Ерошкин А.В., Закурдаев И.В., Садофьев Ю.Г., Сеничкин А.П., Суворов А.М. Особенности эпитаксии и свойства гетеропереходов типа СIV/АIIIВV

Москва: ЦНИИ Электроника, 1989. — 69 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 3 (1433)).Рассмотрены основные вопросы гетероэпитаксии в системе неполярный элементарный полупроводник IV группы периодической системы Менделеева (Si,Ge) - полярное соединение A^IIIB^V (GaAs, GeP). Описаны основные типы структурных дефектов и способы понижения их концентрации, приведены электрофизические параметры выращенных слоев и некоторые характеристики полупроводниковых приборов на основе гетеропереходов типа С^IV/А^IIIВ^V. Для инженеров-технологов, разработчиков оборудования, разработчиков конструкций эпитаксиальных структур и интегральных схем, научных сотрудников, студентов и аспирантов.Основные сокращения и условные обозначения.
Введение.
Гетероэпитаксиальные слои Gе, Si на подложках соединений А^IIIВ^V.
Особенности получения и свойства структур Gе/GаАs.
Гетероэпитаксия кремния на арсениде галлия.
Разрыв зон на границе Si/GаАs.
Термическая стабильность межфазной границы Si/GаАs.
Гетероэпитаксия кремния на фосфиде галлия.
Использование гетероэпитаксиальных слоев Si, Ge на соединениях АIIIВV в полупроводниковых приборах.
Гетероэпитаксия арсенида галлия на кремнии.
Подготовка атомарно-чистых поверхностей кремниевых подложек.
Получение эпитаксиальных слоев, их структура и электрофизические характеристики.
Приборная реализация структур арсенид галлия на кремнии.
Заключение.
Список литературы.