Васильев В.Ю., Сухов М.С. Аппаратура и методика осаждения слоев при пониженном давлении. Часть 2. Методика осаждения слоев при пониженном давлении

Москва: ЦНИИ Электроника, 1985. — 52 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 7. Технология, организация производства и оборудование. Выпуск 4 (1088)).Дана краткая характеристика используемых реагентов и методов экспресс-анализа свойств слоев, подробно проанализированы причины неравномерного роста слоев при объемной загрузке пластин в реакторах и способы оптимизации процессов осаждения при пониженном давлении, описаны конструкции реакторов для осаждения слоев.
Оценивается современный уровень процессов осаждения.
Рассчитан на специалистов, занимающихся исследованием и разработкой технологических процессов, и изучением свойств слоев, а также на инженерно-технических работников, проектирующих и эксплуатирующих оборудование для осаждения слоев при пониженном давлении.
Составлен по материалам отечественной и зарубежной печати за 1973—1984 годы.Введение.
Свойства реагентов, используемых для осаждения слоев.
Экспресс-анализ основных параметров осажденных слоев.
Оптимизация процессов осаждения в РПД.
Оптимизация расстояния между пластинами.
Оптимизация толщины слоев по длине реактора.
Конструкции реакторов.
Современное состояние метода осаждения слоев в РПД.
Требования к процессам осаждения слоев в РПД.
Современное состояние процессов осаждения в РПД.
Заключение.
Литература.