Санкт-Петербург: ЛЭТИ СПб, 2015. - 54 с. Высоковольтные GaAs-AlGaAs pin диодные структуры, полученные методом жидкофазной эпитаксии. Темой работы является освоение метода получения высоковольтных GaAs-AlGaAs pin диодных структур методом жидкофазной эпитаксии. Цель данной работы – получение высоковольтных GaAs-AlGaAs pin диодных структур методом жидкофазной эпитаксии в...
Автор не известен. — Методическое указание. — Улан-Удэ: ВСГУТУ, 2000. — 8 с. Цель работы: Снять входные характеристики триода; Снять выходные характеристики триода. Содержание: Устройство и принцип действия полупроводникового триода транзистора. Основные схемы включения транзистора. Снятие выходных характеристик. Контрольные вопросы.
Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. 1977 DJVU Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Издание 4е переработанное и доп. М., "Энергия" 1977. 672 стр.
Комментарии
Ступельман Полупроводниковые приборы
Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. Издание 4е переработанное и доп. М., "Энергия" 1977. 672 стр.