Wiley, New York, 1992. — 318 p. — ISBN: 9780471573296. The objective of this book is two-fold: to examine key properties of III-V compounds and to present diverse material parameters and constants of these semiconductors for a variety of basic research and device applications. Emphasis is placed on material properties not only of InP but also of InAs, GaAs and GaP binaries.
Cambridge University Press, 2003. — 776 p. — ISBN: 0-521-59350-6. Modern fabrication techniques have made it possible to produce semiconductor devices whose dimensions are so small that quantum mechanical effects dominate their behavior. This book describes the key elements of quantum mechanics, statistical mechanics, and solid-state physics that are necessary in understanding...
Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-New York, 1999, 253 pages (in English) ISBN: 3-540-64166-1 The motivation for the present book was success and usefulness of the new gain medium theory in explaining experiments and designing devices, combined with the complexity in implementing calculations. Into this book integrated the material related with part of original book...
Cambridge University Press — 1998 — 438 p. — ISBN13: 978-0521484916 Low-dimensional systems have revolutionized semiconductor physics and had a tremendous impact on technology. Using simple physical explanations, with reference to examples from actual devices, this book introduces the general principles essential to low-dimensional semiconductors. The author presents a...
San Diego, CA: Academic Press, 1999. — xvii, 426 p. — (Semiconductors and Semimetals 58). The two-volume set is designed to bring together two streams of thought—semiconductors and nonlinear optics—and to bridge the gap between optics and electronics. Practical nonlinear optical devices in semiconductors are on the verge of becoming a reality, as switches, modulators,...
San Diego, CA: Academic Press, 1999. — xiv, 334 p. — (Semiconductors and Semimetals 59). The two-volume set is designed to bring together two streams of thought—semiconductors and nonlinear optics—and to bridge the gap between optics and electronics. Practical nonlinear optical devices in semiconductors are on the verge of becoming a reality, as switches, modulators,...
Oxford et al.: Pergamon Press, 1968.– xii +159 p. The study of deep lying energy band structure from the investigation of the optical properties, in particular the measurement of reflectivity, is a comparatively new field. The authors give an adequately comprehensive coverage of the subject from an experimental viewpoint. For the sake of completeness, brief treatments are also...
3rd edition. - Heidelberg et al.: Springer, 2016. - 998 p. The 3rd edition of this successful textbook contains ample material for a comprehensive upper-level undergraduate or beginning graduate course, guiding readers to the point where they can choose a special topic and begin supervised research. The textbook provides a balance between essential aspects of solid-state and...
Lectures presented at the Second Chania Conference, held in Chania, Crete, June 30–July 14, 1968 New York: Springer Science+Business Media, 1969. - xvi, 459 p. Tunneling in Solids Energy Band Structure of Semiconductors. Interband Magneto-Optics in Small Band Gap Semiconductors and Semimetals Anisotropic Magneto-Optical Effects in Semiconductors with Cubic Symmetry. Calculation...
Lectures presented at the First Chania Conference held at Chania, Crete, July 16–29, 1967 New York: Springer Science+Business Media, 1969. - xx, 483 p. The Interaction of Acoustic and Electromagnetic Waves (“Son et Lumière”) with Plasmas in a Magnetic Field. Intraband Collective Effects and Magnetooptical Properties of Many-Valley Semiconductors. Effects of Band Population on...
London: Chapman and Hall, 1970.– 144 p. The aim of this book is to provide a bridge between the usual textbook on solid state physics with one or two chapters on optical properties, and the specialized review article or original paper. It will be assumed that the reader has some knowledge of electro-magnetic theory and elementary quantum theory. The scope is limited to a treatment...
Academic Press Inc, 1960. — 446 p. This book covers the physics of semiconductors on an introductory level, assuming that the reader already has some knowledge of condensed matter physics. Crystal structure, band structure, carrier transport, phonons, scattering processes and optical properties are presented for typical semiconductors such as silicon, but III-V and II-VI compounds...
Монография. Cambridge, Cambridge University Press, 1991, 595 pp. This book is a graduate text devoted to the main aspects of the physics of recombination in semiconductors. It is the first book to deal exclusively and comprehensively with the subject, and as such is a self-contained volume, introducing the concepts and mechanisms of recombination from a fundamental point of...
Park Ridge, New Jersey: Noyes Publications, 1989. — xxii, 330 p. Characterization of semiconductor materials and methods used to characterize them will be described extensively in this Noyes series. Written by experts in each subject area, the series will present the most up-to-date information available in this rapidly advancing field. Includes chapters on Electrical...
CRC Press, 2022. — 303 p. — ISBN: 978-1-032-06161-0. This book covers the fundamentals and significance of 2-D materials and related semiconductor transistor technologies for the next-generation ultra low power applications. It provides comprehensive coverage on advanced low power transistors such as NCFETs, FinFETs, TFETs, and flexible transistors for future ultra low power...
Academic Press, 1973, 288 pages This classic work on the basic chemistry and solid state physics of semiconducting materials is now updated and improved with new chapters on crystalline and amorphous semiconductors. Written by two of the world's pioneering materials scientists in the development of semiconductors, this work offers in a single-volume an authoritative treatment...
Oxford: Clarendon Press, 1988. - 252 p.
In modern semiconductor technology, contacts between semiconducting devices and the metal conductors that connect them with the rest of the system are of fundamental importance. This book deals with the basic science of such contacts, and discusses the electrical properties that are relevant to semiconductor technology.
Topics covered...
1999. - 436 p.
This book, then, is written primarily for the postgraduate student and the experimentalist. It attempts to set out the theory of those basic quantum-mechanical processes in homogeneous semiconductors which are most relevant to applied semiconductor physics. Therefore the subject matter is concentrated almost exclusively on electronic processes. Thus no mention is...
Springer, 1987. — xi, 313 p. Semiconductors can exhibit electrical instabilities like current runaway, threshold switching, current filamentation, or oscillations, when they are driven far from thermodynamic equilibrium. This book presents a coherent theoretical description of such cooperative phenomena induced by generation and recombination processes of charge carriers in...
Springer: Berlin, Heidelberg. 2004. – 193 p. The study of semiconductor-layer structures using infrared ellipsometry is a rapidly growing field within optical spectroscopy. This book offers basic insights into the concepts of phonons, plasmons and polaritons, and the infrared dielectric function of semiconductors in layered structures. It describes how strain, composition, and...
Springer, 1984. — 388 p. — ISBN: 3-540-12995-2, ISBN: 0-387-12995-2. Lightly Doped Semiconductors The Structure of Isolated Impurity States Localization of Electronic States The Structure of the Impurity Band for Lightly Doped Semiconductors A General Description of Hopping Conduction in Lightly Doped Semiconductors Percolation Theory Dependence of Hopping Conduction on the...
2003. - 396 p.
This book is made up of recent new developments in the field of ultrafast dynamics in semiconductors with particular emphasis on its applications. It consists of eight chapters. The Chapter by Jie Shan and Tony F. Heinz reviews the different schemes for generating THz radiation using photoconductive emitters excited by femtosecond lasers. The Chapter by Dzmitry A....
Санкт - Петербург, Издательство "Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Контантинова РАН", 1997 год - 376 стр. ISBN 5-86763-111-7. В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках. В частности рассмотрена феиоменологическая теория рекомбинации, теоретические...
М.: Радио и связь, 1989. — 152 с. Книга посвящена изучению статических характеристик полупроводниковых диодных структур с целью поиска новых практических удобных методов их расчета. В ней изложены результаты исследований исходных уравнений, описывающих вольт-амперные характеристики, на основе математического анализа с графическим представлением полученных результатов. В книге...
Учебно-методическое пособие. С.-Петербург: СПбГУ, 2008. — 127 с. — (Санкт-Петербургский государственный университет). Рассмотрены различные типы излучательной рекомбинации в легированных полупроводниковых кристаллах. Приведены основные теоретические модели, описывающие электронную структуру и оптические свойства полупроводниковых кристаллов, содержащих примеси, анализируются...
Учебное пособие. — Санкт-Петербург: СПбГУ, 2016. — 156 с. — ISBN 978-5-288-05661-1. Рассмотрены различные типы излучательной рекомбинации в легированных полупроводниковых кристаллах. Приведены основные теоретические модели, описывающие электронную структуру и оптические свойства полупроводниковых кристаллов, содержащих примеси, анализируются результаты некоторых...
