Борисова Т.А., Митин В.В., Симонова Т.В. Полупроводниковый кремний в электротехнической промышленности

Москва: ЦНИИ экономики и информации цветной металлургии, 1987. — 48 с. — (Производство редких металлов и полупроводниковых материалов. Обзорная информация. Выпуск 2).В обзоре рассмотрено современное состояние проблемы обеспечения исходными материалами силового полупроводникового приборостроения, описаны методы получения полупроводникового кремния в виде монокристаллических слитков и эпитаксиальных структур, способы легирования для получения материала с заданными свойствами, методы их исследования.
Приведены основные технологические схемы изготовления силовых приборов на базе полупроводникового кремния.
Рассмотрены основные типы силовых полупроводниковых приборов и области их применения. Разработана классификация приборов силовой электроники по достигнутым параметрам и способам изготовления, приведены перспективные значения этих параметров и пути их достижения.Введение.Методы получения исходных материалов для силовых полупроводниковых приборов.
Методы Чохральского и бестигельной зонной плавки.
Методы эпитаксиального наращивания слоев кремния.
Легирование эпитаксиальных слоев.Основные методы изготовления силовых полупроводниковых приборов.
Эпитаксиальная технология в производстве силовых полупроводниковых приборов.
Радиационные методы регулирования электрических параметров силовых полупроводниковых приборов.Перспективные разработки силовых полупроводниковых приборов.
Высоковольтные диоды.
Мощные быстродействующие диоды.
Высоковольтные тиристоры.
Быстродействующие тиристоры.
Запираемые тиристоры.
Тиристоры с электростатическим управлением.
Фототиристоры.
Транзисторы.
Биполярные транзисторы.
Полевые транзисторы.
Реверсивно включаемый динистор.Выводы.
Список литературы.