Учебно-методическое пособие. — М.: МИСиС, 2012. — 128 с. — ISBN 978-5-87623-565-7.
Излагаются теоретические основы работы программы
SimWindows 1.5, предназначенной для моделирования полупроводниковых приборов и элементов интегральных схем. Приводится информация о типах файлов программы, о формировании необходимых данных по параметрам, используемых при моделировании материалов, примеры записи файлов, описывающих свойства материалов и приборов на основе Si, AlGaInP, AlGaAs, нитридов элементов III группы и их твердых растворов. Рассматривается пример моделирования диода с pn-переходом на основе гетероструктур AlGaAs и солнечных элементов. Приводятся основные физические сведения о программе
SimWindows. Пособие соответствует программе курса "Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники". Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника" в качестве бакалавров, магистров и инженеров, при выполнении домашних заданий, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ.
Введение.
Документация для моделирования.Начальные сведения.
Руководство пользователя.
Примеры моделирования новых приборов.Файлы новых приборов.
Файлы новых материалов.
Моделирование диода с pn-переходом на основе гетероструктур AlGaAs.
Физические основы программы SimWindows.Переменные и константы, используемые в
SimWindows.
Заряд.
Внешняя оптическая генерация.
Энергия.
Квантово-размерные ямы.
Библиографический список.