Транзистор, полупроводниковый триод - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов.
Radio Shack, 1988. — 131 p. This Semiconductor Reference Handbook is intended to be just that-a reference handbook. It is not a definitive text book on semiconductors. It is a compilation of data on Radio Shack's line of prime-quality Archersemiconductors. Every Archer device covered in this Handbook is guaranteed prime-they are not "fall-outs" or "seconds"; all are...
Balwinder Raj, Shiromani Balmukund Rahi, Nandakishor Yadav (Editor). — Wiley-Scrivener, 2025. — 352 p. — ISBN-13: 978-1394287277. FeFET Devices, Trends, Technology and Applications is essential for anyone seeking an in-depth understanding of the latest advancements in ferroelectric devices, as it offers comprehensive insights into research techniques, novel materials, and the...
Balwinder Raj, Shiromani Balmukund Rahi, Nandakishor Yadav (Editor). — Wiley-Scrivener, 2025. — 352 p. — ISBN-13: 978-1394287277. FeFET Devices, Trends, Technology and Applications is essential for anyone seeking an in-depth understanding of the latest advancements in ferroelectric devices, as it offers comprehensive insights into research techniques, novel materials, and the...
Balwinder Raj, Shiromani Balmukund Rahi, Nandakishor Yadav (Editor). — Wiley-Scrivener, 2025. — 352 p. — ISBN-13: 978-1394287277. FeFET Devices, Trends, Technology and Applications is essential for anyone seeking an in-depth understanding of the latest advancements in ferroelectric devices, as it offers comprehensive insights into research techniques, novel materials, and the...
Balwinder Raj, Shiromani Balmukund Rahi, Nandakishor Yadav (Editor). — Wiley-Scrivener, 2025. — 352 p. — ISBN-13: 978-1394287277. FeFET Devices, Trends, Technology and Applications is essential for anyone seeking an in-depth understanding of the latest advancements in ferroelectric devices, as it offers comprehensive insights into research techniques, novel materials, and the...
Wiley-Interscience, 1970. — 534 p. — ISBN 9780471161509. Fabrication of Field-Effect Transistors Static and Low-Frequency Theory of Junction-Gate Field-Effect Transistors Charge-Control Analysis of Junction-Gate FET’s Small-Signal, High-Frequency Properties of Junction-Cate Field-Effect Transistors Properties of Metal-Oxide-Semiconductor Junctions Static Theory of Inversion...
Wiley-Scrivener, 2025. — 513 p. — ISBN 9781394248476. Field Effect Transistors is an essential read for anyone interested in the future of electronics, as it provides a comprehensive yet accessible exploration of innovative semiconductor devices and their applications, making it a perfect resource for both beginners and seasoned professionals in the field. Miniaturization has...
John Wiley & Sons, 2006. — 303 p. The purpose of this book is to assemble and explain in a coherent manner all the know-how and all the publications related to the particular MOS transistor modeling approach embodied by the EKV model. This model borrows from the work of a long line of researchers, starting in the early times of semiconductor physics. It has its roots in the...
Hauppauge: Nova Science Publishers, Incorporated, 2010. — 210 p. Transistors play a central role in many electronic circuits, where they usually function as either a switch or an amplifier. This book reviews research in the field of transistors including a new class of transistors whose channels are made from semiconducting carbon nanomaterials; the evolution of these designs...
Wiley-VCH GmbH, 2023. — 273 p. This book will focus on interface engineering of OFETs and aim to provide fundamental understandings of the interplay between the molecular structure, assembly, and emergent functions at the molecular level and consequently offer novel insights into designing a new generation of multifunctional integrated circuits and sensors toward practical...
Designer’s Guide Consulting, Inc., 2012. — 19 p. A brief introduction to transistors, starting with PN junctions and ending with common single transistor amplifier configurations.
Springer Science+Business Media, LLC, 2009. — 156 p. — (Series on Integrated Circuits and Systems). — ISBN: 978-0-387-92133-4. Organic Field Effect Transistors discusses the fundamental mechanisms that apply to OFETs fabrication, operation, and characterization. This unique book presents the state-of-the-art in organic field effect transistors (OFETs) with a particular focus on...
McGraw-Hill, 1967. — 150 p. Basic Physics Of The Field Effect. The Theory Of Operation Of The Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. The Three Modes Of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor Operation. The State Of Metal-Oxide-Semiconductor Technology. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Electrical Characteristics, Circuit Parameters And...
Wiley-IEEE Press, 2019. — 491 р. A comprehensive one-volume reference on current JLFET methods, techniques, and research Advancements in transistor technology have driven the modern smart-device revolution—many cell phones, watches, home appliances, and numerous other devices of everyday usage now surpass the performance of the room-filling supercomputers of the past....
Springer, 2021. — 137 p. This book explores integrated gate drivers with emphasis on new gallium nitride (GaN) power transistors, which offer fast switching along with minimum switching losses. It serves as a comprehensive, all-in-one source for gate driver IC design, written in handbook style with systematic guidelines. The authors cover the full range from fundamentals to...
Springer, 2023. — 98 p. This book discusses the evolution of multigate transistors, the design challenges of transistors for high-frequency applications, and the design and modeling of multigate transistors for high-frequency applications. The contents particularly focus on the cut-off frequency and maximum oscillation frequency of different multigate structures. RF stability...
Springer, 2023. — 98 p. — (Springer Tracts in Electrical and Electronics Engineering). — ISBN 978-981-99-0156-2. Многозатворные транзисторы для высокочастотных приложений This book discusses the evolution of multigate transistors, the design challenges of transistors for high-frequency applications, and the design and modeling of multigate transistors for high-frequency...
CRC Press, 2024. — 280 p. — (Materials, Devices, and Circuits: Design and Reliability). — ISBN 978-1-032-41425-6. This book provides an overview of emerging semiconductor devices and their applications in electronic circuits, which form the foundation of electronic devices. Device Circuit Co-Design Issues in FETs provides readers with a better understanding of the ever-growing...
3rd edition. — Oxford University Press, 2011. — 752 p. — (The Oxford Series in Electrical and Computer Engineering). — ISBN: 978-0195170153. Operation and Modeling of the MOS Transistor has become a standard in academia and industry. Extensively revised and updated, the third edition of this highly acclaimed text provides a thorough treatment of the MOS transistor--the key...
Department of Weapons Training Lowry Air Force Base Colorado, 1960-1961. — 457 p. Introduction to Semiconductor Devices and transistor theory from legendary Bob Widlar. Introduction to Semiconductor Devices Conduction in Solids The PN Junction The Junction Transistor The Fabrication of Diodes and Transistors Transistor Circuits
Boca Raton: CRC Press, 2023. — 290 p. Advanced Field-Effect Transistors: Theory and Applications offers a fresh perspective on the design and analysis of advanced field-effect transistor (FET) devices and their applications. The text emphasizes both fundamental and new paradigms that are essential for upcoming advancement in the field of transistors beyond complementary...
