Орлова М.Н., Борзых И.В. Наноэлектроника. Курс лекций

М.: МИСиС, 2013. — 50 с. — ISBN 978-5-87623-725-5.Рассмотрены физические и технологические основы наноэлектроники. Описаны подходы, позволяющие формировать элементы электронной техники в приборах и устройствах наноэлектроники. Проанализированы тенденции развития наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Курс лекций представляет собой практическое руководство для студентов и аспирантов технических вузов, обучающихся по направлению «Электроника и наноэлектроника».Введение.
Введение в нанотехнологию в электронике. Предпосылки перехода от микро- к наноэлектронике.
Получение полупроводниковых материалов.
Получение полупроводниковых пластин.
Получение эпитаксиальных структур.
Физические основы наноэлектроники.
Квантово-размерные эффекты.
Простейшие виды низкоразмерных объектов.
Туннельный эффект.
Технические средства нанотехнологии.
Два подхода к изготовлению структур в нанотехнологиях.
Эпитаксиальные методы получения наноструктур.
Приборы наноэлектроники.
Нанотранзисторы.
Углеродные нанотрубки.
Кремний как основной материал полупроводниковой наноэлектроники.
Использование синхротронного излучения для анализа наноразмерных структур.
Методы локальной модификации поверхности с помощью сканирующей зондовой микроскопии.
Получение наноразмерных Si–Ge-структур методом термического испарения.
Библиографический список.