Зотов В.В., Стаценко В.Н. Новые применения лучистой энергии в микроэлектронике. Часть 3. Гетероэпитаксиальные структуры

Москва: ЦНИИ Электроника, 1986. — 39 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. Выпуск 9 (1235)).Обзор посвящен особенностям технологии полупроводниковых гетероструктур, изготовленных с применением импульсной лучевой термообработки: структурам «поликристаллический кремний на диэлектрике», «кремний на сапфире», «эпитаксиальные силициды на кремнии», «германий на кремнии», «полупроводниковые соединения на инородных подложках». Рассматриваются их технологические особенности, конкретные технические решения, методы их следований, последние достижения в создании таких структур, перспективы их применения в микроэлектронике. Для инженеров-технологов, разработчиков оборудования, разработчиков конструкций эпитаксиальных структур и интегральных схем, научных сотрудников, студентов и аспирантов.Введение.
Слои поликристаллического кремния на диэлектрике.
Структуры «германий на инородной подложке».
Гетероструктуры с произвольным соотношением постоянных решеток.
Структуры «кремний на сапфире».
Эпитаксиальные структуры со скрытым силицидным слоем.
Структуры «монокристаллический диэлектрик на кремнии».