СПб.: БХВ-Петербург, 2012. - 336 с. - ISBN: 978-5-9775-0816-2 Оглавление: Предисловие Часть I - Схемы со светодиодами и семисегментными индикаторами Общие сведения, терминология и технические характеристики Физическое излучение и светотехнические величины Световой поток Сила света Кривая распределения силы света Освещенность Экспозиция Яркость Угол половинного рассеяния Расчет...
Киев: Наукова Думка, 1986. — 180 с. В книге систематизированы и обобщены результаты разработок методов прогнозирования надежности полупроводниковых лавинных диодов и исследование механизмов их деградации. Авторы опираются на собственные исследования и разработки в этой области. Проанализированные различные механизмы деградации полупроводниковых лавинных диодов с p - n переходом,...
Ташкент: Фан, 1968. - 152 с.: ил. В книге рассмотрены принципы действия и перспективы применения широкозонных полупроводниковых материалов типа А3В5 в силовых диодах, транзисторах и тиристорах. Изложены физические основы и конструктивные особенности транзисторов на основе гетеропереходов. Приведены результаты исследования диодов, транзисторов и тиристоров на базе нового...
Небольшая статья, в которой рассказывается о работе полупроводниковых диодов и триодов (транзисторов), замечательных электронных устройств, изобретение которых стало возможным только после кропотливого изучения свойств определенного типа веществ — полупроводников. Сконструированные несколько десятков лет назад, эти устройства в настоящее время стали незаменимыми элементами...
М.: Мир, 1966. — 448 с. Пер. с англ. Н.З. Шварца. Книга является первой попыткой систематизации обширного материала по применению туннельных диодов в радиотехнике и вычислительной технике. Она написана видным американским специалистом по полупроводниковым приборам, автором ряда известных книг по транзисторам. В ней рассмотрены физические явления, происходящие в туннельном...
Комментарии