Под ред В.Н. Кулешова. — М.: Московский ордена Ленина и ордена Октябрьской Революции энергетический институт, 2009. — 180 с.
Изложены принципы работы и методы анализа простейших функциональных узлов на биполярных транзисторах. Рассмотрены методы расчета малосигнальных характеристик электронных усилителей на биполярных транзисторах (коэффициент усиления, входная и выходная проводимости, полоса пропускания), включенных по схемам с общим эмиттером, общим коллектором и общей базой. Описаны методы расчета и построения передаточных характеристик усилителей по напряжению. Изложены принципы построения логических элементов на биполярных транзисторах. Основное внимание уделено пояснению использования метода эквивалентных схем при расчете и анализе работы функциональных узлов на биполярных транзисторах.