К.: МК-Пресс, М.: Издательский дом Додэка-ХХГ, 2007. - 640с., ил.
Справочник продолжает новую серию «Элементная база», в которой представлены технические данные на современные полупроводниковые приборы и интегральные схемы ведущих производителей.
Второй том содержит в себе справочные данные на биполярные транзисторы в SMD-исполнении, транзисторные сборки разных структур,...
М.: Додэка, 2006. — 538 с. В справочнике приведены электрические характеристики мощных биполярных транзисторов, имеющих высокую скорость переключения. Данные приборы применяются в импульсных источниках питания различного назначения, в промышленном оборудовании, в бытовой и профессиональной видео- и аудиотехнике. В книге представлены изделия следующих ведущих производителей...
Главный редактор: Ю.А. Шпак. — К.: МК-Пресс, 2006. — 544 с.: ил. — ISBN 966-8806-25-5.
Этот справочник продолжает новую серию "Элементная база", в которой представлены технические данные на современные. полупроводниковые приборы и интегральные схемы ведущих производителей, и содержит в себе справочные данные на биполярные транзисторы в SMD-исполнении. Справочник предполагается...
БГУИР, Минск/Беларусь - 2008 г., 13 стр.
Преподаватель: Русакович В. Н.
Электронные приборы (ЭП).
Содержание:
Цель работы
Расчётные формулы
Схема установки
Результаты измерений
Результаты расчетов
Вывод
Практикум по общей физике для естественных факультетов МГУ (Биологического, Географического, Геологического и Почвоведения). Строение вещества. Задача № 60. — М.: Кафедра общей физики и физики конденсированного состояния физического факультета МГУ, 2012. — 12 с. Устройство и принцип действия биполярного транзистора (БПТ). Вольт-амперные статические характеристики (входные и...
Практикум по общей физике для естественных факультетов МГУ (Биологического, Географического, Геологического и Почвоведения). Строение вещества. Задача № 61. — М.: Кафедра общей физики и физики конденсированного состояния физического факультета МГУ, 2012. — 9 с. Целью настоящей работы является изучение работы транзистора в качестве усилительного каскада по напряжению в схеме с...
2-е изд., перераб. — М.: Энергоатомиздат, 1985. — 904 с. Настоящий справочник представляет собой наиболее полное издание, содержащее сведения о широкой номенклатуре отечественных биполярных и полевых транзисторов. В нем приводятся электрические и эксплуатационные характеристики и параметры транзисторов, классификация и система обозначений, классификация транзисторов по...
Изд: LAP, 2014. - 318 с., ил. Справочное пособие посвящено созданию математических моделей вольт-амперных характеристик полупроводниковых и вакуумных приборов. Приведены выводы уравнений вольт-амперных характеристик. В работе предпринята попытка решить следующие задачи: проведение экспериментальных измерений вольт-амперных характеристик электронных приборов в зависимости от...
Учебное пособие. Рязанская государственная радиотехническая академия. - Рязань, 2004. Приведена методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием па-кета программ Mathcad. Рассчитываются основные параметры биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Оглавление. Список обозначений. Введение. Выбор концентрации...
Методические указания к лабораторной работе № 11. — Новосибирск: НГУ, 2009. — 12 с. Лабораторная работа входит в состав практикума по радиоэлектронике для студентов 2 курса физического факультета НГУ. Цель лабораторной работы – изучение биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT), ключевого и линейного режима его включения. В методическом пособии излагаются...
Содержание.
Введение.
Электронно-дырочный p- n- переход.
Классификация биполярных транзисторов.
Устройство и принцип действия биполярного транзистора.
Схемы включения биполярных транзисторов.
Полевые транзисторы.
Принцип действия и устройство полевого транзистора.
Схемы включения полевых транзисторов.
Усиление тока.
Частотные свойства транзисторов.
Шумовые...
Томский политехнический университет. Презентация к лекции. 58 слайдов. 2014 г.
Структура и основные режимы работы.
Распределение стационарных потоков носителей заряда.
Распределение носителей заряда.
Значения постоянных токов при активном режиме.
Явления в транзисторах при больших токах.
Статические параметры.
Пробой транзисторов.
Статические характеристики.
Работа...
Без автора. — М.: МГУ, Физический факультет, кафедра физической электроники. — 23 с. Методическая разработка специального физического практикума кафедры физической электроники. Теория. p-n-переход в условиях равновесия. p-n-переход в неравновесных условиях. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Качественный анализ работы биполярного транзистора. Эксперимент. Статические...
27 страниц справочного материала про биполярный транзистор и процессы связанные с ним. Общие сведения о биполярных транзисторах. Технологические типы биполярных транзисторов. Сплавные транзисторы. Планарные и планарно-эпитаксиальные транзисторы. Распределение потенциала, концентрация зарядов и токи в биполярном транзисторе. Распределение потенциала. Концентрация носителей...
Справочник. — М.: Радио и связь, 1985. — 560 с. Приводятся справочные данные по техническим, электрическим и эксплуатационным характеристикам и параметрам современных мощных транзисторов, рассеиваемая мощность которых превышает 1 Вт. Рассматриваются особенности использования мощных транзисторов в аппаратуре. Для широкого круга инженерно-технических работников.
Методические указания к лабораторной работе. — Москва: МИИТ, 2011. — 33 с. Даются краткие теоретические сведения о биполярных транзисторах и принципах построения простейших усилительных каскадов на их базе. Приводится описание лабораторного макета и задание на лабораторную работу с подробным описанием хода её выполнения. На основании данных методических указаний, лабораторная...
Производственное издание 1988 года. 262 стр. Каталог предназначен для выбора необходимых потребителю приборов, выпускаемых предприятием. В каталоге приводятся сведения о важнейших свойствах кремниевых транзисторов. Кратко описано основное их назначение, даны габаритные размеры, параметры и характеристики, рекомендации по монтажу. Каталог имеет 4 раздела, в каждом из которых...
Методические указания к лабораторной работе №2 практикума по радиоэлектронике. — Новосибирск: НГТУ, 1995. — 8 с. Для начинающих свое знакомство с транзисторами мы советуем сначала разобраться с грубой, но практически полезной диодной моделью транзистора, а затем перейти к модели Эберса-Молла, описывающее многие тонкие моменты в поведении транзисторов, и с лихвой перекрывающей...
Методические указания к лабораторной работе № 3 практикума по радиоэлектронике. — Новосибирск: НГТУ, 1995. — 8 с. Семейство полевых транзисторов (ПТ) довольно обширно. Они отличаются технологией изготовления, характеристиками и способами включения. Теоретические сведения. Линейная модель полевого транзистора. Задания к работе. Генератор тока, управляемый напряжением. Истоковый...
Розрахувати схему підсилювального каскаду зі спільним емітером; дослідити роботу у схемі зі спільним емітером біполярного транзистора; ознайомитися з основними параметрами біполярних транзисторів та системами позначення транзисторів.
