Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Феклистов В.Б., Вениг С.Б. Измерение параметров полупроводников, микро- и наноструктур на СВЧ

Лабораторный практикум – Саратов: Электронное издание Сарат. ун-та, 2012. – 91 с.: ил.
Краткое изложение теоретических положений для понимания сущности методов измерений, приведены выводы рабочих формул, положенных в основу измерений, обсуждены основные источники погрешностей, достоинства и недостатки различных способов измерений.
Для студентов университета, обучающихся по специальностям «Нанотехнология в электронике», «Материаловедение и технология новых материалов», «Микроэлектроника и твердотельная электроника», «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», «Медицинская физика», «Управление качеством» и по направлению подготовки бакалавр-магистр «Электроника и наноэлектроника», а также научных сотрудников, аспирантов и инженеров, занимающихся проведением научных исследований в родственных областях науки.
Содержание.
Введение.
Лабораторная работа № 1: Измерение параметров полупроводниковых и диэлектрических материалов на СВЧ по частотным зависимостям коэффициентов отражения и прохождения.
Общие положения.
Определение диэлектрической проницаемости и электропроводности исследуемого материала методом полуволнового резонанса.
Измерение параметров материалов с высокой диэлектрической проницаемостью.
Порядок выполнения работы. Данные для вычислений. Контрольные вопросы.
Лабораторная работа № 2: Измерение параметров полупроводниковых материалов методом «короткого замыкания» и «холостого хода».
Общие положения.
Измерение коэффициента отражения.
Порядок выполнения работы. Данные для вычислений. Контрольные вопросы.
Лабораторная работа № 3: Измерение параметров полупроводниковых пластин, частично заполняющих волновод по сечению, по изменению характеристик распространения волны.
Общие положения.
Измерение характеристик волны с помощью измерительной линии.
Порядок выполнения работы. Данные для вычислений. Контрольные вопросы.
Лабораторная работа № 4: Мостовые методы измерения параметров полупроводниковых материалов.
Общие положения.
Вывод выражения для коэффициента отражения от короткозамкнутого отрезка волновода, полностью заполненного полупроводником.
Порядок выполнения работы. Данные для вычислений. Контрольные вопросы.
Лабораторная работа № 5: Резонаторные методы измерения параметров полупроводников.
Общие положения.
Общие свойства и распределение поля свободных колебаний в резонаторе.
Измерение параметров полупроводников резонаторными методами.
Порядок выполнения работы. Данные для вычислений. Контрольные вопросы.
Лабораторная работа № 6: Измерение параметров материалов методом волноводно-диэлектрического резонанса.
Общие положения.
Волноводно-диэлектрические резонансы.
Порядок выполнения работы. Данные для вычислений. Контрольные вопросы.
Лабораторная работа № 7: Измерение подвижности носителей заряда в полупроводниковых структурах.
Общие положения.
Влияние внешнего магнитного поля на характеристики полупроводниковых материалов.
Волноводный метод СВЧ магнитосопротивления.
Резонаторный метод СВЧ магнитосопротивления.
Порядок выполнения работы. Данные для вычислений. Контрольные вопросы.
Лабораторная работа № 8: Измерение параметров полупроводников и диэлектриков с использованием эффекта автодинного детектирования.
Общие положения.
Теоретическое описание работы автодинного генератора.
Методика измерений.
Порядок выполнения работы. Данные для вычислений. Контрольные вопросы.