Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (кафедра микро- и наноэлектроники), Москва, проф. Першенков В.С., 2010., 80 слайдов. Дисциплина «Микро- и наноэлектроника». План выступления. МОП транзистор. Поперечное сечение биполярного транзистора. Разделение зарядов e и h электрическим полем. Физические процессы в структуре МДП при воздействии ионизирующего излучения....
Пицунда, М., Улимов В.Н., 2010 г., 4 слайда
Образование первичных дефектов
Образование вторичных радиационных дефектов
Изменение свойств полупроводниковых материалов при облучении
МИФИ, ЭНПО "СПЭЛС". Москва. 2011, 67 слайдов. В презентации рассмотрено воздействие ионизирующих излучений космического пространства на изделия микроэлектроники на борту космических аппаратов: условия космического пространства, механизмы воздействия ионизирующих частиц на электронные компоненты, классификация сбоев и отказов. Приведены экспериментальные данные по сбоям и отказам...
Комментарии