Васильева Л.Л., Васильев В.Ю., Попов В.П., Сухов М.С. Моделирование процессов осаждения диэлектрических слоев из газовой фазы при низком давлении

Москва: ЦНИИ Электроника, 1984. — 26 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 8 (1051)).Анализируются явления тепло- и массопереноса в условиях реактора пониженного давления при объемной загрузке подложек. Определены условия лимитирования процесса газофазной или поверхностной реакциями. Показаны кинетические особенности проведения при низком давлении сложных многостадийных химических реакций, лежащих в основе процессов получения слоев двуокиси кремния, нитрида кремния и поликристаллического кремния, а также взаимосвязь кинетических особенностей со свойствами получаемых слоев. Рассмотрены принципы н конкретные примеры моделирования и оптимизации процессов осаждения.
Составлен на основе отечественных и зарубежных литературных источников за 1972—1983 годы.
Предназначен для специалистов микроэлектроники, занимающихся технологией получения слоев и разработкой оборудования для этих процессов.Введение.

Проблема получения однородных по толщине слоев. Две группы процессов.

Модель процессов с лимитирующей гетерогенной стадией.
Общая формулировка задачи.
Приближенное решение задачи. Диффузия в узких щелях и малые отклонения от плоского профиля.Модель процессов с лимитирующей гомогенной стадией.
Экспериментальный реактор для идентификации модели.
Анализ численного решения задачи для реактора проточно-диффузионного типа.Выводы.
Литература.