Справочник. — М.: Радио и связь, 1989. — 386 с. Приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных низкочастотных, высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов малой, средней и большой мощности. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах,...
М.: КУбК-а, 1995, 640с Приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов — полевых и биполярных транзисторов средней и большой мощности, используемых в разнообразной радиоалегаронной аппаратуре. Даются классификация, система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения...
М.: Радио и связь, 1985. - 560 с.
Приводятся справочные данные по техническим, электрическим и эксплуатационным характеристикам и параметрам современных мощных транзисторов, рассеиваемая мощность которых превышает 1 Вт. Рассматриваются особенности использования мощных транзисторов в аппаратуре. Для широкого круга инженерно-технических работников.
Санкт-Петербург: БХВ-Петербург, 2002. — 240 с.: ил. — ISBN 5-94157-100-3. Последовательно и доступно изложена система понятий, без которой невозможно осмысленное изучение транзисторных цепей. Описаны трудности, возникающие при изучении электроники, и достижения тех гуманитарных наук, знание и применение которых способствуют их преодолению. Приведены рекомендации по выполнению...
Учебное пособие. — СПб.: БХВ-Петербург, 2002. — 240 с.: ил. — ISBN: 978-5-94157-100-3. Последовательно и доступно изложена система понятий, без которой невозможно осмысленное изучение транзисторных цепей. Описаны трудности, возникающие при изучении электроники, и достижения тех гуманитарных наук, знание и применение которых способствуют их преодолению. Приведены рекомендации по...
Справочник. — Москва: Энергоатомиздат, 1982. — 904 с. Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные данные и другие характеристики транзисторов широкого применения. Для широкого круга специалистов по электронике, автоматике, радиотехнике, измерительной технике, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом радиоэлектронной аппаратуры. Предисловие. Общие...
Справочник. — 2-е изд., перераб. — Москва: Энергоатомиздат, 1985. — 904 с.
Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные данные и другие характеристики транзисторов широкого применения. По сравнению с изданием 1983 г. внесены изменения, связанные с корректировкой старых и введением новых стандартов и технических условий, уточнением некоторых параметров и...
Справочник. — М.: Энергоиздат, 1982. — 904 с. Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные эксплуатационные данные и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых транзисторов широкого применения. Для широкого круга специалистов по электронике, автоматике, радиотехнике, измерительной технике, занимающихся разработкой, эксплуатацией и ремонтом...
Справочник. — 2-е изд., перераб. — Москва: Энергоатомиздат, 1985. — 904 с. Приведены электрические параметры, габаритные размеры, предельные данные и другие характеристики транзисторов широкого применения. По сравнению с изданием 1983 г. внесены изменения, связанные с корректировкой старых и введением новых стандартов и технических условий, уточнением некоторых параметров и...
Москва.
Связь.
1971.
243 с.
Рассматриваются вопросы теории нелинейных явлений, возникающих в основных транзисторных схемах приемно-передающего тракта аппаратуры связи. Исследовано влияние свойств транзистора, конфигурации схемы, параметров генераторов частот в выходном спектре каскадов, для различных случаев. Приведены методики расчета основных каскадов, направленная на...
М., Мир, 1992 г. 565 стр. В книге специалиста из США излагаются вопросы анализа и расчета транзисторных и линейных интегральных схем. Изложение ведется последовательно - от физических основ полупроводниковой электроники и принципов действия транзистора до расчета многокаскадных усилителей, усилителей мощности, источников питания, резонансных и операционных усилителей. Материал...
М.: Радио и Связь, 1988. — 496 с.: ил. ISBN: 5-256-00136-1 (рус.) ISBN: 89006.090.8 (англ.) Книга ведущих специалистов из многих стран охватывает широкий круг вопросов, отражающих современное состояние проектирования и технологии изготовления полевых транзисторов на арсениде галлия.
М.: Радио и связь, 1988. — 496 с.: ил. — ISBN: 5-256-00136-1. Книга ведущих специалистов из многих стран охватывает широкий круг вопросов, отражающих современное состояние проектирования и технологии изготовления полевых транзисторов на арсениде галлия, а также интегральных схем на их основе. Для инженерно-технических работников, занимающихся проектированием, изготовлением и...
Методические указания. — Томск: ТУСУР, 2022. — 31 с. Представлены методические указания по выполнению лабораторной работы «Интермодуляционные искажения полевого транзистора» по дисциплине «Автоматизированное проектирование СВЧ устройств». Предназначено для студентов обучающихся по направлению подготовки магистратура 11.04.01 — «Радиотехника», 11.04.02 – «Инфокоммуникационные...
Методические указания. — Томск: ТУСУР, 2022. — 27 с. Представлены методические указания по выполнению лабораторной работы «Определение характеристик полевого транзистора на основе нелинейной модели» по дисциплине «Автоматизированное проектирование СВЧ устройств». Предназначено для студентов обучающихся по направлению подготовки магистратура 11.04.01 — «Радиотехника», 11.04.02 —...
Под ред. С. Я. Шаца. — М.: Советское радио, 1973. — 208 с. Книга посвящена изложению основ теории и схемотехники новых типов быстродействующих полупроводниковых негатронов — лавинных транзисторов. В ней анализируются статические S- и N-образные вольт-амперные характеристики транзисторов в лавинном режиме работы и динамические характеристики в переключающих схемах. Описаны...
М., Советское радио, 208 с., 1973. Книга посвящена изложению основ теории и схемотехники новых типов быстродействующих полупроводниковых негатронов - лавинных транзисторов.
Статья. — Силовая электроника. — 2011 №3. — СПб.: ООО "Издательство Файнстрит". – C. 18-28. С 1970-х годов, когда в СССР были созданы, детально изучены и запущены в серию первые в мире полевые транзисторы большой мощности, они начали превращаться из маломощных «недоносков» с высоким входным сопротивлением и в остальном уступающих биполярным транзисторам, в приборы с уникально...
Монография. — М.: СОЛОН-Пресс, 2010. — 240 с.: ил. — (Компоненты и технологии). — ISBN: 978-5-91359-004-6. Справочная монография, отражающая почти 60-летний период разработки и развития одного из старейших негатронов — однопереходного транзистора (ОПТ) и его схемотехнических аналогов. Впервые, наряду с описанием обычных ОПТ (двухбазовых диодов), детально описаны новейшие...
М.: СОЛОН-Пресс, 2008. — 240 с. — (Компоненты и технологии). — ISBN: 978-5-91359-004-6.
Справочная монография, отражающая почти 60-летний период разработки и развития одного из старейших негатронов — однопереходного транзистора (ОПТ) и его схемотехнических аналогов. Впервые, наряду с описанием обычных ОПТ (двухбазовых диодов), детально описаны новейшие программируемые ОПТ,...
С. Ф. Ермаков, В. Е. Минин, Г. С. Гаврилов; М-во образования Респ. Беларусь, Белорус. гос. ун-т трансп. – Гомель: БелГУТ, 2008. – 72 с.
