Мартынов В.Н. Полупроводниковая оптоэлектроника. Раздел: Полупроводниковые источники света и фотоприемники

Учебное пособие. — М.: МИСиС, 1986. — 107 с.Предназначено для семинарских занятий. В пособии изложены принципы работы, устройство, система параметров и характеристики, технические характеристики светоизлучающих диодов, знаковых индикаторов, излучающих диодов инфракрасного диапазона, фотоприемников. Рассмотрены некоторые вопросы применения.Полупроводниковые светоизлучающие приборы.
Основные физические параметры полупроводниковых светоизлучающих приборов.
Внутренний квантовый выход.
Внешний квантовый выход.
Коэффициент полезного действия.
Общие физико-технологические принципы конструирования светоизлучающих приборов.
Способы повышения эффективности светоизлучающих приборов.
Реализация высокой внутренней квантовой эффективности излучения в активной области.
Способы снижения омических потерь электрической энергии в светоизлучающем приборе.
Обеспечение высокой оптической эффективности светоизлучающих приборов.
Система параметров и характеристик полупроводниковых излучателей и полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов.
Полупроводниковые светоизлучающие диоды.
Светоизлучающий кристалл.
Конструкция светоизлучающих диодов.
Фотометрические и электрические характеристики светоизлучающих диодов.
Светоизлучающий диод с управляемым цветом свечения.
Многоэлементные полупроводниковые индикаторы. Классификация полупроводниковых индикаторов.
Излучающие диоды инфракрасного диапазона.
Бескорпусные диоды для оптронов.
Излучающие диоды для ВОЛС.
Фотоэлектрические полупроводниковые приемники излучения и фотоприемные устройства.
Классификация фотоэлектрических полупроводниковых приемников излучения.
Параметры и характеристики ФЭПП.
Параметры, имеющие размерность основных электрических величин.
Параметры и характеристики чувствительности.
Параметры шумовых и пороговых характеристик. Шумы фотоприемника.
Инерционность ФЭПП.
Характеристики зависимости параметров ФЭПП от мощности излучения и внешних условий.
Фотоприемные устройства.
Требования к фотоприемникам, предназначенным для использования в оптоэлектронике.
Фотоэлектрические полупроводниковые приемники, используемые в оптоэлектронике.
Сравнение фотоприемников по их фоточувствительности и быстродействию.
Кремниевые фотодиоды с p-i-n структурой и лавинные фотодиоды.
Структурная схема ВОЛС.
Оптроны.
Литература.