М., Сов. радио, 305 стр., 1981 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода. Рассматривается физическая модель р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник и р—п перехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих контактов. Рассматриваются эквивалентная схема и пробойные явления. Особое внимание уделяется омическим контактам металл— полупроводник, диодам Шоттки и транзисторам с затвором Шоттки. Для студентов радиофизических, физических и электронных специальностей вузов, занимающихся вопросами физики полупроводников и полупроводниковой электроники. Книга может быть полезно аспирантам, научным и инженерно-техническим работникам.
Чтобы скачать этот файл зарегистрируйтесь и/или войдите на сайт используя форму сверху.
Москва: Техносфера, 2011. — 416 с. В книге представлено обобщение накопленного опыта по созданию транзисторов на основе широкозонных материалов, в частности, транзисторов на гетераструктурах типа AlGaN/GaN и СВЧ устройств на их основе. Подробно описаны свойства широкозонных полупроводников, методы их получения и исследования, а также способы создания гетероструктур на различных...
Справочник. — Москва: Радио и связь, 1991, 528 с. Рассмотрены механические, химические, ионные, плазменные, электронно-лучевые и другие методы обработки в технологии микроэлектронных устройств. Обобщены данные по выращиванию монокристаллов, диффузии, эпитаксии, ионной имплантации, технологии тонких пленок, литографии, сборке и герметизации. Значительное внимание уделено контролю,...
М, Мир, 1984 - 456 с. (300dpi, b/w, OCR) Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. В переводе на русский язык выходит в двух книгах. Книга 1 посвящена физике биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p–n-переходом и барьером Шоттки). Для научных...
М.: Мир, 1984. — 456 с. (300 dpi, b/w, OCR) Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. В переводе на русский язык выходит в двух книгах. Книга 2 посвящена физике приборов на туннельном эффекте и оптоэлектронных устройств (светодиодов, лазеров, фотодетекторов и солнечных батарей). Для научных работников и инженеров,...
М.: Физматлит, 2008. — 488 с.
Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов...
Баку, БГУ, 2003, 231 стр. Рассмотрены электрофизические процессы в реальных контактах металл – полупроводник, в приконтакной полупроводниковой области которых возникает дополнительное электрическое поле контактной разности потенциалов (поле пятен) как между микроучастками с различными высотами потенциальных барьеров на контактной поверхности, так и между контактной поверхностью...