Потапчук В.А., Потапчук В.Б. Силовые транзисторы за рубежом

М.: Информэлектро, 1981. — 85 c.Рассмотрены технология изготовления и конструкция транзисторных структур. Описаны методы создания транзисторных структур с высокоомной базой и высокоомным коллектором, топология поверхности, методы повышения напряжения пробоя транзисторов, способы пассивации и защиты поверхности.
Исследуются методы изготовления и конструкции транзисторов Дарлингтона. Проведен анализ используемых корпусов и методов сборки различных транзисторных структур на токи свыше 10 А. Рассматриваются состояние и перспективы производства, а также области применения силовых транзисторов.Введение.
Список основных обозначений.
Технология изготовления и конструкция транзисторных структур.
Технологические способы изготовления транзисторных структур
Транзисторные структуры с высокоомной базой.
Транзисторные структуры с высокоомным коллектором.
Конструкции транзисторных структур.
Топология поверхности.
Транзисторные структуры Дарлингтона.
Методы повышения напряжения пробоя.
Пассивация и защита поверхности.
Конструктивные исполнения силовых транзисторов.
Корпуса транзисторов.
Методы сборки транзисторов на ток до 50 А.
Методы сборки сильноточных транзисторов.
Состояние и перспективы производства силовых транзисторов.
Состояние производства.
Области применения и перспективы производства.
Заключение.
Приложения.
Список литературы.