М.: Радио и связь, 1981. — 136 с.: ил. Изложены особенности механизма умножения частоты на нелинейной полупроводниковой емкости. Проанализированы физические процессы в диоде при воздействии больших синусоидальных сигналов и рассмотрены аналитические соотношения между параметрами диода и электрофизическими характеристиками полупроводникового материала. Рассмотрены система...
М.: Советское радио, 1965. — 193 c., с ил. Книга посвящена анализу связи радиотехнических параметров диодов СВЧ диапазона с электрофизическими свойствами полупроводника и геометрическими размерами p-n перехода. Рассмотрению разных типов диодов (видеодетекторов, переключательных, параметрических и туннельных) предшествует подробное изложение теории p-n перехода и...
М.: Советское радио, 1970. Предлагаемая книга посвящена одному из разделов быстро развивающейся в настоящее время полупроводниковой техники СВЧ — широкополосным устройствам управления СВЧ мощностью на p-i-n диодах. Устройства СВЧ на p-i-n диодах появились в начале 60-х годов и нашли широкое применение в различных областях техники СВЧ: в радиолокации и радиоастрономии,...
М.: Связь, 1974. — 72 с. В книге изложены вопросы теории и техники синхронизации СВЧ генераторов на туннельных, лавинно-пролетных и ганновских диодах. Рассмотрены принципы и основные режимы работы этих генераторов, дан краткий обзор методов их исследований в неавтономных режимах. Приведены расчетные соотношения для оценки эффективности синхронизации генераторов на основной...
Москва: Техносфера, 2006. — 352 c. — ISBN: 5-94836-074-1. Представленная монография основана на современных представлениях о технологии изготовления и конструкторско-технологическом проектировании гибридных интегральных схем (ГИС) и микросборок (МСБ) СВЧ-диапазона. В книге изложены перспективные конструкторско-технологические решения, позволяющие по сравнению с традиционными...
М.: Техносфера, 2011. — 256 с.
Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и...
И.И. Бродуленко, А.И. Абраменков, Д.А. Ковтунов, В.Н. Лебедев, А.М. Сергиенко. — Москва: ЦНИИ Электроника, 1989. — 61 с.: ил. — (Обзоры по электронной технике. Серия 1. Электроника СВЧ. Выпуск 10 (1454)). В обзорах [1-б] рассмотрев основные и наиболее актуальные вопросы, связанные с параметрами и характеристиками миниатюрных термостабильных высокодобротных диэлектрических...
Под ред. проф. В.С. Эткина. — Москва: Мир, 1972. — 662 с. В последние годы полупроводниковые приборы находят все большее применение в вычислительных устройствах, радиолокационных системах и системах космической связи. В книге описаны главные физические процессы и проанализированы основные принципы конструирования на примерах конкретных схем. Особую ценность представляет...
Москва.: Связь, 1978. - 256 с., ил. Описан ряд приближенных и точных методов теоретического исследования полупроводниковых линейных и нелинейных устройство с сосредоточенными и респределенными линейными цепями с помощью ЭВМ. Приведены практически важные результаты, полученные при исследовании параметрических систем, усилителей и генераторов на туннельных диодах, детекторов,...
Пер. с англ. д.ф.м.н. В.С. Эткин. — М.: Мир, 1979. — 444 с. Книга отражает прогресс твердотельной СВЧ-электроники в интенсивно развивающейся области твердотельных усилителей и генераторов СВЧ. В этой монографии впервые столь подробно рассматриваются принципы действия, схемные реализации и особенности применения широкого набора приборов, таких, как биполярные и полевые...
М.: Радио и связь, 1984. - 184 с., ил. Рассматриваются вопросы расчета и проектирования СВЧ фазовращателей и переключателей на p-i-n-диодах. Приводятся результаты теоретического и экспериментального исследований характеристик и параметров p-i-n-диодов. Даются постановка задачи анализа и параметрического синтеза данных устройств с применением ЭВМ, а также практические...
М.: Радио и связь, 1986. — 184 с.: ил. Излагаются принципы действия, основные свойства и методы проектирования полупроводниковых диодных генераторов и усилителей СВЧ. Основное внимание уделяется лавинно-пролетным диодам и диодам с междолинным переносом электронов. Рассматриваются характеристики и особенности применения диодных генераторов и усилителей СВЧ, методы модуляции,...
Пер. с англ. Макарова В.В. — Л.: Энергия, 1975. — 304 с.: ил. Книга охватывает широкий круг вопросов, начиная от физических принципов работы полевых приборов различных типов (транзисторов с управляющим p-n- переходом, МОП- транзисторов, плёночных полевых транзисторов) и кончая методами расчёте электронных схем, выполненных на этих приборах. Вопросы теории сопоставлены с данными...
М.: Радио и связь 1984г. 152 стр.
Рецензенты: д. т. н., проф. Сретенский В. И., Попов Е. П., Сахаров С. В.
Излагаются основы работы детекторных СВЧ преобразователей с использованием различных физических явлений в полупроводниках. Даны общие соотношения для расчёта основных характеристик СВЧ преобразователей на полупроводниковых диодах (нелинейных резисторах), включая обращённые...
М.: Радио и связь, 1987. — 119 с.
Рассмотрен принцип действия и методы расчета параметров полупроводниковых выключателей, ограничителей и коммутаторов СВЧ. Исследование проводится с помощью матриц и низкочастотных прототипов устройств. Приведены примеры выполнения выключателей, ограничителей и коммутаторов СВЧ, а также аппаратуры на их основе.
Для инженерно-технических...
М.: Радио и связь, 1989. — 144 с.: ил. — ISBN 5-256-00238-4.
Для инженерно-технических работников, занимающихся конструированием, производством и применением мощных СВЧ-транзисторов.
Рассмотрены методы расчета энергетических и тепловых параметров мощных биполярных транзисторов, предназначенных для работы в непрерывном и импульсном режимах. Описаны конструкции широкополосных...
М.: Радио и связь, 1987. — 112 с. — (Массовая библиотека инженера «Электроника»). Изложены основы построения активных СВЧ фильтров на транзисторах. Проведен анализ зависимости характеристик взаимных и невзаимных фильтров от параметров элементов. Показаны основные способы управления этими характеристиками. Предложены различные методики расчета фильтров. Оценено влияние...
Комментарии