Приведены краткие теоретические сведения и порядок проведения лабораторных исследований биполярных транзисторов и усилительных каскадов на их основе.
Предназначен для студентов специальности "Автоматика, телемеханика и связь на транспорте".
М.: Радио и связь, 1985. — 176 с.: ил. Рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. Приводятся области применения таких транзисторов. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и применением мощных высокочастотных...
Под ред. Е.З.Мазеля. - М.: Радио и связь, 1985. - 176 с., ил. Рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. Приводятся области применения таких транзисторов. Для инженерно-технических работников, занимающихся разработкой и применением мощных...
2-е издание, переработанное и дополненное. — Москва: Радио и связь, 1984. — 216 с. Рассмотрены особенности характеристик и применения основных типов отечественных полевых транзисторов практически во всех возможных режимах работы. Приведены методики расчета узлов аппаратуры выполненных на полевых транзисторах. По сравнению с первым изданием (1979 г. ) расширен материал по...
Москва: Связь, 1979. — 192 с.: ил. В книге рассмотрены вопросы теории и применения полевых транзисторов, работающих в режиме управляемого сопротивления, управляемой крутизны, усиления, ключа, в режиме с прямыми токами затвора и комбинированном режиме. Приведены результаты исследования свойств более десяти типов отечественных полевых транзисторов. Рассмотрены особенности...
Новосибирск: Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2008. — 319 с. В монографии рассматриваются типы, характеристики и свойства полевых транзисторов (ПТ). Уточняется теория ПТ, работающих в режимах управляемого сопротивления, усиления, с прямыми токами затвора и подложки, а также, в предложенном автором, - комбинированном режиме. Рассматриваются...
М.: Советское радио, 1978. — 136 с. с ил. Книга содержит сведения о физических процессах в транзисторах и особенностях их использования в микрорежимах в различных устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Рассматриваются вольт-амперные характеристики и основные параметры биполярных и полевых транзисторов в микрорежиме. Показаны возможности и методы построения микромощных...
Московский государственный технический университет им Н.Э. Баумана, Калужский филиал Пояснительная записка к курсовой работе по курсу «Физика полупроводниковых приборов» на тему: «Идентификация параметров математических моделей биполярных транзисторов КТ209Л, КТ342Б и полевого транзистора КП305Е». В ходе выполнения курсовой работы получить знания в области своей будущей...
УГАТУ, Уфа, Кафедра Э и БТ, 2017, 10 с., Степанов И.В. Дисциплина «Электроника» Определение основных характеристик полевых транзисторов с управляющим электрическим переходом.
Курсовая работа - Использование МОП-транзисторов.
СумДУ, Опанасюк О. О. , 27 страниц.
Содержание:
Введение.
теория полупроводников.
моп – Транзисторы.
использование моп – Транзисторов.
выводы.
литература.
СШФ СФУ, Саяногорск/Россия, преподаватель Четин К.Ю., 7 стр.
Дисциплина: Информационно-измерительная техника.
Лабораторная работа.
Исследование зависимости тока коллектора от тока базы и напряжения база-эмиттер.
Анализ зависимости коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора.
Исследование работы биполярного транзистора в режиме отсечки.
Получение входных...
БГУИР, Минск/Беларусь - 2011 г.
Преподаватели: Русакович В. Н., Березовский В.Т., Дрюк Л. С., Валенко В.С. и др.
Электронные приборы (ЭП).
Содержание:
Цель работы
Расчётные формулы
Схема установки
Результаты измерений
Результаты расчетов
Вывод
Цель работы: изучить работу ВАХ транзистора и определение h-параметров
Общие сведения. Принцип работы полевого транзистора основан на использовании носителей заряда одного наименования, движение которых осуществляется через канал с изменяющейся посредством поперечного электрического поля проводимостью.
Исследование полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, ВАХ полевого транзистора с управляющим p-n-переходом Кп103м. Определить по ВАХ унитрона S,Ri, µ,Uзио
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 2010, 6с. Цель работы: Изучить структуру, принцип действия полевых транзисторов, а также область их применения. Экспериментально исследовать статические характеристики и определить дифференциальные параметры полевых транзисторов. Изучена структура, принцип действия полевых транзисторов, область их...
БГУИР, Минск/Беларусь - 2011 г.
Преподаватели: Русакович В. Н., Березовский В.Т., Дрюк Л. С., Валенко В.С. и др.
Электронные приборы (ЭП).
Содержание:
Цель работы
Расчётные формулы
Схема установки
Результаты измерений
Результаты расчетов
Вывод
Цель работы Исследовать характеристики и параметры транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ) и изучить влияние температуры окружающей среды на ход характеристик. В работе снимаются входные и выходные характеристики транзистора в схеме ОЭ при комнатной температуре и превышающей комнатную на 20 – 30 С. По полученным характеристикам определяются hЭ – параметры
Исследование транзистора КТ363А при заданной рабочей точки входных и выходных характеристик, расчет постоянных составляющих, расчет параметров на низких, средних и высоких частотах. Выявления линейных искажений, сравнение теоретически полученных данных с моделированными с помощью программы Electronic WorkBench 3.2, получение допустимых погрешностей с использованием стандартного...
Bipolar Power Transistors for Switching Power Supplies Using a crystal mesh pattern, Toshiba has reduced the storage time (tstg) and fall time (tf) of 400-V and 800-V power transistors for switching power supplies. In addition, we have developed power transistors in a low-profile package. These types of transistor are suitable for low-output AC adapters and ballast lamp...
Национальный исследовательский Томский политехнический университет. Ассистент Кожемяк О.А. Презентация к лекции по учебной дисциплине «Электроника». –28с. 2016г. Биполярные транзисторы (BJT)
Национальный исследовательский Томский политехнический университет. Ассистент Кожемяк О.А. Презентация к лекции по учебной дисциплине «Электроника». –22с. 2016г. Полевые транзисторы (ПТ)
Под ред. Я.А. Федотова. — М.: Советское радио, 1973. — 336 с. Изложены основы планарной технологии и законы распределения примесей в транзисторах. Подчеркнуты особенности изготовления кремниевых планарных ВЧ и СВЧ транзисторов. Проведен анализ физических процессов, обусловливающих изменения параметров в зависимости от режима работы. Описаны особенности переходных процессов и...
Под ред. Я.А. Федотова. — М.: Советское радио, 1973. — 336 с. Изложены основы планарной технологии и законы распределения примесей в транзисторах. Подчеркнуты особенности изготовления кремниевых планарных ВЧ и СВЧ транзисторов. Проведен анализ физических процессов, обусловливающих изменения параметров в зависимости от режима работы. Описаны особенности переходных процессов и...
В 2-х частях. — Учебно-методическое пособие. — Минск: БГУИР, 2011. — 68 с. Пособие посвящено расчету и проектированию биполярных структур. Основой пособия послужил материал дисциплины «Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем», читаемой автором студентам 4-го курса специальностей «Микро- и наноэлектронные технологии и системы» и «Квантовые информационные...
