Юрчук С.Ю., Мурашев В.Н. Моделирование полупроводниковых приборов

Курс лекций. — М.: МИСиС, 2001. — 99 с.Данный курс лекций является частью курса "Моделирование технологических процессов". В нем приведены основные уравнения, описывающие работу полупроводниковых приборов, и основные подходы к их решению, применяемые при моделировании; предложены примеры моделирования работы основных полупроводниковых приборов, являющихся элементами интегральных схем; показаны способы упрощения решения базовой системы уравнений для разных приборов. Решение уравнений и численные алгоритмы не рассматриваются, так как этот материал должен прорабатываться на практических занятиях и при выполнении лабораторных работ. Для усвоения предлагаемого материала необходимо иметь базовые знания по курсам "Физика твердого тела", "Физика полупроводниковых приборов и ИС", а также иметь представления об основных численных методах. Предназначен для студентов направления 654100 "Электроника и микроэлектроника" специальности 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника" (специализация "Физика и технология интегральных микросхем и полупроводниковых приборов").Введение.
Основные методы построения моделей полупроводниковых приборов и ИС.
Виды моделей.
Исходные уравнения.
Способы дискретизации базовой системы уравнений.
Физико-топологическое моделирование работы диода.
Общие замечания.
Моделирование статического режима работы диода.
Расчет работы диода на переменном сигнале.
Моделирование работы биполярного транзистора.
Математическая модель одномерного транзистора.
Расчет переходных процессов.
Моделирование двухмерных эффектов.
Моделирование трехмерной структуры.
Униполярные транзисторы (МДП-транзисторы).
Основные уравнения МДП-компонентов.
Физико-топологические модели.
Двухмерный анализ.
Разновидности униполярных элементов.
Дифференциально-разностные методы решения базовой системы уравнений.
Достоинства дифференциально-разностных методов.
Элементы с сосредоточенными параметрами.
Модель Линвилла для участка кристалла.
Пример построения одномерной распределенной модели транзистора.
Модели диода с сосредоточенными параметрами.
Модели транзистора с сосредоточенными параметрами.
Библиографический список.