Горький: ИПФ, 1983. - 230 с.
В сборнике обсуждаются инвертированные распределения горячих электронов в полупроводниках - сравнительно новая и развивающаяся область физики полупроводников, содержатся статьи, посвященные анализу условий возникновения таких распределений, методам численного и экспериментального их исследования, возможности использования систем с такими...
М.: Наука, 1978. — 616 с. Посвящается памяти А.Ф. Иоффе. Книга предназначена для лиц, занимающихся экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движения электрона в идеальном и возмущенном периодических полях, кинетическому уравнению и явлениям переноса (происхождения...
Москва; Ленинград: Государственное издательство Физико-математической литературы, 1962. — 418 с. Настоящая книга предназначена в первую очередь для лиц, занятых экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Она, вероятно, окажется полезной и для студентов физических специальностей. Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической...
Л.: Наука, 1970. — 304 с. Излагается современная теория гальваномагнитных и термомагнитных явлений в полупроводниках. Рассмотрены случаи параболической и непараболической зон, а также зоны со многими минимумами. В книге большое место занимает квантовая теория кинетических эффектов. Учитывается влияние непараболичности зоны проводимости на кинетические эффекты в квантующем...
Москва, Издательство "Наука", 1985 год - 320 стр. Книга посвящена систематическому и подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в проводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории гальвано - и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а...
Перевод с нем. А.Н. Темчина, под ред. В.Л. Бонч-Бруевича. — М.: Мир, 1980. — 208 с. В книге кратко и вместе с тем достаточно ясно излагаются основы теории фотоэлектрических явлений в полупроводниках. Описаны также свойства важнейших полупроводниковых материалов и фотоэлектрические полупроводниковые элементы схем. Рассчитана на научных работников, инженеров и студентов,...
Л.: Издательство Ленинградского университета. 1988. 304 с. ISBN: 5-288-00055-7 В монографии обобщены результаты исследований электронных процессов и физических свойств структур Si-SiO2. Рассмотрены основные способы формирования структур, методы их исследования. Приведены результаты экспериментального изучения электронных процессов в структурах Si-SiO2 в нетрадиционной системе...
Под общей редакцией П.И. Баранского
Киев: Наукова думка, 1977. - 270 с.
Применение полупроводников в науке и технике в подавляющем большинстве случаев основано на использовании их электрических и гальваномагнитных свойств, которые связаны с направленным движением носителей заряда и процессами их рассеяния в решетке кристалла. В анизотропных полупроводниках рассеяние тока...
Москва, Издательство "Наука", 1978 год - 285 стр.
В книге рассматривается влияние облучения (как электромагнитного, так и корпускулярного) на адсорбционные и каталитические свойства проводников. Дается сжатая сводка экспериментального материала, затем развивается теория явления, приводится сравнение теорий с экспериментов. В книге отражается результаты работ авторов и их...
М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1989. - 288 с.
Благодаря достижениям полупроводниковой технологии в настоящее время возможно создание многослойных периодических структур. Важным классом последних являются полупроводники со сверхрешётками, обладающие уникальными свойствами и поэтому весьма перспективные в плане практических приложений.
С единых позиций исследуются...
Ленинград: Наука, 1968.-180 с
В книге описаны основные типы управляемых полупроводниковых емкостей (барьерная, диффузионная, поверхностная), зависимость емкости от напряжения, частоты, температуры, освещения. Рассмотрены важнейшие параметры варикапов (рабочий диапазон частот, нелинейность, рабочий интервал температур, шумы), а также основные режимы работы варикапов в схемах....
Л.: Наука, 1972. 104 c
В книге обобщен опыт использования емкостных методов для исследования полупроводниковых материалов и приборов. Рассмотрено определение концентрации примесей и электрического поля в p-n-переходах и параметров сложных эквивалентных схем. Описаны методы определения параметров глубоких примесных уровней, обусловленных как примесями, вводимыми в полупроводник,...
Москва: Гос.издат. физ-мат.лит., 1963.— 88 с.
В книге рассмотрены основы электроники нелинейной полупроводниковой емкости, зависимость емкости от напряжения, температуры, частоты, а также основные параметры нелинейной полупроводниковой емкости как радиоэлектронного прибора. Рассмотрена работа емкости как элемента схемы, сформулированы требования, предъявляемые к параметрам...
Л.: «Наука», 1981. — 176 с. OCR В книге обобщен опыт использования емкостных методов для исследования глубоких центров в полупроводниковых материалах и приборах. Рассмотрены определение параметров глубоких центров и профиля их концентрации, идентификация неконтролируемых глубоких центров, кинетика образования и отжига радиационных дефектов. Теоретический анализ сочетается с...
Под ред. Д.В. Чепура. — Львов: Вища школа, Львовский университет, 1983. — 184 с. Монография посвящена вопросам физики, химии и технологии некоторых сложных полупроводниковых материалов. Рассмотрены методы синтеза и выращивания монокристаллов, основные физико-химические характеристики и возможности практического применения сложных халькогенидов и халькогалогенидов в...
Перевод с английского. — М.: Мир, 1990. — 488 с., ил. Книга авторов из ГДР посвящена современному состоянию знаний в области физики чистых поверхностей и границ раздела. Подробно рассмотрены атомная и электронная структура поверхности, энергетическая зависимость локальной плотности состояний, вопросы образования химических связей, адсорбции и хемосорбции, дан анализ теоретических...
В книге подробно изложены разделы теории групп, которые находят применение в физике твердого тела, и методы расчета спектров электронов и фононов вблизи особых точек, основанные на использовании теории групп, а также рассмотрены деформационные эффекты в полупроводниках, т. е. эффекты, возникающие при деформациях, нарушающих симметрию кристалла. Подробно изложен ряд вопросов,...
Москва: Мир, 1971.– 472 с. В книге Ф. Блатта излагается физика кинетических явлении в твердых телах. Основная цель автора—дать единую и замкнутую картину явлений переноса в металлах и полупроводниках. Эта задача им превосходно решена. Книга содержит прекрасное и доступное (но не в ущерб строгости) изложение предмета. Автор хорошо известен читателям своими оригинальными работами....
Москва: Физматгиз, 1963. — 224 с. Перевод обзора Ф.Блатта, опубликованного в ІV томе серии Solid State Physics (F.Seitz, D.Turnbull, eds., 1957), посвящен одному из наиболее важных разделов физики твердого тела – теории переноса (прохождение электрического тока). В этом смысле содержание обзора значительно шире его названия, так как наряду с подвижностью электронов проводимости...
М.: Наука, 1981. — 384 с.
Книга содержит изложение основных представлений современной теории неупорядоченных полупроводников. Подробно обсуждаются новые идеи, возникшие в связи с изучением движения частиц в случайных полях, характеристики которых заданы только статистически (идея о «самоусредняющихся» величинах, локализация электронов в случайных потенциальных ямах и другие)....
М.: Наука, Глав. ред. физ.-мат. лит., 1972. – 415 c. Книга посвящена изложению современных представлений о доменной электрической неустойчивости, возникающей при определенных условиях в полупроводниках с горячими электронами. Это явление, открытое и исследованное в последние семь лет, вызывает широкий интерес как в связи с возможными практическими приложениями (генераторы Ганна...
Москва: Мир, 1977. — 678 с.
Эта книга написана на основе лекций, в течении ряда лет читавшихся авторами для студентов физического факультета Московского университета и факультета физической и квантовой электроники Московского физико-технического института. Книга рассчитана на лиц, владеющих материалом общефизических и математических курсов в объеме программ, принятых на...
Пер. с англ. М.: Мир, 1982. - 419 с. Коллективная монография, написанная ведущими специалистами США, Великобритании, ФРГ, Бельгии и Франции. Освещены все основные направления исследований в области физики аморфного состояния - от проблем теоретического описания электронного спектра, кинетических и оптических свойств до проблем изготовления солнечных батарей на основе аморфных...
Монография. — Ленинград: Наука, 1979. — 184 с. Фазовый переход металл-полупроводник в соединениях переходных металлов Механизмы фазового перехода металл-полупроводник Свойства V 2 O 3 Фазовый переход металл-полупроводник в двуокиси ванадия Окиснованадиевый ряд Магнели V n O 2n-1 (n=3--8) Фазовый переход в соединениях титана, железа, никеля, хрома Феноменологические особенности...
