Полупроводниковые приборы

Prentice Hall, 2000. — 666 p. Технология производства полупроводников. Книга известных американских специалистов (Michael Quirk, Julian Serda) охватывает практически все важнейшие аспекты технологии субмикронных СБИС. Несмотря на то, что она написана в 2000 г., до сих пор книга не потеряла своей ценности и актуальности и не только для отечественного читателя, она по прежнему...

Лекционные слайды по темам. Биполярные транзисторы схема замешения. виды диодов. Включение p-n-перехода в обратном. Влияние температуры на вах контакт металл. Вольт-амперная характеристика. Вольт-амперные характеристики транзистора (ВАХ). Динистор. Инерционные свойства транзисторов шум вах при т. Емкости p-n-перехода. МЕП транзисторы ячейка памяти. Модели полевого...

23 слайда. Полупроводники. Полупроводниковый диод. Рекомбинация. Собственная проводимость. Проводники IV группы. Решетка германия. Примеси. Сильно легированные полупроводники. Фотопроводимость полупроводников. Прохождение быстрых частиц через полупроводники. Диффузия носителей. Термоэлектрические явления в полупроводниках. P-N переход.

МИЭТ, Москва, 2012 15 слайдов p-n – переход (симметричный и резкий, при прямом и обратном смещении). Пробой p-n – перехода. Диоды. Условное обозначение. Принцип работы. Вольт-амперная характеристика. Область применения. Биполярные транзисторы. МДП-транзистры.

МИЭТ, Москва, 2012 29 слайдов МДП (МОП) – транзисторы. Сечение. Условное обозначение. Принцип работы. Вольт-амперные характеристики. Топология. Маршрут формирования. КМОП - транзисторы. Маршрут формирования. Сечения. Топология.