World Scientific, 1991. — 1014 p. — ISBN 9810206372.
This is perhaps the most comprehensive undergraduate textbook on the fundamental aspects of solid state electronics. It presents basic and state-of-the-art topics on materials physics, device physics, and basic circuit building blocks not covered by existing textbooks on the subject. Each topic is introduced with a historical...
Physics of Semiconductor Devices, Michael Shur, Prentice Hall, Upper Saddle River, New Jersey, 1990, 680 p.
Physics of Semiconductor Devices effectively covers the rapidly changing field of semiconductor device physics. New ideas, theories, models and practical applications of semiconductor electronics are presented, and new developments, such as amorphous silicon, compound...
Харьков: ХНУ, 2004. - 144 с. Приведены задачи по основным разделам курсов - "Физика полупроводников", "Твердотельная электроника", "Оптоэлектроника", которые включают химические связи в полупроводниках, статистику электронов и дырок в полупроводниках, кинетические явления в полупроводниках, неравновесные носители заряда в полупроводниках, контактные явления, биполярные...
Минск, Наука и техника, 1981.- 214 с. В книге обобщены и систематизированы результаты исследований тонких пленок полупроводников с целью создания на их основе и с применением методов интегральной технологии нового поколения миниатюрных твердотельных измерительных преобразователей (ИП). Книга такой направленности издастся впервые. Она дополнит серию недавно изданных монографий,...
Пер. с англ. Под ред. В.Н. Губанкова. — М.: Мир, 1986. — 399 с.: ил. В книге английского ученого всесторонне и с единых позиций рассмотрены механизмы генерирования шумов и шумовые характеристики электронных устройств, начиная с биполярных и полевых транзисторов, диодов, резисторов, СВЧ-приборов и кончая такими современными приборами и уникальными установками, как квантовые...
Москва: Физматлит, 2004. — 168 с. — ISBN 5-9221-0402-0. Настоящее учебное пособие представляет собой сборник задач по курсу "Основы полупроводниковой электроники", читаемому в технических университетах и ВУЗах. Сборник разделен на шесть глав: физические основы работы p - n -перехода, биполярные транзисторы и усилители, транзисторные ключи, операционные усилители, логические...
Учебное пособие. — СПб.: Изд-во Политехнического университета, 2013. — 79 с.
Соответствует содержанию авторского курса Твердотельная электроника для обучающихся по направлению 223200 Техническая физика по бакалаврской подготовке. Рассмотрены основы теории полупроводниковых гетероструктур. Дана классификация полупроводников с изменяющимся по координате химическим составом...
Ленинград: Энергия, Ленинградское отделение, 1980. — 152 с. Книга посвящена описанию процессов ударной ионизации и лавинного пробоя в полупроводниках. Рассматривается умножение носителей в однородных p-n переходах и расчет параметров этих переходов в области пробоя, физические процессы при микроплазменном пробое реальных p-n переходов, свойства микроплазм и причины их...
Книга посвящена описанию процессов ударной ионизации и лавинного пробоя в полупроводниках. Рассматривается умножение носителей в однородных p-n переходах и расчет параметров этих переходов в области пробоя, физические процессы при микроплазменном пробое реальных p-n переходов, свойства микроплазм и причины их возникновения, вольт-амперная характеристика и перегрузочная способность...
Учебное пособие. — Севастополь: Изд-во СевНТУ, 2004. — 635 с.: ил. В данном учебном пособии рассмотрены физика процессов в полупроводниковых устройствах, базовых логических цифровых интегральных схемах; конструктивно-технологические основы проектирования и изготовления элементов и устройств твердотельной электроники, включая технологии монолитных, гибридных интегральных схем и...
Минск: Беларуская навука, 2018. — 272 с. Рассмотрены и обобщены результаты исследований и разработок в области технологии и оборудования для производства и диагностики субмикронных структур полупроводниковой микроэлектроники. Предназначена для инженерно-технических работников предприятий электронной и других отраслей промышленности, специалистов научно-исследовательских...
Учебно-методическое пособие. — Екатеринбург: Изд-во Урал. ун-та, 2016. — 160 с. — ISBN: 978-5-7996-1787-5. Пособие содержит описания физических процессов, возникающих в p-n переходе, виды пробоев p-n перехода, процессы в p-n переходах с туннельным эффектом, устройство, принципы работы, характеристики и параметры биполярных транзисторов и полевых транзисторов с управляющим p-n...
М.: ДМК Пресс, 2013. — 600 с. В первом томе описана элементная база твердотельных электронных устройств общего назначения нано- и пикосекундного диапазона времен - от туннельных и диодов с накоплением заряда, биполярных, полевых и лавинных транзисторов до новых S-диодов, лавинных обострителей, дрейфовых диодов с резким восстановлением, SOS-диодов и интегральных микросхем. Во...
