Сборник статей. — Москва: Техносфера, 2018. — 528 с. — ISBN: 978-5-94836-526-8.
В сборник вошли статьи сотрудников Федерального государственного автономного научного учреждения "Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова" Российиской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), опубликованные в период 2010-2017 гг. по новым направлениям исследований наногетероструктур A3B5 (арсенид галлия и нитрид галлия): расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот, создание фотопроводящих антенн для терагерцевых устройств.
Малогабаритные встроенные антенны сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн
Фотопроводящие материалы и интегральные антенны на их основе для терагерцевого диапазона частот
Системы на кристалле со встроенными антеннами
Приложения:Результаты интеллектуальной деятельности ИСВЧПЭ РАН за 2010-2017гг.
Усилители мощности и малошумящие усилители для диапазона частот 8-12 ГГц. Обзор
Усилители в монолитном исполнении для диапазона частот 56-67 ГГц. Обзор.
Генераторы, управляемые напряжением для диапазона частот 56-67 ГГц. Обзор.
Схемотехнические и конструктивные решения для смесителей для диапазона частот 57-67 ГГц. Обзор.
Радиоприемные устройства для диапазона частот 57-67 ГГц. Обзор.
Стратегическая программа исследований технологической платформы "СВЧ-технологии".
Справочный лист комплекта монолитных интегральных схем на нитриде галлия для диапазона 57-64 ГГц.