Учебно-методическое пособие по дисциплине «Физика полупроводниковых приборов» для студентов специальностей «Квантовые информационные системы» и «Микро- и наноэлектронные технологии и системы» дневной и заочной форм обучения. — Минск: БГУИР, 2006. — 104 с.
В пособии рассмотрены электронные приборы, изготовленные на основе полупроводниковых соединений GaAs и GaN, которые...
Учебное пособие. — Минск: БГУИР, 2016. — 196 с. В первой части рассматриваются вопросы физики работы биполярных и полевых структур с элементами расчета маломощных приборов НЧ и ВЧ диапазонов. Большое внимание уделено эффектам короткого канала МОП транзисторов, потери мощности в КМОП схемах, а также физике и конструкции полевых транзисторов с барьером Шоттки. Данное учебное...
Учебное пособие. — Минск: БГУИР, 2012. — 96 с. Пособие посвящено расчету и проектированию полевых транзисторов. В основе – материал дисциплины «Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем», читаемой студентам 4-го курса БГУИР специальностей «Микро- и наноэлектронные технологии и системы» и «Квантовые информационные системы». Пособие также может быть полезно при...
Учебное пособие. — В 2-х частях. — Минск: БГУИР, 2016. — 158 с. В учебном пособии приводится подробный сравнительный анализ электрических характеристик различных приборов силовой электроники: тиристоров, биполярных и полевых транзисторов, с изолированным затвором. Рассматриваются электрические и конструктивные параметры гетеробиполярных и гетерополевых транзисторов на основе...
Метод. указания к лабораторной работе. — Самара: Самар. аэрокосм. ун-т, 2002. — 15 с. Приведены теоретические сведения по анализу схем включения транзисторов с общей базой, общим коллектором и общим эмиттером. Описан порядок расчета параметров эквивалентных схем замещения. Даны понятия h-параметров транзисторов. Предназначены для студентов спец. 20.07.00 (Радиотехника) и 20.15.00...
Издание 2-е, исправленное Москва: Техносфера, 2011. - 800 с., ISBN: 978-5-94836-289-2 В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ...
Таблица с основными параметрами транзисторов, позволяет быстро подобрать нужный транзистор по эксплуатационным или предельным параметрам, оформлен в виде таблицы.
Методические указания к выполнению лабораторных работ по Электротехнике , МарГТУ, Йошкар-Ола, 1995г , 16 стр.
Определены цели и задачи изучения биполярных транзисторов, приведены краткие теоретические сведения, необходимые для понимания принципа действия, описана методика проведения экспериментов по исследованию характеристик и параметров транзисторов.
Перевод с немецкого В.Н. Белоусова, Л.Н. Кореневского, В.С. Фролова. — Москва; Ленинград: Энергия, 1964. — 384 с. В книге изложены основные принципы построения и расчета наиболее распространенных схем, выполняемых на транзисторах. Большое внимание уделено как общим вопросам конструирования схем, так и вопросам применения транзисторов в различных областях радиотехники, телевидения,...
Пер. с нем. В.Н. Белоусова, Л.Н. Кореневского, В.С. Фролова. — М.; Л.: Энергия, 1964. — 386 с. В книге изложены основные принципы построения и расчета наиболее распространенных схем, выполняемых на транзисторах. Большое внимание уделено как общим вопросам конструирования схем, так и вопросам применения транзисторов в различных областях радиотехники, телевидения, измерительной...
Киев : Наукова Думка, 1967. — 107 с. Полупроводниковый триод (транзистор) — неизбежный элемент современной радиоэлектронной аппаратуры. В основу многих схем счетно-решающих устройств и кибернетических машин положены полупроводниковые приборы. Но этим не ограничивается область применения транзисторов, они нашли широкое распространение во всех отраслях техники. В брошюре...
Киев: Наукова думка, 1967. — 106 с. Полупроводниковый триод (транзистор) — неизбежный элемент современной радиоэлектронной аппаратуры. В основу многих схем счетно-решающих устройств и кибернетических машин положены полупроводниковые приборы. Но этим не ограничивается область применения транзисторов, они нашли широкое распространение во всех отраслях техники. В брошюре...
БГУИР, Минск, 2014 г., 28 стр.
В данной курсовой работе рассматривается коэффициент усиления по току мощных биполярных транзисторов, а также методы его увеличения.
Рассматривается общее представление о мощных БИП-транзисторах. Более подробно описывается конфигурация эмиттера, гетеропереходы эмиттер-база. Также рассматривается схема Дарлингтона, одна из схем составных...
Справочное пособие. — М: Солон-Пресс, 2006. Рассмотрены свойства и особенности биполярных и полевых транзисторов (с р-п переходом, МОП, биполярных транзисторов со статической индукцией и с изолированным затвором), предназначенных для применения в бытовой промышленной и специальной аппаратуре, приведены их электрические параметры, область применения, стандартизированные корпуса...
М.: Связь, 1969. — 624 с. Настоящее издание отличается от предыдущего описанием большего количества транзисторов и большей полнотой сведений по ним. Все справочные материалы приведены по новой системе, содержащей научно обоснованный минимум параметров. В справочник включены отсутствовавшие ранее данные по импульсным напряжениям, токам и мощностям, параметры инверсного включения,...
Методические указания. – Самара: Издательство Самарского университета, 2024. – 14 с. Методические указания направлены на получение обучающимися практических навыков в курсе «Электроника и схемотехника», содержат примеры и варианты заданий, направленные на повышение качества усвоения материала, предназначены для изучения методов конструирования усилительного каскада на основе...
Справочное пособие. — Минск: Вышэйшая школа, 1989. — 302 с. Помещены сведения об электрических параметрах, предельно допустимых режимах и корпусном исполнении кремниевых биполярных транзисторов, выпускаемых в СССР и ведущими зарубежными фирмами. Описывается более 8000 транзисторов.
Минск: "Вышейшая школа", 1989 г. , 302 с. Помещены сведения об электрических параметрах, предельно допустимых режимах и корпусном исполнении кремниевых биполярных транзисторов, выпускаемых в СССР и ведущими зарубежными фирмами. Описывается более 8000 транзисторов.
Презентация для студентов по теме "Одноэлектронный транзистор" , 5 стр. Ивановский Государственный Университет. По специальности: 010701.65 – «Физика», 5 курс
М.: Радио и связь, 1985. - 288 с., ил.
В книге американского специалиста рассматриваются принципы работы, конструктивно-технологические особенности и характеристики основных типов мощных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом и МДП-структурой, описываются их модели различной сложности и назначения, схемотехника многочисленных устройств, для которых наиболее перспективно...
Пер. с англ. — М.: Радио и связь, 1985. — 288 с. В книге американского специалиста рассматриваются принципы работы, конструктивно-технологические особенности и характеристики основных типов мощных полевых транзисторов с управляющим р-п переходом и МДП-структурой, описываются их модели различной сложности и назначения, схемотехника многочисленных устройств, для которых наиболее...
