Ульяновск: УГТУ, 2009. – 38 стр. Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук. Специальность: 05.13.18 Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ. (На правах рукописи). Аннотация. Объектом исследования диссертационной работы является физический процесс воздействия лазерного излучения на пленочные РЭ, применяемого для...
California Institute of Technology, Pasadena, California, 2009. — 234 p. Thesis by In Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Doctor of Philosophy. Historically speaking, the world of extremely low-noise solid-state amplification has been dominated by exotic technologies such as InP and GaAs HEMTs. By cryogenically cooling these devices, it is possible to...
Диссертация на соискание ученой степени доктора физ-мат. наук. С-Пб. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 2002. — 362 с. Специальность 01.04.10 – Физика полупроводников. Цель работы: всестороннее изучение проблем динамики и устойчивости сверхмощных полупроводниковых переключателей микросекундного диапазона, выработка новых адекватных физических представлений,...
Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. — Казань: Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева, 2016. — 132 с. Специальность: 05.11.13 – Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий Научный руководитель: доктор технических наук, профессор Саиткулов В.Г. Цель работы. Повышение...
Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. 1977 DJVU Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Издание 4е переработанное и доп. М., "Энергия" 1977. 672 стр.
Комментарии
Ступельман Полупроводниковые приборы
Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Издание 4е переработанное и доп. М., "Энергия" 1977. 672 стр.