Сейдман Л.А. Реактивное нанесение в вакууме слоёв нитрида титана и применение их в системах контактной металлизации полупроводниковых приборов

М.: ЦНИИ Электроника, 1988. — 61 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 6 (1368)).Обзор посвящен тонким пленкам нитрида титана, их получению и применению в полупроводниковой электронике. По сравнению с зарубежной литературой в отечественной литературе этому вопросу уделено мало внимания. Цель данного обзора – обобщить зарубежный опыт и помочь овладеть им технологам и разработчикам полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Пленки нитрида титана нашли применение в электронике в качестве выпрямляющих и невыпрямляющих контактов к полупроводникам и затворов МОП-приборов, но главное их применение – барьер для диффузии в многослойных контактных системах полупроводниковых приборов. Это обусловлено как их хорошими барьерными свойствами, так и тем, что формирование такого барьера хорошо согласуется с технологией изготовления существующих контактных систем.
Рассмотрены различные способы получения пленок нитрида титана в вакууме, Особое внимание уделено реактивному магнетронному нанесению. Рассмотрены основные технологических параметры, влияющие на процесс реактивного нанесения, а также способы контроля процесса. Приведены основные свойства пленок и их зависимости от параметров процесса нанесения. Рассмотрены технологические особенности применения пленок нитрида титана в полупроводниковых приборах и интегральных схемах. Описано применение пленок нитрида титана в контактах с полупроводниками и в качестве диффузионного барьера в многослойных контактных системах полупроводниковых приборов. Применение такого барьера увеличило термостойкость контактных систем на 100 - 200° К и соответственно долговечность и надежность приборов.
Обзор составлен по результатам исследований отечественных и зарубежных авторов (1975 – 1987 г.г.) и рассчитан на научных работников и инженеров-технологов в области полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.