Зарегистрироваться
Восстановить пароль
FAQ по входу

Шепелев С.Н., Васильев В.Ю., Попов В.П. Плазмохимическое осаждение тонких слоев в реакторах пониженного давления. Часть 1. Оборудование для осаждения слоев

  • Файл формата djvu
  • размером 1,51 МБ
  • Добавлен пользователем
  • Описание отредактировано
Шепелев С.Н., Васильев В.Ю., Попов В.П. Плазмохимическое осаждение тонких слоев в реакторах пониженного давления. Часть 1. Оборудование для осаждения слоев
Москва: ЦНИИ Электроника, 1986. — 54 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 7 (1242)).
Рассматриваются теоретические основы и современное состояние метода плазмохимического осаждения в реакторах пониженного давления, анализируются основные типы установок и конструкции промышленного оборудования для получения тонких диэлектрических и проводящих слоев.
Составлен по материалам отечественной и зарубежной печати за 1976—1985 годы.
Предназначен для специалистов, занимающихся разработкой оборудования и процессов получения тонких слоев.
Введение.
Основы метода плазмохимического осаждения слоев.

Основные параметры плазмы.
Типы реакторов.
Методы диагностики плазмы.
Промышленные реакторы.
Планарные реакторы с «холодными» стенками.
Трубчатые реакторы с «горячими» стенками.
Сравнение характеристик различных установок.
Экспериментальные реакторы для плазмохимического осаждения слоев.
Влияние плазмы на химическую реакцию.
Проводящие материалы.

Металлы.
Силициды металлов.
Выводы.
Литература.
  • Чтобы скачать этот файл зарегистрируйтесь и/или войдите на сайт используя форму сверху.
  • Регистрация