Цель работы: Изучение принципа действия биполярных транзисторов; освоение методов получения вольт-амперных характеристик и расчёта основных параметров транзисторов. Задание 1: Получение входных вольт-амперных характеристик для схемы включения биполярного транзистора с общим эмиттером. а) собрать схему для получения статических ВАХ биполярного транзистора 2N3440, включённого по...
Без автора. — М.: МГУ, Физический факультет, кафедра физической электроники. — 18 с. Методическая разработка специального физического практикума кафедры физической электроники. Введение. Теория. Поверхностные состояния. С-V метод определения плотности поверхностных состояний. Эксперимент. Эквивалентная схема МДП структуры и построение теоретической C-V-характеристики....
Методическое пособие к лабораторным работам. — Казань: КФУ, 2016. — 19 с. Методическая разработка предназначена для студентов, обучающихся по направлениям бакалавриата 03.03.02 «Физика» и 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» при выполнении лабораторных работ по дисциплинам «Физика конденсированного состояния», «Физические основы микро- и наносистемной техники».
Методическое пособие к лабораторным работам. — Казань: КФУ, 2016. — 21 с. Методическая разработка предназначена для студентов, обучающихся по направлениям бакалавриата 03.03.02 «Физика» и 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» при выполнении лабораторных работ по дисциплинам «Физика конденсированного состояния», «Физические основы микро- и наносистемной техники».
Перевод с немецкого В. С. Заседа.
Под редакцией И. А. Палекова.
Москва. Издательство "Советское Радио" - 1973 год. 505 страниц.
Более подробно, чем уже в изданных книгах, рассматриваются принципы действия и параметры биполярных транзисторов, а также физика происходящих в них процессов. Большое влияние уделяется методам изготовления транзисторов. Подробно излагается планарная...
Справочник. — М.: Солон; Микротех, 1994. — 272 с.: ил. Приведены сведения о назначении новых биполярных и полевых транзисторов, их электрические и эксплуатационные характеристики, зависимость параметров от режимов, температуры и частоты, особенности монтажа, габаритные чертежи предельные режимы эксплуатации. Приведена таблица аналогов. Книга полезна радиолюбителям, разработчикам...
Справочник. — М.: Солон; Микротех, 1994. — 272 с.: илл. Приведены сведения о назначении новых биполярных и полевых транзисторов, их электрические и эксплуатационные характеристики, зависимость параметров от режимов, температуры и частоты, особенности монтажа, габаритные чертежи предельные режимы эксплуатации. Приведена таблица аналогов. Книга полезна радиолюбителям, разработчикам...
Москва: Радио и связь, 1981. — 656 с.: ил. Приведены справочные данные 200 биполярных и 21 полевого типов транзисторов. Предназначена для широкого круга читателей, занимающихся разработкой и эксплуатацией электронной аппаратуры, полезна также и студентам ВУЗов.
М.: ИП РадиоСофт, 2011. — 384 с. — ISBN: 978-5-93037-198-7. Книга представляет собой исправленное и расширенное издание справочника «Аналоги отечественных и зарубежных транзисторов». Для удобства работы с изданием приводятся прямой (отечественный прибор — зарубежный аналог) и обратный (зарубежный прибор — отечественный аналог) перечни приборов, построенные в алфавитно-цифровой...
Справочник. — М.: РадиоСофт, 1999. — 320 с.: ил. — ISBN 5-93037-026-5. В настоящем справочнике приведены перечни различных классов отечественных транзисторов и их зарубежных аналогов с указанием фирм-изготовителей, а так же зарубежных транзисторов и их отечественных аналогов. Для удобства работы книга разделена на две части. В первой части приведены зарубежные аналоги...
Справочник. — М.: РадиоСофт, 1999. — 320 с.: ил. — ISBN 5-93037-026-5. В настоящем справочнике приведены перечни различных классов отечественных транзисторов и их зарубежных аналогов с указанием фирм-изготовителей, а так же зарубежных транзисторов и их отечественных аналогов. Для удобства работы книга разделена на две части. В первой части приведены зарубежные аналоги...
Справочник. 2-е изд. — М.: РадиоСофт, 2011. — 384 с. — ISBN 978-5-93037-198-7. Книга представляет собой исправленное и расширенное издание справочника «Аналоги отечественных и зарубежных транзисторов». Для удобства работы с изданием приводятся прямой (отечественный прибор — зарубежный аналог) и обратный (зарубежный прибор — отечественный аналог) перечни приборов, построенные в...
Справочник. 2-е изд. — М.: РадиоСофт, 2011. — 384 с. — ISBN 978-5-93037-198-7. Книга представляет собой исправленное и расширенное издание справочника «Аналоги отечественных и зарубежных транзисторов». Для удобства работы с изданием приводятся прямой (отечественный прибор – зарубежный аналог) и обратный (зарубежный прибор – отечественный аналог) перечни приборов, построенные в...
РадиоСофт,1998г. ,832с. В первом томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные свойства иностранных маломощных биполярных транзисторов. Габаритные объемы корпусов указаны в русском стереотипе, с указанием допусков по достоверным сведениям компаний производителей. В справочнике наличествуют помимо прочего иностранные аналоги транзисторов (при этом...
РадиоСофт,1998г. ,896с. Во втором томе пятитомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики иностранных сильных биполярных транзисторов. Габаритные объемы корпусов с предельными отклонениями указаны в русском стереотипе. В справочнике помещены ассортимент фирм-изготовителей и перечень иностранных аналогов выпускающихся и снятых с производства...
Справочное пособие. - М.: Радио и связь, 1993. - 224с.
В данном пособии приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов – полевых и биполярных низкочастотных, высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов малой, средней и большой мощности. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и...
Справочник в 4 т. Том 2. Издание второе. М.: РадиоСофт, 2000, 544 с. Во втором томе четырехтомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов - биполярных транзисторов средней и большой мощности НЧ. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных...
Справочник в 4 т. Том 1. Издание второе. М.: РадиоСофт, 2000, 688 с. В первом томе справочника приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов - полевых и биополярных транзисторов малой мощности. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся...
Справочник в 4 т. Том 3. Издание второе. М.: РадиоСофт, 2000, 672 с. В третьем томе четырехтомного справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики полупроводниковых приборов - полевых и высокочастотных биполярных транзисторов средней и большой мощности. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике...
Вильнюс: Мокслас, 1985. — 112 с. Проблема повышения быстродействия и производительности технических средств обработки цифровой информации - одна из наиболее актуальных в современной электронике. Решение этой проблемы в основном зависит от повышения быстродействия и степени интеграции элементной базы цифровой электроники, и в частности - повышения быстродействия транзисторов. Книга...
Доцент Гребенников В.В. Национальный исследовательский Томский политехнический университет. Томск. Россия. Учебная дисциплина «Электроника». 2016г. –22с. Принцип действия Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) Принцип действия транзистора с управляющим p-n-переходом Вольт-амперные характеристики ПТ с управляющим p-n-переходом Основные параметры полевого...
