным электрическим параметрам и конструктивному исполнению на отечественные биполярные и полевые транзисторы, выпрямительные диоды, столбы и блоки, варикапы, стабилитроны и стабисторы,...
В 2-х книгах. — М.: Мир, 1988. — 336 с. Книга является переводом девятого тома 11-томной серии по микроэлектронике, написанной японскими специалистами. Посвящена вопросам проектирования ЭВМ специального назначения на основе БИС и СБИС. Рассмотрены методы параллельной обработки цифровых данных, а также символьной и графической информации. Описаны способы построения баз данных и...
В 2-х книгах. — М.: Мир, 1988. — 392 с. Книга является переводом восьмого тома 11-томной серии по микроэлектронике, написанной японскими специалистами. Посвящена вопросам проектирования компьютеров па основе наиболее перспективных СБИС. Значительное внимание уделено структурным решениям построения процессоров, запоминающих устройств, систем ввода-вывода данных. Даны...
М.: Энергия, 1967. — 185 с. Описываются устройство, принцип действия, характеристики, параметры и некоторые применения четырехслойных полупроводниковых приборов. Дана теория статических характеристик и электрических переходных процессов при переключении приборов. Описаны экспериментальные исследования свойств приборов и методы измерения электрических характеристик и параметров....
К.: Наукова думка, 1978. — 316 с. Биполярные генерационные процессы в структурах МДП. Результаты экспериментального исследования биполярных генерационных процессов в кремниевых структурах МДП. Взаимосвязь генерационных и рекомбинационных параметров структур МДП. Перенос заряда и полевая генерация в диэлектриках. Полевая генерация в полупроводниковой подложке. Туннельная...
3-е изд. - Таганрог, 2010. - 204 с.: ил. В книгу входят сведения о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панелях, дисплеях на углеродных нанотрубках, ионисторах, биполярных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. Материал содержит ответы на некоторые вопросы электронной техники, его отличает...
М.: Наука, 2007. - 220 с. - ISBN:
9785020361195. (Качество: хорошее, 600 dpi, OCR, bookmark)
В книге систематически изложены основные результаты, полученные авторами в следующих областях: временной анализ цифровых КМОП-схем с учетом логических ограничений, статистический временной анализ; логический и логико-временной анализ помехоустойчивости цифровых КМОП-схем, алгоритмы...
М.: Юрайт Высшее образование, 2009 год. 463 стр. Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные...
Учебник для вузов. — 5-е изд., испр. — СПб.: Лань, 2001. — 480 с. — (Учебники для вузов. Специальная литература). — ISBN 5-8114-0368-2. В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном...
Учебное пособие. — СПб.: Питер, 2003. — 506 с. — ISBN: 5-94723-378-9 Книга рекомендованная УМО по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской и автоматизации. Содержит в себе массу сведений о всех основных типах радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), а так же описания принципа физических процессов протекающих в них. Содержание глав. Предисловие. Введение....
М.: Высшая школа, 1979, 279 с.
В книге рассматриваются физические основы работы полупроводниковых приборов различных типов и классов. Приводятся основные параметры и характеристики приборов, а также принципы управления ими. Кратко рассмотрены конструктивное оформление полупроводниковых приборов, технология их изготовления и области применения. Даны также краткие сведения по...
Под общей ред. А. К. Нарышкина. Совместное советско-чешское издание. — М.: Советское радио, 1977. — 416 с. Излагаются сведения об источниках шума в полупроводниковых приборах, на основе которых рассматриваются методы проектирования малошумящих каскадов усиления и преобразования сигналов в приемно-усилительных и передающих трактах. Подробно разбираются шумовые свойства...
Москва: Энергоатомиздат, 1990. — 120 с: ил. — ISBN 5-283-005534. Рассмотрены свойства, параметры и характеристики симисторов ключевых элементов, используемых в качестве переключателей и регуляторов переменного тока в бытовой электроаппаратуре. Приведены практические схемы устройств освещения, электрообогрева, электроинструмента, в которых применяются симисторы. Приводятся...
М: Металлургия, 1986 г., пер. с англ. под ред. С. С. Горелика
Рассмотрены структура и классификация аморфных полупроводников, электронное строение, структурные дефекты и примеси, оптические и электрические свойства, оптически стимулированные явления в халькогенидных стеклах. Приведены данные о выращивании и свойствах аморфных гидридов кремния. Показаны области применения аморфных...
Москва: Энергоатомиздат, 1990. — 576 с. Приведены физические свойства, характеристики и режимы работы полупроводниковых приборов, применяемых в устройствах промышленной электроники. Рассмотрены особенности применения приборов. Изложены физические основы построения моделей предельных режимов эксплуатации, методов управления и защиты полупроводниковых приборов. Для студентов...
Ленинград: Наука, 1968. — 58 с.
Работа содержит новую систематизированную методику расчета полупроводниковых термоохлаждающих устройств, основанную на использовании специальных номограмм и графиков, облегчающих и значительно ускоряющих процесс расчета по сравнению с обычным аналитическим методом. Представленные номограммы и графики могут применяться также для теоретического...
Томск: Издательство Томского университета, 1989. — 336 с. Один из лучших известных учебников по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перехода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности;...
М.: Радио и связь, 1987. — 88 с.
Приведены свойства, конструктивные особенности и основы технологии новых высокочувствительных гальваномагнитных приборов. Основное внимание уделено описанию эксплуатационных характеристик и параметров приборов, выпускаемых промышленностью. Рассмотрены наиболее важные применения магнитодиодов и магнитотранзисторов и соответствующие схемы их...
М.: Высшая школа, 1987. - 479 с. ил. Учебник для вузов по специальности «Полупроводники и диэлектрики» и «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы». - 4-е изд., пер. и доп. Хороший и достаточно емкий материал по полупроводниковым приборам В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства,...
Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. 1977 DJVU Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Издание 4е переработанное и доп. М., "Энергия" 1977. 672 стр.
Комментарии
Ступельман Полупроводниковые приборы
Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Издание 4е переработанное и доп. М., "Энергия" 1977. 672 стр.