Семенченко А.Н., Райнова Ю.П., Чистяков Ю.Д. Тенденции развития оборудования для газофазной эпитаксии кремния

Москва: ЦНИИ Электроника, 1989. — 46 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 7. Технология, организация производства и оборудование. Выпуск 8 (1455)).Представлен анализ развития основных элементов систем газофазной эпитаксии кремния, в частности, геометрии реакторов, видов нагрева подложек, а также материалов, используемых и эпитаксиальной технологии. Приведена характеристика современного промышленного эпитаксиального оборудования. Отражен измененный подход к конструированию эпитаксиального оборудования, поиск новых методов в связи с ужесточением требований к качеству эпитаксиальных слоев кремния и ростом диаметров используемых подложек. Выявлена тенденция к индивидуальной обработке подложек большого диаметра в эпитаксиальной технологии как альтернативе групповой обработки. Для специалистов, инженеров-технологов, преподавателей, аспирантов и студентов.Введение.Основные элементы систем газофазного осаждения автоэпитаксиальных слоев кремния.
Геометрия эпитаксиальных реакторов.
Виды нагрева в эпитаксиальной технологии.
Материалы, используемые при осаждении эпитаксиальных слоев кремния.
Характеристика промышленного эпитаксиального оборудования.Перспективы развития оборудования для газофазной эпитаксии кремния.
Пути повышения качества эпитаксиальных слоев и производительности оборудования.
Групповая и индивидуальная обработка подложек в эпитаксиальной технологии.Заключение.
Список литературы.