Шепелев С.Н., Васильев В.Ю., Попов В.П. Плазмохимическое осаждение тонких слоев в реакторах пониженного давления. Часть 2. Процессы осаждения и свойства тонких пленок

Москва: ЦНИИ Электроника, 1988. — 63 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 2 (1332)).Рассматривается технология плазмохимического осаждения слоев нитрида кремния, поликристаллического кремния, двуокиси кремния силикатных стекол, их важнейшие свойства и области применения в микроэлектронике. Анализируется взаимосвязь свойств слоев с параметрами технологических процессов: мощностью и частотой ВЧ-разряда, температурой, давлением. Показаны преимущества технологий плазмохимического осаждения в сравнении с традиционными методами химического осаждения из газовой фазы.
Предназначен для специалистов, занимающихся разработкой технологических процессов и исследованием свойств материалов.
Составлен но материалам отечественной и зарубежной печати за 1977—1987 годы.Введение.Слои двуокиси кремния.
Осаждение слоев двуокиси кремния из неорганических соединений.
Осаждение слоев двуокиси кремния из кремнийорганических соединений.
Выводы.Слои нитрида кремния.
Осаждение слоев нитрида кремния из неорганических соединений.
Осаждение слоев нитрида кремния из кремнийорганических соединений.
Плазмохимическое осаждение слоев оксинитрида кремния.
Выводы.Слои кремния.
Слои эпитаксиального кремния.
Слои аморфного кремния.
Слои поликристаллического и микрокристаллического кремния.
Выводы.Заключение.
Литература.