Акчурин Р.Х., Мармалюк А.А. МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

М.: Техносфера, 2018. — 488 с. — (Мир материалов и технологий). — ISBN 978-5-94836-521-3.В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.
Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники.
Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.Общая характеристика метода
Термодинамические и кинетические аспекты МОСГЭ
Массоперенос
Источники, используемые для получения ЭС AIIIBV и AIIBVI
Механизмы и кинетика химических реакций
Процессы на поверхности роста
Оборудование МОСГЭ
Моделирование МОСГЭ
МОСГЭ полупроводников AIIIBV
МОСГЭ полупроводников AIIBVI
Другие классы материалов