Светцов В.И., Данилов Н.Г., Чеснокова Т.А. Плазмохимическое и ионно-химическое травление полупроводниковых материалов типа AIIIBV

Москва: ЦНИИ Электроника, 1989. — 47 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. Выпуск 6 (1487)).Приведен анализ отечественных и зарубежных литературных источников по травлению полупроводников типа A^IIIB^V (GaAS, InP, GaP) в галогенсодержащей низкотемпературной плазме пониженного давления, а также плазме водорода. Рассмотрены влияние внешних параметров разряда на скорость травления, механизмы реакций в объеме плазмы и на поверхности полупроводников в процессе травления. Проведен сравнительный анализ эффективности ряда хлорсодержащих плазменных реагентов.
Для специалистов, инженеров-технологов, преподавателей, аспирантов и студентов.Введение.
Активные газовые среды при травлении полупроводников A^IIIB^V.
Влияние внешних факторов на скорость травления.
Физико-химические процессы и механизмы травления полупроводниковых материалов A^IIIB^V.
Вопросы качества травления.
Возможность контроля травления полупроводниковых материалов типа A^IIIB^V.
Заключение.
Список использованной литературы.