Без автора. — М.: МГУ, Физический факультет, кафедра физической электроники. — 17 с. Методическая разработка специального физического практикума кафедры физической электроники. Теория. Устройство МДП транзистора. Качественный анализ работы МДП транзистора. Уравнение для вольт-амперных характеристик МДП транзистора. Модуляция длины канала. Генерация и рекомбинация носителей в...
ЧДТУ, спеціальність- радіотехніка, заочне відділення, 5-й семестр, 3-й курс, предмет- компоненти бази радіоелектронних засобів. Класифікація польових транзисторів, Принцип роботи, Основні параметри та характеристики, Схеми включення та режими роботи польових транзисторів, Застосування польових транзисторів. Виконав: Грозовський В. А.
Шахты: Изд-во ЮРГУЭС, 2003. В учебном пособии рассматриваются физические процессы, основные параметры, характеристики и эквивалентные схемы наиболее распространенных в современной радиоэлектронной аппаратуре биполярных и полевых транзисторов. Пособие предназначено для изучения соответствующего раздела курсов «Радиоматериалы и радиокомпоненты», «Электроника», «Электротехника и...
Учебно-методическое пособие. — Казань: КГТУ, 2001. — 41 с. Пособие предназначено для проведения практических занятий по электронике в дисциплине "Электроника и микропроцессорная техника" федеральной составляющей Государственного образовательного стандарта по направлению подготовки дипломированного специалиста 653700 - "Приборостроение" Данное пособие может быть полезным для...
Основные характеристики полевого транзистора с изолированным затвором.
Основные физические ограничения в МОП-транзисторах.
Полевой транзистор с управляющим p-n переходом.
Новые разработки в полевых транзисторах.
МарГТУ, 2007
Авторы в издании не указаны. — Перевод с английского К.Г. Меркулова, В.М. Придорогина, Э.И. Рувиновой. — Москва: Энергия, 1969. — 590 с. Редакторы оригинального издания: Joseph A. Walston, John R. Miller. Книга посвящена вопросам инженерного расчета и конструирования схем на транзисторах. Изложены наиболее важные элементы теории транзисторов. Значительный раздел посвящен...
Основные понятия. Назначение элементов и принцип работы усилительного каскада по схеме с ОЭ. Задание на работу. Порядок расчета транзисторного усилителя по схеме с ОЭ.
ДВГУПС, Хабаровск, 2014, 7 с. Рассчитать основные статические параметры транзистора ГТ-109А, а также показатели динамического режима транзисторного усилителя с использованием данного транзистора графоаналитическим методом. Составить принципиальную схему усилительного каскада, предусмотрев на ней элементы, обеспечивающие начальный режим (точку покоя) и температурную стабилизацию...
ДВГУПС, Хабаровск, 2014, 8 с. Рассчитать основные статические параметры транзистора КТ-203А, а также показатели динамического режима транзисторного усилителя с использованием данного транзистора графоаналитическим методом. Составить принципиальную схему усилительного каскада, предусмотрев на ней элементы, обеспечивающие начальный режим (точку покоя) и температурную стабилизацию...
Задача 1: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
построить линию нагрузки;
построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на...
М.:Энегрия, 1969. В книге изложены вопросы, связанные с работой и конструированием бестрансформаторных транзисторных усилителей низкой частоты. Приведены примеры расчета.
Учебно-методическое пособие к лабораторной работе / С.Ю. Ситников, Ю.К. Ситников, О.Н. Шерстюков. - К.: КФУ, 2018. – 14 с. Рассматриваются структура транзисторов и особенности их вольтамперной характеристики. Приводятся описания структуры полупроводниковых материалов и устройства транзисторов. Дано описание лабораторной установки. Сформулированы задания для выполнения...
Киев: Техника, 1969. — 300 с. Рассматриваются основные вопросы теории биполярных транзисторов с двумя p-n-переходами. Описываются электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно анализируются процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, эквивалентные схемы и импульсный режим работы дрейфовых и бездрейфовых...
Киев: Техника, 1969. — 300 с. Рассматриваются основные вопросы теории биполярных транзисторов с двумя p-n-переходами. Описываются электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно анализируются процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, эквивалентные схемы и импульсный режим работы дрейфовых и бездрейфовых...
2-е, испр. и доп. — Киев: Техника, 1975. — 260 с. Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные...
2-е, испр. и доп. — Киев: Техника, 1975. — 260 с. Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные...
Москва: Советское радио, 1964. — 304 с. Рассматривается теория, технология изготовления, эквивалентные схемы, частотные свойства и температурные зависимости параметров маломощных дрейфовых транзисторов. Книга предназначена для инженеров, занимающихся разработкой и применением схем на транзисторах, производством и конструированием транзисторов, а также для студентов высших...
Москва: Советское радио, 1964. — 304 с. Рассматривается теория, технология изготовления, эквивалентные схемы, частотные свойства и температурные зависимости параметров маломощных дрейфовых транзисторов. Книга предназначена для инженеров, занимающихся разработкой и применением схем на транзисторах, производством и конструированием транзисторов, а также для студентов высших...
На английском языке.
TMOS Power MOSFETs with new advances in silicon and
packaging technology, MOTOROLA, стр.1183
Справочник по мощным TMOS, MOSFET транзисторам, рассмотрены устройства с напряжением D-S до 1200 V, представлено семейство HDTMOS стандартных и логических входных уровней, N и P - канальных в корпусе SO-8, DPAK и D2PAK с планарной установкой, а также в стандартных...
Полный официальной каталог мощных транзисторов от ON Semiconductor на 2001 год.
Приведены все электрические и геометрические параметры.
Расшифровки обозначений и т. п.
Всего страниц: 791.
2-е издание, переработанное и дополненное. — Москва: Энергия, 1967. — 615 с. В книге проводятся анализ и расчет основных типов транзисторных усилителей, импульсных схем и источников питания. Анализу указанных схем предшествует подробное рассмотрение физических процессов в полупроводниках, полупроводниковых диодах и транзисторах и характеристик диодов и транзисторов в качестве...
Перевод с польского — Под ред. Ю. А. Каменецкого. — М.: Советское радио, 1976. — 288 с. Рассмотрены общие принципы и методы измерений различных параметров транзисторов; описаны измерения транзисторов в диапазоне от очень низких частот до СВЧ, а также измерения импульсных параметров транзисторов как в лабораторных, так и в производственных условиях. Ряд разделов посвящен...
М:, Связь, 1967, -64с.
В брошюре рассматриваются причины возникновения флуктуации в транзисторах. На примере каскадного включения их поясняются пути и средства проектирования малошумящих электрических цепей, в частности, групповых усилителей сигналов связи. Излагается метод определения шумовых параметров транзисторов, основывающийся на измерении экстремальных значений...
Москва: Связь, 1967. — 64 с. В брошюре рассматриваются причины возникновения флуктуации в транзисторах. На примере каскадного включения их «поясняются пути и средства проектирования малошумящих электрических цепей, в частности, групповых усилителей сигналов связи. Излагается метод определения шумовых параметров транзисторов, основывающийся на измерении экстремальных значений...
