Васильев В.Ю. Химическое осаждение из газовой фазы тонких пленок для электроники. Оборудование, методология и опыт выращивания тонких пленок

New York: Nova Science, 2014. — 314 с.В настоящей монографии обобщен опыт автора по вопросам разработки оборудования, методологии и исследований роста тонких пленок, приобретенный в ходе 30-ти летней исследовательской в области технологии интегральных микросхем (ИМС). В монографии рассматриваются различные вопросы, связанные с неорганическими тонкими пленками, полученными методами химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) и предназначенными для использования в технологии ИМС.
Автор обсуждает методологические вопросы, основы химической кинетики получения тонких пленок. Стержнем монографии является анализ кинетических особенностей получения тонких пленок, полученных в различных типах реакторов ХОГФ с использованием различных исходных химических реагентов и в различных условиях проведения процессов ХОГФ. В монографии анализируется широкий круг вопросов, связанных с ХОГФ тонких пленок: оборудование, особенности исходных химических реагентов, методология ХОГФ, кинетические особенностей роста пленок при ХОГФ и их количественная интерпретация, использование полученных количественных зависимостей для решения вопросов роста пленок на рельефе и в узких зазорах ИМС, взаимосвязь свойств тонких пленок с особенностями процессов ХОГФ, классификация процессов ХОГФ тонких пленок.
Автор хотел бы подчеркнуть, что экспериментальные данные, представленные в настоящей монографии, получены различными исследовательскими группами. Большинство данных неоднократно проверялось и подтверждалось. Автор хотел бы подчеркнуть, что рассматривает настоящую монографию как попытку создать целостный взгляд на тематику ХОГФ тонких пленок для применения в ИМС. В связи с этим автор предпринял попытку обобщения наиболее общих закономерностей роста тонких пленок, их состава, структуры и свойств.
Большой объем анализируемого материала разбит на три части и 16 глав. Основное содержание этих частей: 1) оборудование для ХОГФ, методология процессов и исследований тонких пленок, 2) анализ примеров кинетики роста пленок и 3) анализ особенностей процессов ХОГФ тонких пленок. В заключительной Главе 16 автор обобщает основные тренды развития метода ХОГФ тонких пленок применительно к ИМС и делает прогноз трендов развития и задач на будущее.
Монография предназначена научных работников, исследователей, аспирантов, студентов, а также инженеров, решающих повседневные задачи микроэлектронной технологии.