Комаров А.С., Крапухин Д.В., Шульгин Е.И. Управление техническим уровнем высокоинтегрированных электронных систем (научно-технологические проблемы и аспекты развития)

Под редакцией П.П. Мальцева. — Москва: Техносфера, 2014. — 240 с. — ISBN: 978-5-94836-397-4.В монографии представлены результаты исследований и разработок по реализации "Основ политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 г. и дальнейшую перспективу", утвержденным президентом Российской Федерации.
Сформулированы основные принципы и методы управления техническим уровнем при реализации системной организации по проектированию, моделированию и технологическому обеспечению изготовления СБИС типа "система на кристалле", разработана концепция построения инфраструктуры сквозного проектирования сложно-функциональных СБИС от системного уровня до топологии кристалла, выбора технологического базиса для изготовления СБИС с учетом обеспечения специальных требований по радиационной стойкости, организации процесса изготовления фотошаблонов и микросхем, последующего их тестирования, сборки, испытаний и применения.Список условных сокращений.
Введение.

Исследование направлений и путей развития сложнофункциональных изделий микроэлектроники, проектирование РЭА на основе СБИС типа «система на кристалле».
Исследования направлений и путей развития сложнофункциональных изделий микроэлектроники, их функционального состава и характеристик.
Особенности конструирования СБИС типа «система на кристалле», основные проектные платформы СБИС типа «система на кристалле».Разработка и обеспечение реализации научно-методических принципов управления научно-техническим уровнем высокоинтегрированных электронных систем.
Системный анализ физико-технологических ограничений реализации развития технического уровня сложнофункциональных микроэлектронных систем.
Анализ функциональной полноты и достаточности разрабатываемых и планируемых к разработке СФ-блоков для проектируемых СнК в обеспечение РЭА.
Оценка достаточности действующей НТД по разработке и производству СБИС типа СнК с использованием СФ-блоков.
Организация разработки СБИС типа «система на кристалле» на основе СФ-блоков с топологическими нормами 0,18—0,25 мкм и последующим переходом в нанометровые области.
Применение статистического метода для анализа и прогнозирования развития проектно-технологического базиса сложнофункциональных СБИС.Формирование унифицированной номенклатуры СФ-блоков по технологии КМОП/КНС для создания радиационно-стойких СБИС типа «система на кристалле».
Анализ направлений и путей развития в области проектирования и изготовления сложнофункциональных изделий микроэлектроники типа СБИС «система на кристалле» на основе СФ-блоков, анализ проектно-технологических возможностей по их реализации.
Специальные требования к СФ-блокам СБИС типа «система на кристалле», предназначенным для работы в аппаратуре космических аппаратов с длительным сроком эксплуатации.
Тенденции развития СБИС для бортовой космической аппаратуры. Выбор и обоснование технологии, обеспечивающей изготовление СБИС типа «система на кристалле» для космических аппаратов с длительным сроком эксплуатации.Исследования по созданию технологии производства структу р с улы ратонкими слоями кремния на сапфире.
Анализ современного состояния технологий производства КНС структур с ультратонким эпитаксиальным слоем кремния и КМОП-микросхем на основе КНС структур с ультратонким слоем кремния.
Создание СБИС, в том числе типа «система на кристалле», и СФ-блоков для них по технологии КМОП/КНС аппаратуры управления ракетно-космической техники и автоматики специального назначения.
Разработка и создание технологии КНС структур с ультратонкими слоями кремния и проектных решений для реализации КМОП/КНС СБИС на их основе.Заключение.