Кишинев: Штиинца, 1992. — 236 с. Рассматриваются сложные генерационно-рекомбинационные процессы с участием нескольких двухзарядных, а также многозарядных центров в однородных и неоднородных структурах с флуктуациями зонного потенциала и распределением энергий центров. Исследуются особенности ВАХ при прямом и обратном смещении, малом и высоком уровне инжекции, двойной и...
М.: Изд-во Моск. ун-та, 1995. - 399 с. (Программа "Университеты России"). - ISBN: 5-211-03487-2 Рассмотрены особенности протекания генерационно-рекомбинационных (ГР) процессов в полупроводниковых структурах, содержащих область пространственного заряда, в частности вопросы поведения кинетических коэффициентов, описывающих ГР в сильных электрических полях и с учетом...
Пер. с англ. — М.: Мир, 1985. — 304 с. Перевод с английского д-ра физ.-мат. наук Ю. М. Гальперина, канд. физ.-мат. наук В. И. Козуба, канд. физ.-мат. наук Э. Б. Сонина под редакцией д-ра физ.-мат. наук В. Л. Гуревича. Приведен анализ влияния точечных дефектов на различные физические свойства полупроводников. Рассматриваются эффект Яна-Теллера и электронный парамагнитный...
Москва: Иностранная литература, 1959.– 142 с. В предлагаемой вниманию читателей книге, представляющей собой перевод обзорной статьи известных специалистов Буша и Винклера, обобщены и систематизированы результаты многочисленных исследований свойств различных полупроводниковых материалов. Книга написана достаточно популярно. Она является по существу справочником, содержащим все...
М.: Издательство иностранной литературы, 1962.- 559 с.
Настоящая книга, написанная известным американским специалистом в области фотопроводимости и люминесценции Р. Бьюбом, является первой в мировой литературе монографией, в которой достаточно полно и последовательно излагаются все основные аспекты фотопроводимости.
Основное внимание автор уделяет физической сущности...
М., Физматгиз, 1963, - 264 с. В книге изложены физические представления о действии электромагнитного и корпускулярных излучений на полупроводники. Рассмотрены процессы поглощения электромагнитного излучения, фотоионизация и ионизация при прохождении заряженных частиц высокой энергии, а также основные типы процессов рекомбинации, приводящей к возвращению возбужденного излучением...
2е изд. — М.: Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1988. — 192 с.
Изложены основные представления о физических явлениях, приводящих к изменениям электрических, оптических и других свойств полупроводников под воздействием электромагнитного излучения, быстрых заряженных частиц и нейтронов. Основное внимание обращено на анализ первичных процессов, таких, как фотоионизация и ионизация...
Пер. с англ. канд. техн. наук А.А. Куликовского, инж. А.С. Рыжова; Под ред. канд. физ.-мат. наук Ф.В. Бункина. — М.: Издательство Иностранной литературы, 1961. — 234 с. Книга Ван-дер-Зила, являясь первой монографией в мировой литературе по проблемам флуктуаций в полупроводниках, содержит обзор теоретических и экспериментальных работ по изучению флуктуационных явлений в...
Москва: Атомиздат, 1979. - 256 с. Это первая в отечественной литературе книга, которая посвящена изложению основ физики плазмы полупроводников. В ней рассмотрены основные типы волн и неустойчивостей в плазме твердого тела (геликоны, альфвеновские волны, винтовая неустойчивость, пинч- эффект, неустойчнвости, связанные с отрицательной дифференциальной проводимостью). Все...
М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1987. - 432 с.
Подводится итог 40-летней работы автора и его сотрудников в области физикохимии поверхности полупроводников. Книга носит энциклопедический характер. Автор раскрывает механизм процессов, протекающих на поверхности полупроводников. Дается сводка экспериментальных результатов в науке о поверхности. Полно и систематически изложена...
М.: Государственное издательство технико-теоретической литературы, 1947. — 352 с. В монографии рассматриваются с некоторой единой точки зрения разнообразные электронные процессы, развивающиеся в реальных кристаллах. В книге даётся сводка экспериментального материала, хотя в основном книга носит теоретический характер. Она предназначена для физиков-экспериментаторов и инженеров,...
СПб., Наука, 2001. — 250 с.: ил. — ISBN 5-02-024967-Х. Авторы: Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Г.Г. Зегря, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, И.Н. Яссиевич, Е.В. Берегулин. В монографии рассмотрены основные механизмы рекомбинации для биполярного и монополярного случаев в объемных полупроводниках и полупроводниковых структурах с квантовыми ямами. Наряду с хорошо известными...
Учебное пособие. - Л., изд. ЛПИ, 1988, 99 с.
В пособии с помощью теории возмущений определяются вероятность и время релаксации импульса для основных механизмов рассеяния электронов и дырок в полупроводниках: на акустических, пьезоэлектрических, деформационных и полярных оптических колебаниях решетки, при примесном, междолинном и электрон-электронном рассеянии и др. При этом...
Учебное пособие. — Одесса: Одесский государственный университет им. И.И. Мечникова, 1980. — 128 с. В учебном пособии в рамках линейной оптики изложены основы теории поглощения света в изотропных полупроводниках, детально рассмотрены основные механизмы поглощения, приведен анализ оптических эффектов, вызываемых внешними воздействиями на кристалл. Теоретический материал пособия...
Москва: Машиностроение, 1966. — 288 с. Настоящее учебное пособие написано в соответствии с утвержденной программой курса «Полупроводники и полупроводниковые приборы» для специальных средних технических учебных заведений. В книге рассказано о строении атомов и на этой основе дано описание строения твердых тел. Рассмотрены физические явления, происходящие в полупроводниках, и...
М.: Энергоатомиздат, 1986. — 192 с. Изложена нелинейная кинетическая теория резонансного взаимодействия электромагнитного поля с полупроводниками. Описание проводится на основе новых представлений о специфических квазичастицах, кинетика которых подчиняется перенормированным уравнениям. На основе этих представлений развиты теории насыщения поглощения сильного электромагнитного...
М.: Наука. Гл. ред. физмат, лит. , 1986. 320 с. Впервые в отечественной литературе представлены наиболее актуальные в научном и практическом отношениях аспекты физики соединений AIIBVI. Основное внимание уделено наиболее важным физическим свойствам этих веществ, например экситонам, фононам, дислокациям, точечным дефектам, нелинейным оптическим и другим свойствам, составляющим...
М.: Машиностроение, 1967. — 72 с. — (Общественный институт). Книга содержит лекцию по гальваномагнитным датчикам и их применению. В первом разделе лекции рассмотрены некоторые вопросы физики полупроводников, гальваномагнитные эффекты и датчики, их реализующие, второй раздел посвящен различным областям использования гальваномагнитных датчиков. Книга рассчитана на инженеров и...
М.: Металлургия, 1982. — 336 с., илл.
Учебник для студентов металлургических вузов по специальности "Технология материалов электронной техники"(первое издание 1976г). Может быть использовано научными работниками и инженерами, работающими в области металлургии, физики и химии полупроводников.
Систематически изложены основные понятия физики полупроводников и металлов. На основе...
Новосибирск: Наука, 1966. — 349 с. Несмотря на то, что за последние годы издано значительное количество книг по физике полупроводников и полупроводниковых приборов, все эти книги носят либо слишком узкий характер и посвящены ограниченному классу приборов (обычно диодов и транзисторов), либо являются специальными монографиями по физике полупроводников и мало доступны широкому...
Учебник. — М.: Советское радио, 1977. — 184 с. Изложены физические основы работы полупроводниковых приборов. Дан подробный анализ свойств р-n-перехода. Рассмотрены принципы действия, конструктивные и технологические особенности различных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, тиристоров, фотоэлектрических и термоэлектрических приборов, датчиков Холла, светодиодов,...
Минск: Наука и техника, 1975. — 464 с.
В книге с единой точки зрения излагается теория поглощения и усиления света, спонтанной и стимулированной рекомбинации в полупроводниках. Особое внимание уделено взаимодействию вещества с мощными потоками излучения, которые приводят к появлению эффектов насыщения. Впервые в монографической литературе по полупроводникам рассмотрен ряд...
