Транзисторы

БГУИР, Минск/Беларусь - 2008 г., 13 стр. Преподаватель: Русакович В. Н. Электронные приборы (ЭП). Содержание: Цель работы Расчётные формулы Схема установки Результаты измерений Результаты расчетов Вывод

Изучение схемотехники усилителей электрических сигналов с использованием биполярных и полевых транзисторов.

Розрахувати схему підсилювального каскаду зі спільним емітером; дослідити роботу у схемі зі спільним емітером біполярного транзистора; ознайомитися з основними параметрами біполярних транзисторів та системами позначення транзисторів.

УГАТУ, Уфа, Кафедра Э и БТ, 2017, 10 с., Степанов И.В. Дисциплина «Электроника» Определение основных характеристик полевых транзисторов с управляющим электрическим переходом.

СШФ СФУ, Саяногорск/Россия, преподаватель Четин К.Ю., 7 стр. Дисциплина: Информационно-измерительная техника. Лабораторная работа. Исследование зависимости тока коллектора от тока базы и напряжения база-эмиттер. Анализ зависимости коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора. Исследование работы биполярного транзистора в режиме отсечки. Получение входных...

БГУИР, Минск/Беларусь - 2011 г. Преподаватели: Русакович В. Н., Березовский В.Т., Дрюк Л. С., Валенко В.С. и др. Электронные приборы (ЭП). Содержание: Цель работы Расчётные формулы Схема установки Результаты измерений Результаты расчетов Вывод

Цель работы: изучить работу ВАХ транзистора и определение h-параметров Общие сведения. Принцип работы полевого транзистора основан на использовании носителей заряда одного наименования, движение которых осуществляется через канал с изменяющейся посредством поперечного электрического поля проводимостью.

Исследование полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, ВАХ полевого транзистора с управляющим p-n-переходом Кп103м. Определить по ВАХ унитрона S,Ri, µ,Uзио

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 2010, 6с. Цель работы: Изучить структуру, принцип действия полевых транзисторов, а также область их применения. Экспериментально исследовать статические характеристики и определить дифференциальные параметры полевых транзисторов. Изучена структура, принцип действия полевых транзисторов, область их...

БГУИР, Минск/Беларусь - 2011 г. Преподаватели: Русакович В. Н., Березовский В.Т., Дрюк Л. С., Валенко В.С. и др. Электронные приборы (ЭП). Содержание: Цель работы Расчётные формулы Схема установки Результаты измерений Результаты расчетов Вывод

Цель работы Исследовать характеристики и параметры транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ) и изучить влияние температуры окружающей среды на ход характеристик. В работе снимаются входные и выходные характеристики транзистора в схеме ОЭ при комнатной температуре и превышающей комнатную на 20 – 30 С. По полученным характеристикам определяются hЭ – параметры

Цель работы: Изучение принципа действия биполярных транзисторов; освоение методов получения вольт-амперных характеристик и расчёта основных параметров транзисторов. Задание 1: Получение входных вольт-амперных характеристик для схемы включения биполярного транзистора с общим эмиттером. а) собрать схему для получения статических ВАХ биполярного транзистора 2N3440, включённого по...

Учебно-методическое пособие к лабораторной работе / С.Ю. Ситников, Ю.К. Ситников, О.Н. Шерстюков. - К.: КФУ, 2018. – 14 с. Рассматриваются структура транзисторов и особенности их вольтамперной характеристики. Приводятся описания структуры полупроводниковых материалов и устройства транзисторов. Дано описание лабораторной установки. Сформулированы задания для выполнения...

ВлГУ 2011, специальность: вычислительная техника, 4 курс Цели: Изучить последовательность операций изготовления интегральных микросхем на МДП транзисторах. Изучить технологические операции изготовления МДП ИМС. Ознакомиться с технологией КМДП ИМС на различных стадиях технологического процесса. Ознакомиться с материалами, применяемыми при изготовлении МДП ИМС. Произвести...

Отчет по лабораторной работе по теме «Характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой» по дисциплине «Электротехника и электроника» ВПО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» Трехгорный технологический институт – филиал НИЯУ МИФИ 2011

Отчет по лабораторной работе по теме «Характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером » по дисциплине «Электротехника и электроника» ВПО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» Трехгорный технологический институт – филиал НИЯУ МИФИ 2011

Отчет по лабораторной работе «Характеристики полевого транзистора» по дисциплине «Электротехника и электроника» ВПО «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» Трехгорный технологический институт – филиал НИЯУ МИФИ 2011