Зарегистрироваться
Восстановить пароль
FAQ по входу

Голиков Ю.А., Смирнова Т.П., Соловьев Л.П. Плазмохимические методы синтеза диэлектрических слоев в полупроводниковой технологии

  • Файл формата djvu
  • размером 770,48 КБ
  • Добавлен пользователем
  • Описание отредактировано
Голиков Ю.А., Смирнова Т.П., Соловьев Л.П. Плазмохимические методы синтеза диэлектрических слоев в полупроводниковой технологии
Москва: ЦНИИ Электроника, 1986. — 29 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 3. Микроэлектроника. Выпуск 5 (1233)).
Рассматриваются вопросы плазмохимического синтеза диэлектриков, конструктивное оформление плазмохимических процессов, а также плазмохимическое осаждение диэлектрических слоев. Для специалистов, инженеров, научных работников, преподавателей, аспирантов и студентов.
Введение.
Общая характеристика процессов плазмохимического синтеза диэлектриков.
Конструктивное оформление плазмохимических процессов.
Плазмохимическое осаждение диэлектрических слоев.
Нитрид кремния.
Двуоксид кремния.
Нитрид бора.
Диэлектрики, получаемые плазменной полимеризацией кремнийэлементоорганнческих соединений.
Проблемы формирования МДП-структур с плазмохимически осажденными диэлектриками.
Заключение.
Литература.
  • Чтобы скачать этот файл зарегистрируйтесь и/или войдите на сайт используя форму сверху.
  • Регистрация

Упоминается в тегах

Подробнее

Серии от ЦНИИ 'Электроника'

ЦНИИ "Электроника" - информационно-аналитический центр отечественной радиоэлектронной промышленности. Серия 1. Электроника СВЧ: [1975] Выпуск 05 (0302). Методы планируемого эксперимента и их применение djvu; [1986] Выпуск 11 (1200). Перспективные линии передачи КВЧ диапазона djvu; [1989] Выпуск 07 (1451). Желобковый волновод. Часть 1. Общие сведения и методы теоретического анализа...
  • добавлен
  • отредактирован

Смотри также

Подробнее

Васильев В.Ю., Сухов М.С. Аппаратура и методика осаждения слоев при пониженном давлении. Часть 2. Методика осаждения слоев при пониженном давлении

  • djvu
Москва: ЦНИИ Электроника, 1985. — 52 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 7. Технология, организация производства и оборудование. Выпуск 4 (1088)). Дана краткая характеристика используемых реагентов и методов экспресс-анализа свойств слоев, подробно проанализированы причины неравномерного роста слоев при объемной загрузке пластин в реакторах и способы оптимизации процессов...
  • 1,61 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано
Подробнее

Васильева Л.Л., Васильев В.Ю., Попов В.П., Сухов М.С. Моделирование процессов осаждения диэлектрических слоев из газовой фазы при низком давлении

  • djvu
Москва: ЦНИИ Электроника, 1984. — 26 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 8 (1051)). Анализируются явления тепло- и массопереноса в условиях реактора пониженного давления при объемной загрузке подложек. Определены условия лимитирования процесса газофазной или поверхностной реакциями. Показаны кинетические особенности проведения при...
  • 745,59 КБ
  • добавлен
  • описание отредактировано
Подробнее

Светцов В.И., Данилов Н.Г., Чеснокова Т.А. Плазмохимическое и ионно-химическое травление полупроводниковых материалов типа AIIIBV

  • djvu
Москва: ЦНИИ Электроника, 1989. — 47 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 6. Материалы. Выпуск 6 (1487)). Приведен анализ отечественных и зарубежных литературных источников по травлению полупроводников типа A III B V (GaAS, InP, GaP) в галогенсодержащей низкотемпературной плазме пониженного давления, а также плазме водорода. Рассмотрены влияние внешних параметров разряда...
  • 1,28 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано
Подробнее

Шепелев С.Н., Васильев В.Ю., Попов В.П. Плазмохимическое осаждение тонких слоев в реакторах пониженного давления. Часть 1. Оборудование для осаждения слоев

  • djvu
Москва: ЦНИИ Электроника, 1986. — 54 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 7 (1242)). Рассматриваются теоретические основы и современное состояние метода плазмохимического осаждения в реакторах пониженного давления, анализируются основные типы установок и конструкции промышленного оборудования для получения тонких диэлектрических и...
  • 1,51 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано
Подробнее

Шепелев С.Н., Васильев В.Ю., Попов В.П. Плазмохимическое осаждение тонких слоев в реакторах пониженного давления. Часть 2. Процессы осаждения и свойства тонких пленок

  • djvu
Москва: ЦНИИ Электроника, 1988. — 63 с. — (Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 2 (1332)). Рассматривается технология плазмохимического осаждения слоев нитрида кремния, поликристаллического кремния, двуокиси кремния силикатных стекол, их важнейшие свойства и области применения в микроэлектронике. Анализируется взаимосвязь свойств слоев с...
  • 1,64 МБ
  • добавлен
  • описание отредактировано
Наверх