Ленинград: Наука, 1976. — 168 с. В книге обсуждается широкий круг вопросов, связанных с явлениями переноса в полупроводниках. Подробно рассмотрены законы дисперсии для наиболее практически важных полупроводников А III В V , A IV B VI , в частности неквадратичный закон дисперсии типа Кейна, и различные механизмы рассеяния. Значительное внимание уделено методам практического...
Ленинград: Наука, Ленинградское отделение, 1971. — 64 с. Книга содержит таблицы узловых точек и весовых множителей квадратурных формул типа Гаусса, которые позволяют с достаточной точностью находить значения различных кинетических коэффициентов, таких, например, как электропроводность, термоэдс и другие при разной степени вырождения электронного газа и при произвольном законе...
Москва, Государственное издательство технико-теоретической литературы, 1956г., 348 с. с илл.
В книгах, посвященных твердым выпрямителям и принадлежащих большей частью перу иностранных авторов, вопросы теории освещены далеко не полно и почти вовсе игнорируются работы советских авторов.
Предлагаемая вниманию читателя книга должна заполнить существующий пробел. Здесь изложены с...
Учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ ЛЭТИ, 1998 - 56 c
Рассматриваются модельные представления адсорбции, используемые для объяснения физических и химических процессов, протекающих в поликристаллических полупроводниковых сенсорах.
Москва: Издательство иностранной литературы, 1959. — 430 с. Эта книга рассчитана в первую очередь на две категории читателей. Первая, основная группа включает инженеров, техников и научных работников, занимающихся полупроводниками и желающих иметь источник основных современных сведений о предмете, не перегруженный излишними деталями (что характерно для многих учебников) и...
Москва: Издательство иностранной литературы, 1963. — 267 с. Книга Драбла и Голдсмида — первая в мировой литературе монография, специально посвященная теплопроводности полупроводников, — содержит подробное и систематическое рассмотрение основных теоретических и экспериментальных данных поэтому важному вопросу. Изложение во многом оригинальное, так как авторы книги сами...
М.: "Мир", 1973. — 232 с.
Еще в 1932 г. выдающийся советский ученый И. Е. Тамм указал на возможность существования электронных поверхностных уровней (получивших позднее название "таммовских уровней"), которые играют важную роль в физике твердого тела. Однако до сих пор квантовая теория кристалла, ограниченного поверхностью (в отличие от теории бесконечного кристалла), развита...
Учебное пособие. — Санкт-Петербург: СЗТУ, 2005. — 116 с. — УДК 621.382. Рассмотрены химическая связь и электронные свойства твердых тел, в том числе образование и структура ионных, ковалентных, молекулярных кристаллов и кристаллов с металлической связью, а также основные типы дефектов реальных кристаллов. В части электронных свойств приводятся основы зонной теории и электронные...
Монография. — М.: Радио и связь, 1981. — 248 с. Излагаются результаты исследования примесей и точечных дефектов в алмазоподобных полупроводниках. Некоторые разделы, книги написаны сжато, более подробно рассмотрены новые аспекты проблемы образования и миrрации дефектов. Для научных работников и инженеров соответствующих специальностей. Предисловие. Точечные дефекты в...
Серия учебных пособий «Новые разделы физики полупроводников» - СПб.: Наука, 2000. — 72 с. ISBN: 5-02-024927-0 В книге рассмотрены электронные свойства неупорядоченных твердых тел. Изложению физики неупорядоченных систем предшествует краткий обзор основных представлений теории протекания. Рассматриваются переходы «металл—диэлектрик» — переходы Мотта и Андерсона. Описаны свойства...
М.: МГУ, 1984. — 192 с.
Книга посвящена изложению новых идей и методов, возникших в последние годы при изучении электронных явлений переноса в неупорядоченных полупроводниках. В ней обсуждаются свойства носителей заряда с энергиями, близкими к порогу подвижности, стационарный прыжковый перенос, не стационарные процессы — проводимость на переменном токе и дисперсионный...
М.: Мир, 1977. - 616 с. Пер с англ. под ред. Ю. К. Пожелы: K. Seeger, Semiconductor Physics, Wien: Springer-Werlag, 1973.
Книга представляет собой оригинальный курс физики полупроводников, написанный на основе лекций, прочитанных автором для студентов, специализирующихся в области физики и электроники. От существующих изданий данная книга отличается тем, что наряду со строгим...
Сборник. — М.: Наука, 1985. — 264 с. Сборник "Легированные полупроводниковые материалы" содержит работы, выполненные в Институте металлургии им. А.А. Байкова АН СССР, в институтах Академии наук и АН союзных республик, а также в институтах ряда министерств и высших учебных заведений. Работы посвящены изучению физико-химических основ легирования полупроводниковых материалов и, в...
Киев: Наукова думка, 1981. — 256 с. Изложена физика инжекционно-контактных явлений в полупроводниках, а также физические основы работы контакта металл — полупроводник, p—n перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели p—n перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики...
Киев: Наукова думка. 1990. – 192 с. В монографии подробно изложены методы и алгоритмы моделирования на ЭВМ кинетических явлений в кремнии, германии, полупроводниках типа A 3 B 5 . Приведены математические модели систем, описываемых уравнением. Больцмана. Большое внимание уделено рассмотрению процессов рассеяния носителей тока. Обсуждаются особенности функций распределения и...
К.: "Наукова думка", 1992.- 240 с.
В монографии изложены результаты исследований открытого сотрудниками Института полупроводников АН Украины явления стимулированного излучением проникновения металла в полупроводники (Photodoping). Впервые обобщен экспериментальный материал, касающийся природы явления и технологических особенностей его практического применения. Рассмотрены...
М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1954. — 355 с. Полупроводники — новая область физики, получившая развитие всего лишь в последние двадцать пять лет, несмотря на то, что почти вся окружающая нас неорганическая природа состоит из полупроводящих веществ. Введение. Место полупроводников в физике и технике. Основные типы проводников электричества. Твердые электролиты. Металлы. Электронные...
М.-Л.: Изд-во АН СССР, 1960. — 112 с. Монография посвящена теории термоэлектрических явлений. В ней подробно рассмотрен широкий круг вопросов, посвященных непосредственно физике явлений и некоторым практическим применениям. Книга рассчитана на студентов старших курсов физических факультетов университетов, инженерно-технических работников и физиков, работающих в области...
М:. АН СССР, 1957. — 491 с.
Развитие теории полупроводников и внедрение их в народное хозяйство — это одно из важнейших условий технического прогресса. Решение значительного числа задач неразрывно связано с применением полупроводников.
Предлагаемая работа академика Абрама Федоровича Иоффе (1880-1960) посвящена физике полупроводников и их применению.
М.-Л.: ГТТИ, 1933. — 92 с. От издательства. Предисловие. Введение. Электронная модель полупроводника. Классификация полупроводников. Электронное равновесие в полупроводнике. Темновая проводимость полупроводников. Фотопроводимость. Диффузия электронов в полупроводнике. Явления в пограничных слоях полупроводников. Внешний фотоэффект. Литература.
Учебное пособие. — Л.: ЛПИ, 1984. — 80 с. Учебное пособие предназначено для студентов специальностей "Полупроводники и диэлектрики", "Физическая электроника", "Технология специальных материалов электронной техники", изучающих физику полупроводников, полупроводниковых приборов и металлов. Рассмотрены теория и качественное описание эффектов Холла, Нернста — Эттингсгаузена,...
Учебное пособие. - Л., изд. ЛПИ, 1981, 79 с.
Учебное пособие предназначено для студентов специальностей «Полупроводники и диэлектрики», «Физическая электроника», «Технология специальных материалов электронной техники», изучающих физику полупроводников, полупроводниковых приборов и металлов.
Рассмотрены теория и качественное описание явлений электропроводности,...
Москва: Мир, 1969.- 360 с. Книга написана известным американским физиком-теоретиком, специалистом в области теории твердого тела. Книга посвящена общим основам зонной теории твердого тела. Большое внимание уделяется применению теории групп, а также впервые систематически и подробно излагаются современные методы расчета электронных энергетических спектров твердых тел - металлов...
Москва: Мир, 1984. — 352 с. В книге написанной ведущими в области физики и физической химии твердых тел специалистами Канады и США, представлены практически все фундаментальные аспекты электропереноса в твердых телах. Основное внимание уделяется органическим полупроводникам - системам, с которыми связаны многие крупные достижения последних лет как теоретического, так и прикладного...
