Спиридонов Н.С. Основы теории транзисторов

2-е, испр. и доп. — Киев: Техника, 1975. — 260 с.Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, импульсный режим работы, особенности транзисторов в интегральном исполнении. Кратко рассмотрены физические процессы, вольт-амперные характеристики и эквивалентные схемы МДП-транзисторов. Большое внимание уделено математическим моделям транзисторов.
Рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, а также может быть полезной студентам вузов.Предисловие.
Физические процессы в биполярных транзисторах.
Математические модели биполярных транзисторов.
Анализ процессов в биполярном транзисторе на постоянном токе. Статические модели транзистора.
Частотные свойства биполярного транзистора.
Малосигнальные модели биполярного транзистора.
Переходные процессы в биполярных транзисторах. Динамические модели транзисторов для большого сигнала.
Особенности интегрального биполярного транзистора.
Анализ процессов в транзисторе с участком тормозящего поля в базе.
Зависимость параметров транзистора от режима работы и температуры.
Полевые транзисторы с изолированным затвором.
Литература.