Paraninfo, 1969. — 206 p.
Semiconductores. Conducción por electrones y por huecos. Diodos de unión
Corriente eléctrica; conductores y aislantes. Semiconductores: estructura molecular y conducción intrínseca
Impurezas; semiconductores contaminados “N” y “P”. Conducción a través de los semiconductores contaminados
Unión np en equilibrio. Unión np, bajo tensión; corriente directa y corriente inversa
Corriente inversa y reacción térmica
Efecto transistor. Características estáticas y parámetros. Mando de un transistor
Efecto transistor; relaciones fundamentales
Montaje BC; características estáticas, resistencia interna, resistencia de entrada. Montaje Ec
Recta de carga; característica dinámica. Recta de ataque; distorsión lineal. Mando por tensión y por corriente
Efecto transistor representado por una “fuente de tensión” o por una “fuente de corriente”
Trabajos prácticos
Amplificadores de pequeña potencia en régimen sinusoidal estable (clase a)
Efecto “triodo” y efecto “transistor”; ganancia de potencia; mando adaptado; ganancia compuesta de potencia
Ejemplo de cálculo de un preamplificador de B.F.
Uniones por transformadores y por capacidades; circuitos equivalentes
Ejercicios y trabajos prácticos
Contrarreacción de intensidad por inserción de una resistencia entre emisor y masa en el montaje de ec; preamplificador de dos pasos
Inserción de una resistencia Re entre el emisor y masa en el montaje de emisor común
Ejemplo de cálculo de un preamplificador de dos pasos de emisor común; unión por resistencia-capacidad, contrarreacción de intensidad
Ejercicios y trabajos prácticos
El cuadripolo
Cuadripolo lineal en régimen sinusoidal estable
Amplificación por cuadripolo lineal; parámetros en Z. Ganancia, impedancia de entrada y de salida
Cuadripolo pasivo y activo; ganancia inversa y reacción interna
Transistor en régimen sinusoidal permanente, con pequeñas señales, considerado como un cuadripolo lineal
Circuito equivalente, ganancia e impedancia de entrada y de salida del montaje BC
Circuito equivalente y características del montaje de EC
Circuito equivalente y características del montaje CC
Ejercicios
Parámetros híbridos y su medida llamada “dinámica”
Parámetros híbridos; su significación física y sus fórmulas de transformación
Medida dinámica de los parámetros
Ejercicios y trabajos prácticos
Caldeo acumulativo de los transistores
Corriente inversa; reacciones térmica e interna. Factor de estabilidad térmica. Derivada del punto de funcionamiento
Caldeo acumulativo en clase A. Equilibrio térmico; estabilidad térmica y temperatura crítica
Red de curvas universales. Predeterminación del factor de estabilidad máxima admisible que asegure el segundo margen térmico 123
Primer margen térmico Θj, máx - Θj y potencia disipada directa límite
Insuficiencias de la teoría clásica del calentamiento acumulativo. Medidas térmicas. Punto de polarización
Términos despreciados en el establecimiento de la teoría clásica del calentamiento acumulativo
Medidas térmicas simplificadas
Punto de polarización con fuente única, que permite obtener un punto de reposo y un factor de estabilidad térmica S dados
Otros valores límites que no se deben rebasar
Ejemplo numérico de la predeterminación de los márgenes térmicos y de la deriva en clase A
Medidas y cálculos preliminares
Trazado de la red universal con γ = 7850 y Θ0 = 25°. Determinación del factor de estabilidad térmica S. Trazado de la curva de calentamiento ζ(Θ) y verificación del primer margen térmico teórico: Θj, máx - Θj
Cálculo del punto de polarización. Apreciación de los términos correctivos; verificación experimental
Ejercicios y trabajos prácticos
Montaje simétrico “push-push” con válvulas de vacío
Funcionamiento en clase A
Primario real, ficticio equivalente, corriente consumida por la válvula en otras clases que en la “A”
Funcionamiento en clase A1
Funcionamiento en clase AB
Polarización automática
Montaje simétrico con transistores en clase ab; carga por transformador con punto medio
Potencia disipada directa Wd
Potencia disipada inversa; tercer margen térmico a respetar
Proyecto de amplificador “push-push” transistorizado
Proyecto de un paso “push-push” transistorizado; ejemplo numérico
Cálculos preliminares
Factor de estabilidad en funcionamiento. Cálculo de Re, trazado de la curva ζ(Θ) y verificación de los dos primeros márgenes térmicos
Corrección de la tensión de soporte de base. Factor de estabilidad en reposo y verificación del tercer margen teórico. Cálculo del puente
Medidas, diferencias y conclusiones
Ejercicios y trabajos prácticos