Москва: Мир, 1984. — 368 с. В книге написанной ведущими в области физики и физической химии твердых тел специалистами Канады и США, представлены практически все фундаментальные аспекты электропереноса в твердых тела. Основное внимание уделяется органическим полупроводникам - системам, с которыми связаны многие крупные достижения последних лет как теоретического, так и прикладного...
Ташкент: Фан, 2005. — 250 с. В этой уникальной монографии рассматриваются: сведения о поверхности и влиянии различных сред её свойства, металлургические и межзёренные, электронные и физические границы в полупроводниках; физико-технологические проблемы, влияние промежуточных слоев на свойства р-n-переходов; принципы и способы получения резкого и тонкого p-n-nepexoдa; структуры с...
Учебное пособие для втузов. — Москва: Высшая школа, 1969. — 592 с. Книга состоит из семи глав. Первая глава служит введением в курс, в ней излагаются элементы электронной теприи проводимости и модельное представление о проводимости полупроводников. Изложение зонной теории (II гл.) проводится на основе теории возмущения. Статистика электронов и дырок излагается в третьей главе....
Издание второе, дополненное. — Москва: Высшая школа, 1975. — 584 с. В книге рассматриваются элементы электронной теории проводимости и проводимости полупроводников; зонная теория на основе теории возмущения; статистика электронов и дырок; кинетические явления в полупроводниках; теория рассеяния, контактные и неравновесные явления на основе уравнения непрерывности; теории...
Томск: Издательство Томского университета, 1984, - 117 с.
В монографии обобщен материал по основным физико-химическим свойствам твёрдых растворов на основе изоэлектронных аналогов германия. Описаны их объёмные (структурные, люминисцентные, электрические, магнитные) и поверхностные (адсорбционные, каталитические) характеристики.
Для научных инженерно-технических работников,...
Москва: Наука, 1970. — 400 с. Бурное развитие полупроводниковой микроэлектроники стимулирует расширение исследований в области физики поверхности твердого тела. Интерес к изучению поверхностных явлений в полупроводниках связан не только с задачами стабилизации поверхности, но и с раскрытием новых перспектив в использовании и применении полупроводников. В книге впервые с единой...
Изд-во «Металлургия» 1970 г. 432 с. Илл.143 Табл. 12 Библ. 432 назв.
В книге приведены методы исследования основных физических свойств полупроводников и методы контроля качества полупроводниковых материалов. Рассмотрены физические основы методов измерений, а также вопросы их экспериментального осуществления. Подробно описаны различные способы измерения удельного сопротивления,...
Перевод с английского А.Ф. Волкова и А.Я. Шульмана. Под редакцией И.Б. Левинсона и Ю.К. Пожелы. — М.: Мир, 1970. — 384 с. Книга посвящена электропроводности полупроводников в сильных электрических полях. Рассматриваются также другие кинетические явления в полупроводниках, связанные с действием сильных электрических полей. Ценной особенностью книги является подробное...
М., Физический факультет МГУ, 312 с., 2003
Учебное пособие написано на основе курса, читаемого автором на физическом факультете Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова.
В пособии описываются физические свойства трех основных классов магнитных полупроводников: монооксида и монохалькогенидов европия, халькогенидных шпинелей и манганитов. Особое внимание...
М.: Металлургия, 1991. — 175 с. В книге с позиций теории регулярных растворов и модели диффузного массопереноса рассмотрены особенности жидкофазовой эпитаксии твердых растворов на основе полупроводниковых соединений A(III)B(V). Проанализировано влияние упругих деформаций на смещение равновесий в многокомпонентных системах. Дано математическое описание эффекта стабилизации периода...
Монография. — М.: Энергоатомиздат, 1989. — 96 с. — ISBN: 5-283-02923-9. На примере монокристаллического кремния систематизированы экспериментальные и теоретические сведения, необходимые для качественных и количественных оценок изменения электрических параметров полупроводников и полупроводниковых приборов при воздействии на них ионизирующих излучений. Содержатся данные о...
М.: Радио и связь, 1990. — 263, [1] с.: ил. — ISBN 5-256-00734-3. Излагаются вопросы теории гальваномагнитных эффектов в режимах ЭДС и тока Холла, в том числе в квантующих магнитных полях и в материалах со смешанной проводимостью. Рассматриваются их особенности в неоднородных и неупорядоченных полупроводниках, слоистых структурах. Дается методология интерпретации нормальных и...
Москва: Советское радио, 1974.– 328 с. В книге систематизированы методы исследования эффекта Холла и дан критический анализ их особенностей. Подробно рассмотрены факторы, определяющие погрешности и ограничения различных методов. Приведен обзор сведений, получаемых на основе измерений эффекта Холла. Даны рекомендации способов включения исследуемых образцов в измерительные схемы....
Монография. — Москва: Наука, 1978. — 256 с. В монографии освещено современное состояние исследований в области физической химии, технологии и физики полупроводниковых соединений группы А 2 В 5 . Описаны приборы, разработанные на основе этих соединений, и перспективы их дальнейшего применения в полупроводниковой технике. Книга рассчитана на широкий круг ученых, работающих в области...
Москва, Издательство "Мир", 1973 год - 413 стр. Книга посвящена исследованию монополярной и двойной инжекции носителей заряда. Рассматриваемые явления имеет большое значение для понимания механизма прохождения тока через изоляторы и полупроводники, служат эффективным средством исследования электрических свойств твердых тел, и кроме того, имеют много важных технических...
Монография, М.: Мир, 1984. – 264 с. Цель данной книги – познакомить читателя с теорией точечных дефектов в полупроводниках. В книге рассматривается геометрия дефектов, теория мелких дефектов, теория глубоких уровней, колебательные свойства, связанные с дефектами, термодинамика дефектов и их миграция.
Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также студентов...
Москва: Химия, 1974. — 240 с. Книга посвящена новой и актуальной области науки — теории химической связи в твердых телах, которая впервые трактуется как один из разделов общей квантовой химии. В ней рассматривается влияние характера химической связи на особенности электронной (зонной) структуры и прослеживаются аналогии между химической связью в молекулах и твердых телах. После...
Москва: Радио и связь, 1990. — 300 с. — ISBN 5-256-00496-4. В книге рассмотрены современные методы теоретического анализа флуктуационных явлений в полупроводниках. Приведены рекомендации по их применению при исследовании шумовых характеристик различных приборов: фоторезисторов, полевых и биполярных транзисторов, фото - и светодиодов, лавинно - пролетных диодов, транзисторных...
Киев: Наукова думка, 1984. — 256 с. В монографии изложены современные представления о физических свойствах электромагнитного излучения (в частности, теплового), его статистических свойствах и методах обнаружения посредством внутреннего фотоэффекта в полупроводниках. Значительное внимание уделено специфике детектирования световых сигналов в условиях прямого и гетеродинного...
Киев. Наукова думка, 1968. — 400 с. Книга представляет собой обзор современного состояния исследований по физике поверхности полупроводников. Рассмотрены вопросы теории поверхности полупроводников, методы приготовления реальной и атомарно чистой поверхностей, методы и результаты исследования электрических характеристик поверхности, неравновесные процессы на поверхности и в...
Москва: Мир, 1967. — 480 с. Настоящая книга посвящена обстоятельному описанию нового класса полупроводниковых материалов — соединениям типа A III B V , получившим в последние годы широкое практическое применение в полупроводниковой электронике и (в самое последнее время) в лазерной технике. В книге систематически описаны результаты основных исследований важнейших свойств этих...
М.: Мир, 1974. – 464 с. Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокаций, границ зерен и т.д.) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Эта проблема приобрела в последние годы особую актуальность в связи с использованием в полупроводниковой технике тонких пленок, сложных...
Москва: МФТИ, 2006. — 79 с. Приводятся основные понятия и идеи науки о полупроводниках, рассматриваемые в курсе общей физики и подготавливающие читателя к изучению специальных обзоров и оригинальных работ в этой области. Предназначено для студентов 3-го курса общефизических специальностей, а также для студентов старших курсов и аспирантов. Введение. Происхождение электронных...
Пер. с англ. — Москва: Мир, 1972. — 408 с.
Книга представляет собой первый в отечественной и зарубежной литературе обзор, посвященный физике магнитных полупроводников. В нем подробно рассматриваются зонная структура магнитных полупроводников, явления переноса, различные виды взаимодействия, оптические свойства, причем основное внимание уделяется выяснению механизма явлений....
