ЗНТУ, Запорожье, Украина, 2012, 15 стр.
Теоретический вопрос: Принцип действия полевого транзистора с р-n переходом.
Задача 1: Изобразите принципиальную схему базового элемента 2И-НЕ на МДП транзисторах с индуцированным каналом n-типа. Составьте таблицу истинности. Приведите вид передаточной характеристики. Объясните, какие параметры ЦИМС можно определить с использованием...
ВоГТУ, Вологда, 2011. - 11стр. Задание
1. Оптимизировать функцию с помощью карты Карно. Нарисовать схему на логических элементах на основе оптимизированной функции. Задание
2. Нарисовать электрическую схему на логических элементах, позволяющую вывести на экран семисегментного индикатора номер поврежденного присоединения.
Комментарии