Монография. — 2 изд., перераб. и доп. — Ростов-на-Дону; Таганрог: Южный федеральный университет, 2019. — 213 с.
В монографии обобщены результаты теоретических и экспериментальных исследований физико-химических процессов, протекающих при анодировании Si, SiC, пленок Si
3N
4, термического и анодного SiO
2 в электролитах с легирующими добавками.
На основе термодинамического и кинетического анализа предложены возможные механизмы анодных реакций получения SiO
2, включающего легирующие элементы.
Изучены особенности кинетики электролитического оксидирования данных материалов, состав, строение и свойства легированных анодных пленок SiO
2.
Приведены примеры их применения для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Книга предназначена для специалистов в области полупроводниковой электроники и микроэлектроники и может быть полезной магистрантам и аспирантам соответствующих специальностей.