М.: Мир, 1975. Книга американских физиков А. Милнса и Д. Фойхта содержит обстоятельное изложение основных физических процессов в полупроводниковых гетеропереходах и переходах металл — полупроводник и анализ характеристик приборов, основанных на таких переходах. Значительное внимание уделено технологии изготовления гетеропереходов. В монографии использован весьма обширный...
Учебное пособие. Л.: Судостроение, 1966. - 220 с. Приведены общие сведения о строении и свойствах твердого тела, об электропроводности полупроводников, а также рассматривается зависимость электропроводности от воздействия внешних факторов. Описаны физико-химические свойства полупроводниковых материалов, контактные явления на границе раздела полупроводников между собой, с...
Монография. — Кишинев: Штиинца, 1983. — 305 с. — (Институт прикладной физики, АН МССР). В монографии излагаются основы теории экситонов большой плотности и дан обзор современного состояния вопроса. Главное внимание уделяется описанию электронного строения экситонов и биэкситонов, свойств электронного газа большой плотности и электронно-дырочной жидкости, Достаточно подробно...
Москаленко С.А., Бобрышева А.И., Леляков А.В., Миглей М.Ф., Хаджи П.И., Шмиглюк М.И. Монография. — Кишинев: Штиинца, 1974 — 212 с. — (Институт прикладной физики АН МССР). Рассматриваются вопросы теории взаимодействующих экситонов в полупроводниках: условия образования и энергетический спектр биэкситонов, когерентные состояния диполь-активных экситонов и фотонов, формы...
Монография. — Москва: Наука, 1979. — 432 с. В книге представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований электрических, оптических и магнитных свойств магнитных полупроводников (соединений переходных и редкоземельных элементов). Особое внимание уделено связи этих свойств друг с другом. Она проявляется, например, в том, что электроны проводимости могут...
Ленинград: Наука, 1975. — 395 с. В книге изложены основы физики полупроводников и их практические применения. Первые четыре главы охватывают все главные вопросы, связанные с теорией, физико-химическими свойствами и технологией полупроводников. Пятая глава содержит описание полупроводниковых приборов, их принципиального устройства и применения. Книга служит элементарным введением в...
Калуга: Изд-во КГПУ, 2000 . – 176 с.
В монографии с единых материаловедческих позиций систематизированы и проанализированы характерные свойства и их закономерности для многокомпонентных магнитных полупроводников (как концентрированных, так и разбавленных) - веществ, обладающих одновременно полупроводниковыми характеристиками и магнитным упорядочением. Рассмотрен широкий спектр...
Учебное пособие. – Харьков: Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт» (НТУ "ХПИ"), 2018. – 96 с. ISBN: 978-617-05-0278-0 В учебном пособии рассмотрены физические свойства полупроводников и физические принципы работы основных полупроводниковых приборов современной информационной микроэлектроники. Данное учебное пособие предназначено для...
М.: Металлургия, 1983. — 192 с. Монография является первой попыткой обобщить экспериментальные данные о состоянии и поведении примесных атомов переходных металлов с незаполненной 3d-оболочкой в полупроводниках. Проанализированы состояние Т-примесей и изменение их электронной структуры в кристаллических решетков полупроводников. Показано, что формирование электрических,...
М.: Эдиториал УРСС, 2000. — 312 с. — ISBN: 5-8360-0068-9 Список авторов: Осипьян Ю.А., Бредихин С.И., Кведер В.В., Классен Н.В., Негрий В.Д., Петренко В.Ф., Смирнова И.С., Шевченко С.А., Штейнман Э.А., Шмурак С.З. Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si...
М., Мир, 1973 г., 458 стр. Монография известного американского специалиста Ж. Панкова посвящена физическим процессам взаимодействия света с полупроводниками, а также практическому использованию этих процессов в полупроводниковых лазерах, люминесцентных диодах, приемниках видимого и инфракрасного излучения. Книга снабжена большим количеством (около 400) иллюстраций — схем,...
Киев: Издательство киевского университета, 1967. — 192 с. Книга является учебным пособием по курсу физики поверхности полупроводников В ней рассмотрены вопросы влияния состояния поверхности на физические свойства полупроводников, а также на работу полупроводниковых приборов. Излагаются основные вопросы теории области пространственного заряда и поверхностного рассеяния носителей...
К.: Вища школа. Головное изд-во, 1984 —214 с. Ил. 128 Табл. 4 Библиогр.: 78 назв. В учебном пособии излагаются современные представления о влиянии поверхности на физические явления в полупроводниках. Проанализированы причины образования поверхностных электронных состояний и приповерхностной области пространственного заряда (ОПЗ). Рассмотрены электрические, фотоэлектрические и...
Підручник. — К.:Либідь,1992. — 240 с.
У підручнику викладено сучасні уявлення про природу електронних станів на ідеальній та реальній поверхнях напівпровідників, описано електрофізичні властивості їх при приповерхневої області, розглянуто фотоелектроичні та оптичні явища в цій області.
Розглядаються моделі гетеро- і гомопереходів під напругою, випрямлення на котнакті,...
Минск: БГУ, 1973. — 264 с. В основу пособия положен специальный курс лекций, прочитанный автором для студентов-радиофизиков Белгосуниверситета. В пособии излагается классическая теория металлов и теория Зоммерфельда; рассматриваются основные положения и выводы зонной теории твердого тела и т.д. Отдельные главы посвящены контактным, термоэлектрическим, фотоэлектрическим,...
Москва: КомКнига, 2005. — 264 с. — ISBN 5-484-00217-6. В книге описаны равновесные свойства квазичастиц (электронов проводимости, дырок, фононов) в объемных (трехмерных) кристаллах. Изложены основы статистики точечных атомных дефектов в решетке и заполнение их энергетических уровней носителями заряда. Рассмотрены кинетические процессы в электронной и фононной системах...
Москва: Советское радио, 1967. — 96 с. В настоящей краткой монографии рассматриваются теория и физические свойства фотомагнитного и связанных с ним эффектов, подробно обсуждаются методы определения параметров полупроводниковых материалов путем измерения фотомагнитного эффекта, описываются устройство и работа фотомагнитных приемников инфракрасного излучения и фотомагнитометров....
Учебное пособие. — СПб. гос. техн. ун-т. C.-Петербург, 1994. — 80 с. Рассмотрены физические свойства полупроводников с неупорядоченно распределенными примесными атомами и некоторые общие вопросы физики неупорядоченных систем. Изложению физики неупорядоченных полупроводников предшествует краткий обзор основных понятий теории протекания. Далее рассматриваются переходы типа металл...
Пер. с англ. — М.: Мир, 1980. — 352 с. Книга представляет собой коллективную монографию американских ученых и состоит из двух обзоров, составивших 32-й том известной серии Solid State Physics. Она отражает современное состояние теории и эксперимента в одном из актуальных направлений физики твердого тела — исследовании конденсации экситонов в полупроводниках в...
Москва. Издательство иностранной литературы 1957. -160 с
Предлагаемая в русском переводе небольшая книга английского физика Райта знакомит читателей с основами физики полупроводников и с их электрическими свойствами; кроме того, в ней дано описание некоторых технических применений полупроводников.Несмотря на сжатый объем, эта книга знакомит читателя с современным состоянием...
Москва: Наука, 1976, - 254 с
Монография посвящена механизмам рассеяния носителей заряда в инверсионных каналах, процессам захвата их на поверхностные состояния границы раздела полупроводник — диэлектрик и состояния в диэлектрике. Рассмотрены вопросы протекания тока через диэлектрик и вопросы нестабильности МДП-структур, а также механизмы генерации неосновных носителей заряда в...
М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1971. — 480 с.: ил. Монография посвящена одному из весьма актуальных вопросов физики полупроводников, непосредственно связанному с полупроводниковой электроникой и микроэлектроникой. В ней дано систематическое и последовательное изложение современных представлений об электронном строении поверхности полупроводников,...
Москва: Мир, 1986.– 304 с. Книга известного английского физика Б. Ридли удачно дополняет имеющиеся учебные пособия по физике полупроводников. Обсуждаются особенности зонной структуры и дискретных энергетических уровней, характеристики процессов рассеяния, излучательных и безызлучательных переходов в полупроводниках. Изложение физических идей и принципиальных особенностей...