ВлГУ 2011, специальность: вычислительная техника, 4 курс
Цели:
Изучить последовательность операций изготовления интегральных микросхем на МДП транзисторах.
Изучить технологические операции изготовления МДП ИМС.
Ознакомиться с технологией КМДП ИМС на различных стадиях технологического процесса.
Ознакомиться с материалами, применяемыми при изготовлении МДП ИМС.
Произвести...
Режимы работы и схемы включения. Физические процессы. Статические характеристики. Параметры в режиме малых сигналов. Частотные свойства. Дифференциальные параметры. Основные малосигнальные уравнения. Усилительный каскад. Схема с общим эмиттером. Принцип работы и основные параметры. Нелинейные искажения. Обратная связь. Рабочая точка. Частотные характеристики. Прилагается файл с...
НГТУ Кафедра автоматики и вычислительной техники Определение режима работы транзистора - Рассчитать один из неизвестных токов по первому закону Кирхгофа: - Рассчитать напряжения на электродах транзистора относительно общей точки по второму закону Кирхгофа и закону Ома с учетом знаков падений напряжений на резисторах: - Определить величины и знаки напряжений на переходах...
Транзистор как линейный четырехполюсник.
Система Z – параметров.
Система Y – параметров.
Система H – параметров.
Связь между системами параметров транзистора.
Связь между параметрами в различных схемах включения.
Связь между H – параметрами транзистора в различных схемах включения.
Определение h – параметров транзистора по характеристикам.
П – образная эквивалентная схема...
УГАТУ, Уфа, 2018, 11 с. Транзистор как линейный четырехполюсник Система H – параметров Связь между H – параметрами транзистора в различных схемах включения Определение h – параметров транзистора по характеристикам Система Y – параметров
Доцент Гребенников В.В. Национальный исследовательский Томский политехнический университет. Томск. Россия. Учебная дисциплина «Электроника». 2016г. –28с. Определение Биполярные транзисторы (BJT) Режимы работы биполярного транзистора Схемы включения биполярного транзистора Статические вольт-амперные характеристики биполярного транзистора Схемы для снятия ВАХ биполярного...
Томский политехнический университет. Презентация к лекции. 65 слайдов. 2014 г.
Общие сведения о транзисторах
Схемы включения транзистора
Статические характеристики биполярного транзистора
Статические характеристики для схемы с общей базой
Статические характеристики с общим эмиттером
Режимы работы транзистора
Выбор рабочего режима работы транзистора
Режимы работы...
М.: Энергия, 1971. - Изд. 2-е, перераб. и доп.
Оглавление.
Глава первая. Основные физические параметры полупроводников и соотношения полупроводниковой электроники.
Глава вторая. Расчет р-п переходов.
Глава третья. Эквивалентные схемы и характеристические параметры транзисторов.
Глава четвертая. Расчет бездрейфовых транзисторов.
Глава пятая. Расчет дрейфовых транзисторов....
1992 г.
Приведены справочные данные по мощным полевым транзисторам (ПТ) и схемы управления ПТ (в том числе интегральные модули), рассмотрены электронные устройства на основе ПТ, определены методы и схемы защиты ПТ. Основное содержание каталога составляют материалы фирм "Motorola" и "Mitsubishi"
2-е изд., дополненное. — Москва: Связь, 1968. — 249 с. В книге изложены инженерные методы оценки переходных процессов в каскадах с тремя основными способами включения транзисторов в схему: с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Предлагаемое второе издание по отношению к первому дополнено главой о каскаде с эмиттерной противосвязью и несколькими приложениями. Книга...
М.: «Советское радио», 1960. — 431 с.
Монография посвящена рассмотрению основных физических процессов и связанных с ними свойств транзисторов. Кратко рассматриваются вопросы электропроводности полупроводников, технология производства полупроводниковых материалов — германия и кремния — и измерение основных параметров материала, определяющих его использование для изготовления...
Отчет по лабораторной работе по теме «Характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой» по дисциплине «Электротехника и электроника» ВПО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» Трехгорный технологический институт – филиал НИЯУ МИФИ 2011
Отчет по лабораторной работе по теме «Характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером » по дисциплине «Электротехника и электроника» ВПО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» Трехгорный технологический институт – филиал НИЯУ МИФИ 2011
Отчет по лабораторной работе «Характеристики полевого транзистора» по дисциплине «Электротехника и электроника»
ВПО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
Трехгорный технологический институт – филиал НИЯУ МИФИ
2011
Монография. — М.: Мир, 1965. — 430 с. Монография посвящена описанию полупроводниковых переключательных схем, широко используемых в современной счетно-решающей технике для обработки информации, распределения управляющих сигналов, производства вычислительных операций, а также для преобразования непрерывных величин в дискретные. Автором рассмотрено большое количество транзисторных...
2-е изд., доп. — М.: Связь, 1968. — 186 с. Излагаются общие сведения о транзисторных усилителях, рассматриваются цепи их питания, выбор блок-схемы и принципиальной схемы, расчет каскадов мощного и предварительного усилителей, обратная связь, регуляторы усиления и тембра, требования к источникам питания и основы конструкции усилителей. Приводятся примеры расчета и необходимые...
2-е изд., доп. — М.: Связь, 1968. — 186 с. Излагаются общие сведения о транзисторных усилителях, рассматриваются цепи их питания, выбор блок-схемы и принципиальной схемы, расчет каскадов мощного и предварительного усилителей, обратная связь, регуляторы усиления и тембра, требования к источникам питания и основы конструкции усилителей. Приводятся примеры расчета и необходимые...
М.: Энергия, 1980. — 141 с.
Книга содержит в табличной форме сведения об основных электрических параметрах транзисторов отечественного производства.
Приведены габаритные чертежи и цоколевка приборов.
Книга предназначена для широкого круга читателей.
Национальный исследовательский Томский политехнический университет. 2015. 9 с. Презентация к лекции по учебной дисциплине «Электроника». Доцент Глазачев А.В. Структура и основные режимы работы биполярных транзисторов Физические процессы при активном режиме работы Схемы включения транзистора Схема с общей базой Коэффициенты передачи Схема с общим коллектором Статические...
Национальный исследовательский Томский политехнический университет. 2015. 6 с.
Презентация к лекции по учебной дисциплине «Электроника». Доцент Глазачев А.В.
Общие сведения о полевых транзисторах
Полевой транзистор с управляющим р-п переходом
Схемы включения полевых транзисторов
Основные параметры
Изолированный затвор
К.: Вища школа, 1989. – 91 с. Рассмотрены квантовые процессы, обусловленные протеканием стационарного электрического тока через 2-мерную систему на поверхности полупроводника. Разработанная микроскопическая теория замкнутых 2-мерных объектов позволяет объяснить недавно обнаруженные явления квантового эффекта Холла и квантового эффекта поля.
Комментарии