Москва: ЦНИИ Электроника, 1986. — 54 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 7 (1242)).
Рассматриваются теоретические основы и современное состояние метода плазмохимического осаждения в реакторах пониженного давления, анализируются основные типы установок и конструкции промышленного оборудования для получения тонких диэлектрических и проводящих слоев.
Составлен по материалам отечественной и зарубежной печати за 1976—1985 годы.
Предназначен для специалистов, занимающихся разработкой оборудования и процессов получения тонких слоев.
Введение.Основы метода плазмохимического осаждения слоев.Основные параметры плазмы.
Типы реакторов.
Методы диагностики плазмы.
Промышленные реакторы.Планарные реакторы с «холодными» стенками.
Трубчатые реакторы с «горячими» стенками.
Сравнение характеристик различных установок.
Экспериментальные реакторы для плазмохимического осаждения слоев.Влияние плазмы на химическую реакцию.Проводящие материалы.Металлы.
Силициды металлов.
Выводы.
Литература.