М.: ДМК Пресс, 2013. — 576 с. В первом томе описана элементная база твердотельных электронных устройств общего назначения нано- и пикосекундного диапазона времен - от туннельных и диодов с накоплением заряда, биполярных, полевых и лавинных транзисторов до новых S-диодов, лавинных обострителей, дрейфовых диодов с резким восстановлением, SOS-диодов и интегральных микросхем. Во...
Учебник для студентов вузов. — М.: Высшая Школа, 1986. — 304 с. В учебнике рассмотрены тепловые, электрические, оптические и магнитные свойства твердых тел и электрические свойства пленок. Для облегчения восприятия материала громоздкие математические построения опущены. Широко используются упрощенные модели с сохранением достаточно строгого уровня изложения. Структура...
Учебное пособие. — Ростов-на-Дону; Таганрог: Южный федеральный университет, 2018. — 107 с. — ISBN 978-5-9275-2621-5. Рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимости полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 2010. — 212 с. — ISBN 978-5-87623-304-2. Рассмотрены физические явления на границе раздела полупроводник – диэлектрик и в контактах металл – полупроводник. Изложены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров. Уделено внимание гетеропереходам и...
Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1997. — 119 с. Рассмотрены контактные явления на границе раздела полупроводник—диэлектрик и на контактах металл—полупроводник. Кратко сформулированы свойства p-n переходов, биполярного и полевого транзисторов. Рассмотрение приведенных в пособии задач и их решений позволяет глубоко усвоить излагаемый материал. Пособие предназначено для изучения...
Пер. с англ. — М.: Атомиздат, 1970. — 165 с. Данная книга посвящена одной из наиболее актуальных и наименее изученных проблем радиационной физики полупроводников — влиянию поверхности на характеристики полупроводниковых материалов и приборов при воздействии ионизирующего излучения. В книге анализируются работы, характеризующие современное состояние исследований по данной...
М.: Радио и связь, 1983. — 208 с.: ил. Рассмотрены основные свойства полупроводниковых материалов с отрицательным и положительным температурными коэффициентами сопротивления. Описана технология изготовления терморезисторов на основе этих материалов. Приведены варианты конструкций терморезисторов и их характеристики, а также схемные решения устройств с терморезисторами....
Одесса: Логос, 1994. — 336 с. Учебное пособие посвящено теоретическим основам работы твердотельных фотоэлектричесих преобразователей световой энергии в электрическую. Предисловие. Основные условные обозначения. Равновесные и неравновесные носители тока в полупроводниках. Принцип действия полупроводникового преобразователя. Фотопреобразователи на основе p-n -переходов....
Учебно-методическое пособие. — Минск: Белорусский национальный технический университет (БНТУ), 2021. — 346 с. — ISBN 978-985-583-543-2. Учебно-методическое пособие предназначено для студентов специальности 1-41 01 01 «Технология материалов и компонентов электронной техники». Главная цель учебно-методического пособия – ознакомить студентов с основами физики процессов в...
М.: Наука, 1973 — 470 с. — (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). Книга посвящена терморезисторам — полупроводниковым резисторам с сильной зависимостью величины сопротивления от температуры. В ее первой части обсуждаются электрические свойства и кристаллическая структура ряда окислов переходных металлов, а также физические и физико-химические основы технологии...
Перевод с англ. С.Д. Барановского и др. — М.: Мир, 1991. — 632 с.: ил. — ISBN 5-03-001459-4. Книга написана известным американским специалистом в области физики полупроводников М. Шуром. Подробно изложены электрофизические свойства GaAs. Особое внимание уделено явлениям переноса в субмикронных структурах. Рассмотрены все основные методы получения и исследования GaAs. Подробно...
В 2-х книгах. — Москва: Мир, 1992. — 479 с. Современное фундаментальное учебное пособие, написанное известным американским специалистом, в котором с единых позиций рассматриваются физические принципы работы, конструктивные особенности и технология практических всех полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем на их основе. В кн.1 содержатся сведения о физике...
В 2-х книгах. — Москва: Мир, 1992. — 295 с. Современное фундаментальное учебное пособие, написанное известным американским специалистом, в котором с единых позиций рассматриваются физические принципы работы, конструктивные особенности и технология практических всех полупроводниковых приборов и монолитных интегральных схем на их основе. В кн.2 описаны фотонные приборы, диоды с...
В книге описаны физические механизмы эффекта Ганна - эффекта, на основе которого созданы объемные полупроводниковые приборы, в том числе наиболее мощные генераторы СВЧ на твердом теле. В ней рассматриваются также связанные с ганновской генерацией физические эффекты, различные ганновские приборы и возможности их практического применения. Книга рассчитана на инженеров, техников и...
Комментарии