Николаев К.П., Немировский Л.Н. Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике

Москва: ЦНИИ Электроника, 1989. — 61 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 9 (1506)).Рассмотрены особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике для создания изолирующих слоев, глубоко проникающих в пластину локальных областей высокой электропроводности, для геттерирования примесей, а также при создании трехмерных интегральных микросхем. На основании анализа формообразования слоев и результатов исследования их химического состава, структуры и физико-химических свойств показано изменение условий формирования слоев позволяет в очень широких пределах изменять их свойства и придавать сложную геометрическую форму, что значительно расширяет возможности конструирования и изготовления широкого класса различных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Для специалистов, инженеров-технологов, преподавателей, аспирантов и студентов.Введение.Получение пористого кремния.
Электрохимические реакции в системе кремний-электролит.
Получение ПК из кремния p-типа.
Получение ПК из кремния n-типа.
Технологические особенности формообразования слоев ПК.Свойства пористого кремния.
Химический состав слоев.
Структура.
Физико-химические свойства.Пористый кремний в сочетании с базовыми операциями планарной технологии.
Окисление.
Диффузия.
Эпитаксия.Применение пористого кремния.
Создание изолирующих слоев.
Получение глубоких высоколегированных областей.
Создание трехмерных интегральных схем.
Генерирование примесей.Заключение.
Список литературы.