Бунтов Е.А., Вохминцев А.С., Штанг Т.В. Современные устройства и элементы наноэлектроники

Учебно-методическое пособие. — Екатеринбург: Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина (УрФУ), 2020. — 132 с. — ISBN: 978-5-7996-3090-4.В пособии рассмотрены физические основы, а также основные типы современных и перспективных элементов наноэлектроники. Особое внимание уделено полевым транзисторам с индуцированным каналом (МОП), их масштабированию и побочным эффектам миниатюризации. Рассмотрены краткие теоретические сведения и задания для практических занятий по разделам, не нашедшим отражения в основной части пособия.
Настоящее пособие может быть использовано в учебных целях в вузах физического, приборостроительного и электротехнического профилей.Элементы низкоразмерных структур. Гетеропереходы
Свободная поверхность и поверхностные состояния
Межфазные границы: атомная и зонная структура
Низкоразмерные структуры и квантовое ограничение
МОП-транзисторы и «короткоканальные» эффекты
Простейшая модель МОП-транзистора с длинным каналом
Связь статических и динамических характеристик МОПТ
Эффекты масштабирования транзисторов
Технологии миниатюризации транзисторов в кремниевой электронике
Токи утечки и масштабирование транзисторов
Технологии борьбы с токами утечки
Альтернативные типы транзисторов
Основы одноэлектроники
Одноэлектронный транспорт и туннелирование
Одноэлектронный транзистор
Примеры одноэлектронных устройств
Современные элементы памяти
Магнитная память
Сегнетоэлектрическая память
Память с изменением фазового состояния
Резистивная память. Мемристоры
Квантовые компьютеры
Квантовые биты и регистры
Квантовые операции
Практическая реализация квантовых компьютеров
Перспективные квантовые алгоритмы
Экспериментальные аспекты наноэлектроники
Исследование туннельного эффекта на туннельном диоде
Исследование характеристик МОП-транзисторов
Моделирование работы МОП-транзистора
Исследование резонансно-туннельного эффекта
Моделирование ионной имплантации