Москва, Издательство "Мир", 1966 год - 189 стр.
Книга известного американского ученого А. Роза содержит изложение основных вопросов теории фотопроводимости твердых тел. Большое место занимает феноменологическое описание процессов рекомбинации носителей тока. Значительное внимание уделено рассмотрению явлений, ограничивающую область применения фотопроводников, таких как токи,...
М., ФИЗМАТГИЗ, 1963 г. , 496 стр., серия: "Физика полупроводников и полупроводниковых приборов"
В монографии рассматриваются процессы генерации, движения и рекомбинации неравновесных носителей тога в полупроводниках. Основное внимание уделено рассмотрению процессов рекомбинации через локальные центры прилипания, диффузии и дрейфа неравновесных носителей тока в электрическом и...
Дубна: ОИЯИ, 2023. — 153 с. Монография посвящена физике микропиксельных лавинных фотодиодов (МЛФД), называемых также кремниевыми фотоэлектронными умножителями (Si-ФЭУ). Кратко рассмотрены этапы разработки и физические механизмы работы наиболее перспективных конструкций таких приборов. Обсуждаются методы улучшения амплитудных и временных характеристик МЛФД, а также возможность...
Учебное пособие.– Ленинград: издательство Ленинградского политехнического института, 1977.– 72 с. В пособии излагается часть курса «Физические и химические свойства полупроводников», посвященная дефектам полупроводников. Рассмотрены тепловые, электронные и точечные дефекты кристаллов. Особое внимание уделено примесям и основам легирования полупроводников. С химических позиций...
Киев: Наук. думка, 1984. - 232 с.
Рассмотрены физические механизмы формирования различных фотоэффектов в приповерхностных областях полупроводников и слоистых структур на их основе. Изложены последовательный метод теоретического анализа физических механизмов неравновесных процессов в приповерхностных слоях полупроводников. Описаны теоретические и экспериментальные исследования...
Вводный курс лекций. — 2-е изд., перераб. и доп. — Нижний Новгород, 2021. — 135 с. Список основных обозначений. Введение. Основные понятия кристаллографии твердого тела. Несовершенства и дефекты кристаллической решетки. Зонная теория твердых тел. Статистика носителей заряда в полупровониках. Плотность квантовых состояний. Физические свойства кристалла. Понятие о работе выхода....
Новосибирск: "Наука", 1980. — 296 с. 600 dpi + OCR
В монографии приведены конкретные данные о радиационных дефектах в полупроводниках, о возможностях и примерах их использования в технологических целях. Большое внимание уделено вопросам управления радиационными процессами. Точечные дефекты, разупорядоченные области, разупорядоченные и аморфные слои,полученные радиационными...
Перевод с английского. Москва Мир 1982, 560с.
Учебное пособие известного английского физика Р. Смита, представляющее собой второе, переработанное и дополненное издание курса физики полупроводников. С большим педагогическим мастерством и на высоком научном уровне излагаются основы современной теории электрических, гальваномагнитных, тепловых, оптических и контактных явлений в...
Киев, Наукова думка, 1992.– 568 с. Монография посвящена теории собственных энергетических уровней твердых тел в области длинноволнового края собственного поглощения, результаты которой отражены в громадной научной литературе. Представлены данные о структуре кристаллических решеток, зоннах Бриллюэна, энергетических зонах, энергии запрещенной зоны, плотности состояний и их...
Москва: Наука, 1988. - 224с. Монография посвящена оптическим свойствам и электронной структуре конденсированных халькогенов. Обобщены результаты экспериментальных исследований спектров поглощения, отражения, излучения, фотопроводимости, модуляционных и фотоэмиссионных спектров и расчетов no ним оптических фундаментальных функций в широкой области энергии энергии. Впервые...
Ленинград, 1957. — 75 с. Введение. Фотоэффект запирающего слоя. Конструкция вентильных фотоэлементов. Основные характеристики фотоэлементов. Основные типы фотоэлементов. Германиевые фотодиоды. Некоторые примеры применения фотоэлементов. Литература.
Ленинград. Наука. 1967. — 440 с. В этой книге автор стремился показать, почему ученые многих стран так усиленно занимаются полупроводниками. Это потребовало охвата широкого круга вопросов, выходящих за границы одного лишь описания полупроводниковых приборов. Для того чтобы проблема полупроводников предстала перед читательским взором более полно, необходимо знакомство, если не со...
Монография. - СПб.: Издательство РГПУ им. А.И. Герцена, 2003. - 169 с. ISBN: 5-8064-0689-х В монографии приведены результаты оптических исследований сближения энергии плазменных колебаний, межзонных переходов и колебаний кристаллической решетки, наблюдающихся в легированных акцепторной примесью кристаллах висмута и сплавах висмут-сурьма. Работа выполнена в ходе исследований,...
Москва: Советское радио, 1967. — 452 с. Книга представляет собой систематическое рассмотрение основных разделов физики полупроводников: качественного и количественного описания строения полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и фононов, теории явлений переноса, оптических и фотоэлектрических свойств и контактных явлений. В первой главе эти...
Киев: Выща школа, 1982. — 224 с. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, p—n перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели р—n перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—n перехода и гетероперехода с...
М.; Энергоатомиздат, 2003. - 507 с: ISBN 5-283-00769-3
Рассмотрены явления люминесценции, эмиссии заряженных частиц, генерации электронно-дырочных пар при возбуждении поверхности твердых тел атомными частицами сверхнизких энергий (хемоэлектроника гетерогенных систем). Изложены физические основы методов изучения поверхности и газовой фазы, основанных на неравновесных гетерогенных...
Учебное пособие, Воронеж: Изд-во ВГУ, 1989.- 224 с. Библиогр. 11 назв. Ил. 78, Табл. 11 В учебном пособии рассматриваются природа поверхности полупроводников и границы раздела полупроводник-диэлектрик, дано введение в феноменологическую теорию приповерхностной области пространственного заряда полупроводника и описание основных ее характеристик. Излагается теория структур...
Москва: Мир, 1967. — 75 с. Небольшая книжка содержит очень сжатый систематический обзор состояния исследования оптических свойств полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра к моменту написания книги. Это один из первых вообще обзоров оптических свойств полупроводников. Книга рассчитана на физиков и инженеров, работающих в области изучения и использования...
Перевод с чешского. — Москва: Издательство иностранной литературы, 1962. — 256 с. Книга крупнейшего чехословацкого специалиста по полупроводникам проф. Тауца посвящена фото- и термоэлектрическим явлениям в полупроводниках, на которых основана возможность прямого преобразования световой (солнечной) и тепловой энергии в электрическую. В книге дано краткое изложение физики...
Киев: Наукова думка, 1984. — 264 с. В монографии освещены вопросы полупроводникового материаловедения с позиций квантовой механики, статистической физики и физики полупроводников. Впервые описана теоретико-групповая диаграммная техника для расчета термодинамических величин взаимодействующих систем. Приведены расчеты для бинарных монокристаллов, а также для полупроводниковых...
Учебное пособие. Москва. 2000 г. – 51 стр.
Модель Кронига-Пенни.
Термодинамические равновесные концентрации электронов и дырок в чистом и примесных полупроводниках.
Теория контактного PN-перехода.
Рига: Зинатне, 1966.-547 с. Сборник трудов, обзорных работ, статей по изeчению физики p-n переходов. Число работ, посвященных исследованию физических свойств переходов растет. Книга будет интересна для специалистов, работающих в области изучения физических явлений в полупроводниках, а также для занимающихся изучением свойств ряда полупроводниковых приборов с p-n переходами.
М.: Мир. 1970. 488с. Книга представляет собой коллективную монографию крупных зарубежных специалистов по физике полупроводников, посвпщенную оптическим свойствам полупроводниковых соединений элементов III и V групп периодической системы (A^3 B^5). Такие соединения (InSb, GaAs, InР, ВР и т. д.) в последние годы находят все более широкое применение как материалы для...
Монография. — Москва: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1977. — 366 с. Оптические методы исследования позволяют изучать физические свойства полупроводников и независимо от других методов точно определять их характеристические параметры. В настоящей монографии творчески обобщены последние результаты экспериментальных исследований оптических свойств...
Учеб. пособие для вузов по спец. «Полупроводники и диэлектрики» и «Технология специальных материалов электронной техники». — 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высш. шк., 1984. — 352 с., ил.
