Зарегистрироваться
Восстановить пароль
FAQ по входу

Теоретические основы электроники

Т
Изобразить и описать последовательность формирования изолированных областей в структуре с диэлектрической изоляцией. Изобразить схему технологического процесса изготовления ИМС эпитаксиально-планарной струк­туры без скрытого слоя. Каким образом осуществляется изоляция в изопланарной структуре. Используется ли эпитаксия при создании КМДП-структуры. Указать недостатки методов...
  • №1
  • 516,90 КБ
  • дата добавления неизвестна
  • описание отредактировано
В этом разделе нет файлов.

Комментарии

В этом разделе нет комментариев.