Полупроводниковые приборы

23 слайда. Полупроводники. Полупроводниковый диод. Рекомбинация. Собственная проводимость. Проводники IV группы. Решетка германия. Примеси. Сильно легированные полупроводники. Фотопроводимость полупроводников. Прохождение быстрых частиц через полупроводники. Диффузия носителей. Термоэлектрические явления в полупроводниках. P-N переход.

МИЭТ, Москва, 2012 15 слайдов p-n – переход (симметричный и резкий, при прямом и обратном смещении). Пробой p-n – перехода. Диоды. Условное обозначение. Принцип работы. Вольт-амперная характеристика. Область применения. Биполярные транзисторы. МДП-транзистры.

МИЭТ, Москва, 2012 29 слайдов МДП (МОП) – транзисторы. Сечение. Условное обозначение. Принцип работы. Вольт-амперные характеристики. Топология. Маршрут формирования. КМОП - транзисторы. Маршрут формирования. Сечения. Топология.

Доцент Гребенников В.В. Национальный исследовательский Томский политехнический университет. Томск. Россия. Учебная дисциплина «Электроника». 2016г. –26с. Электронные полупроводниковые приборы Строение полупроводников Электропроводность собственных (беспримесных) полупроводников Электропроводность примесных полупроводников Акцепторные примеси Особенности полупроводников Время...