Int. Journal of Engineering Research and Applications, Vol. 6, Issue 1, (Part - 6) January 2016, p. 65-68. For critical application systems, which control nuclear power plants and other energy facilities, air, sea and ground vehicles, the needs to ensure their operability are increased. To fulfill this requirement, it is necessary to increase the technical readiness...
European Journal of Engineering and Technology. Vol. 3, No. 5, 2015, p. 72-79. A structure of the memory modules with built-in self-test and recovery means, which will perform the replacement of data bits of the main memory cell array in which faults were accrued at the output data from the spare memory cell array, is proposed. The automatic reconfiguration of the memory...
Известия вузов. Электроника / Proceedings of Universities. Electronics. — 2021. — Т. 26. — № 3-4. — С. 282–290. Схема синхронизации при вводе-выводе играет важную роль с целью достижения максимальной скорости и достоверности передачи данных при функционировании памяти. В работе представлена архитектура интерфей- са устройства тестового диагностирования синхронной памяти с...
II Международная научно-техническая конференция “Пром-Инжиниринг”. 2016, с. 351-354. Решена задача повышения коэффициента технической готовности модулей памяти, значение которого возрастает при уменьшении времени восстановления системы управления при отказе входящих в нее устройств. Предлагается структура модулей памяти со встроенными средствами самотестирования и...
Известия вузов. Электроника / Proceedings of Universities. Electronics. — 2020. — Т. 25. — № 4. — С. 339–346. В современных цифровых системах на кристалле объем встроенной памяти увеличивается. Она занимает значительную площадь на кристалле, что приводит к новым дефектам изготовления и снижает процент выхода год ных систем. В работе предложена архитектура встроенных средств...
Известия вузов. Электроника / Proceedings of Universities. Electronics. — 2019. — Т. 24. — № 3. — С. 239–247. При производстве систем на кристалле с использованием современных технологий с высокой интеграцией элементов возникают проблемы тестирования и ремонта встроенной памяти. В работе предложена оригинальная архитектура отказоустойчивой полупроводниковой памяти с заданной...
Требуется помощь специалистов в преобразовании этого разделаПомощь в выполнении плана развития этого раздела - это отличная возможноть принять активное участие в развитии интересной для вас тематики и "подзаработать" на этом баллы.
Комментарии