В книге изложены основные разделы физики полупроводников; освещены важнейшие области ах применения; рассмотрены наиболее распространенные методы измерения параметров полупроводниковых...
Монография — М.: Металлургия, 1977, 240 с. — 600dpi, чёрно-белый, OCR Рассмотрены принципиальные отличия явления распада в полупроводниках от распада в металлах. Показано возникновение в полупроводниках качественно новых закономерностей — ускорение распада, появление дополнительных кинетических стадий и др. Развит квазихимический подход для описания процессов взаимодействия...
Москва: Наука, 1971. — 216 с. В обзоре Р. Фишера и X. Ноймана изложены основы теории автоэмиссии полупроводников n-типа с учетом особенностей их зонной структуры. Приводятся выражения для плотности эмиссионного тока и энергетического распределения автоэлектронов, рассматривается влияние поверхностных состояний на автоэмиссию. Вторую, экспериментальную, часть обзора составляют...
Москва: Наука, 1964. — 284 с. Книга содержит подробный анализ ряда простых, но практически очень важных случаев кинетики люминесценции кристаллофосфоров. Для этих случаев определяются законы разгорания и затухания люминесценции, зависимость яркости от интенсивности возбуждения и другие характеристики процесса. Рассмотрено также внешнее тушение, рекомбинационное взаимодействие...
М.: Мир, 1969. — 128 с. Книга содержит сжатое, но очень насыщенное изложение вопросов взаимодействия излучения с неметаллическими кристаллами и металлами. В первой части строго рассматриваются все важнейшие теоретические представления, во второй приводятся принципиально важные экспериментальные данные и дается их анализ. Книга рассчитана на физиков-теоретиков и экспериментаторов,...
Учебное пособие. — Томск: Издательство Томского государственного педагогического университета, 2008. — 140 с. — ISBN: 978-5-8353-0654-1. Пособие разработано по курсу ДС «Кинетические и размерные эффекты в твердых телах» по специальности "Физика» в соответствии с государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования и рассматривает влияние...
М.: Мир, 1989. - 240 с. - Для специалистов по физике полупроводников, инженеров и технологов, а также для студентов и аспирантов.
Книга польского ученого представляет собой введение в новую область физики полупроводников - физику многослойных полупроводниковых микроструктур, так называемых сверхрешеток, нашедших важное применение в пикосекундной полупроводниковой электронике....
М.: "Наука", 1986. - 240 с. В книге описываются бесщелевые полупроводники, свойства которых благодаря отсутствию щели между зоной проводимости и валентной зоной чрезвычайно чувствительны к внешним воздействиям. Рассматриваются электронный спектр чистых бесщелевых полупроводников типа серого олова и теллурида ртути, влияние примесей (в том числе магнитных) на их зонную структуру...
Москва: Наука, 1978. — 328 с. В книге излагается современное состояние исследования зонных структур и динамики носителей заряда в полупроводниках. Подробно рассматривается kp -метод расчета электронных энергетических спектров. Уделяется много внимания построению качественной картины спектра при известных симметрии и химической связи кристалла. Описываются зонные структуры...
Издательство "Наука", Главная редакция физико-математической литературы, М. , 1972 г., 640 с.
Книга посвящена изложению современного состояния зонной теории полупроводников и динамики электронов и дырок. Подробно рассматриваются методы расчета электронных энергетических спектров твердых тел, причем уделяется внимание вопросам построения качественной картины спектра на основе...
Запорожье: ЗГИА, 2004. — 344 с. Изложены теоретические основы и вопросы практической реализации технологии полупроводникового кремния, методы выращивания монокристаллов и получения изделий из кремния, а также получение эпитаксиальных слоев кремния. Значительное внимание уделено фазовым переходам в полупроводниках и тонкой структуре монокристаллов кремния. Рассмотрено влияние...
Москва-Ленинград: Энергоиздат, 1963. — 552 с. В книге описаны физические свойства и элементарная теория полупроводниковых приборов; рассматриваются основные конструктивные принципы, а также некоторые эксплуатационные и схемные свойства этих приборов. Книга предназначена для инженерно-технических работников, работающих над созданием и применением полупроводниковых приборов, и...
М.: Наука, 1969. — 292 с. В книге в весьма доступной и сжатой форме описаны тепловые и диффузионные процессы в кристаллах, кинетические, оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках. Включены такие новые вопросы, как явления в сильных квантующих магнитных полях, электрическая доменная неустойчивость, принципы работы квантовых оптических генераторов. Интерпретация...
3-е изд, испр. — М.: Энергоатомиздат, 1985. — 392 с., ил. В книге рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеивания носителей зарядов, генерация и рекомбинация носителей заряда, изложены контактные и поверхностные...
2-е изд., перераб. — М.: Энергия, 1976. — 416 с. В книге изложены основные вопросы физики полупроводников. В ней рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности полупроводников, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация...
М.: Мир, 1991. — 464 с., ил.
Книга ученого из ФРГ содержит систематическое изложение актуальных вопросов динамики нелинейных систем, неравновесных фазовых переходов и возникновения детерминированного хаоса в приложении к физике полупроводников. Сделана попытка связать физику полупроводников с теорией линейных механических систем, далеких от термодинамического равновесия....
СПб, СПбГТУ, 1993. - 76 с
Посвящено физике, технологии и возможностям приборного применения полупроводниковых структур с двумерным электронным газом. Исследование таких структур стало в последнее десятилетие наиболее активно развивающимся направлением физики полупроводников. Предназначено для студентов-физиков, изучающих физику полупроводников, в первую очередь для студентов...
М.: Наука, Главная редакция физико-математической литературы, 1979. — 416 с.
В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов. К этим явлениям относятся андерсеновская локализация электронов, прыжковая проводимость, переход от металлической...
М.: Металлургия, 1964.- 208с.
Книга знакомит читателя с рядом перспективных для радиоэлектроники полупроводниковых материалов, принадлежащих к наиболее обширной группе полупроводников — алмазоподобным полупроводникам. В книге рассматриваются только такие полупроводники, технологии изготовления которых в отечественной и зарубежной литературе. Детальному описанию этих материалов...
Приложение к теории транзисторов. — М.: Издательство иностранной литературы, 1953. — 715 с. В основу этой книги положен ряд лекций, прочитанных автором в связи с развитием программы работ по транзисторам. Содержание ее и структура в значительной степени определились этими лекциями. Ударение в изложении сделано, в соответствии с этим, на явления, наиболее существенные для...
Москва: Радио и связь, 1997.-208 с. В монографии, написанной известным специалистом в области полупроводниковой электроники, изложены физические основы работы, технология и проблемы надежности лавинно-пролетных диодов. Рассмотрены вопросы конструирования СВЧ-генераторов и усилителей на основе лавинно-пролетных диодов. Приведены примеры использования приборов в СВЧ-технике. Для...
Пер. с англ. И. И. Решиной. Под ред. Б. П. Захарчени. — 3-е изд., испр. и доп. — М.: Физматлит, 2002. — 560 с. — ISBN 5-9221-0268-0. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" содержит детальное объяснение электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников и полупроводниковых наносистем. В книге применен скорее физический, чем строго...
М., Изд. МГУ, часть 1 (122 с.), 1988
Учебное пособие включает в себя первую часть спецкурса, посвященного различным явлениям, обусловленным взаимодействием электромагнитного излучения с полупроводниками. Рассмотрены поглощение, отражение, излучение света, связь оптических параметров с квантовомеханическими параметрами системы; показано, как из спектров в коротковолновой области...
М., Изд. МГУ, часть 2 (88 с.), 1991
Учебное пособие представляет собой вторую часть спецкурса, который посвящен взаимодействию электромагнитного излучения с полупроводниками. Рассмотрены поглощение и отражение свободными носителями тока, однофононный резонанс, двухфононное поглощение, рассеяние на оптических и акустических фононах. Рассмотрено взаимодействие света с примесями,...
Новосибирск: НГУ, 1980. — 92 с. Учебное пособие посвящено анализу работы и методам расчета основных элементов акустоэлектронных устройств обработки и хранения информации - преобразователей для возбуждения и индикации поверхностных волн. Эти вопросы являются предметом второй части учебного пособия. В НГУ соответствующие лекции читаются на IV курсе физического факультета. Пособие...
Комментарии