Ефимов И.Е. (ред.) Основы микроэлектроники и технологии производства микросхем. Часть 2

Барканов Н.А., Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Митрофанов О.В., Самохвалов Г.К., Шер Ю.А. — Учебное пособие. — Москва: МИЭТ, 1971. — 354 с.Учебное пособие состоит из двух частей (7 глав - в первой части, 5 - во второй). Первая часть посвящена рассмотрению функционально-узлового метода конструирования, микроминиатюризации, физическим основам, конструированию и технологии изготовления ИС на основе тонких, толстых и магнитных пленок. Во второй части описаны физические основы полупроводниковой электроники, технологии изготовления и проектирования полупроводниковых ИС, дана общая характеристика метода контроля и испытаний ИС, указаны пути дальнейшего развития микроэлектроники. Пособие рассчитано на студентов и аспирантов, специализирующихся по микроэлектронике, а также инженеров, работающих в данной области.
При написании пособия использованы материалы, опубликованные в периодической печати, некоторые работы авторов, а также материалы курсов лекций по микроэлектронике, прочитанных авторами в 1968-1970 гг. студентам всех факультетов МИЭТ. Главы I-V первой части написаны Баркановым Н.А., VI глава первой части - Митрофановым О.В., VII главу первой части и V главу второй написали Ефимов И.Е. и Козырь И.Я., II главу второй части - Самохвалов Г.К., III главу второй части написал Шер Ю.А. и IV главу - Митрофанов О.В. и Козырь И.Я. Общее руководство по написанию и редактированию пособия выполнено Ефимовым И.Е.Физические основа полупроводниковых интегральных схем.
Основные понятия физики полупроводников.
Контактные явления в полупроводниках.
Активные элементы полупроводниковых микросхем.
Транзисторы.Основы технологии полупроводниковых интегральных схем.
Технологический процесс изготовления полупроводниковых интегральных схем и его особенности.
Материалы полупроводниковых интегральных схем.
Подготовка материалов.
Окисление поверхностей полупроводников.
Фотолитография.
Диффузия примесей в полупроводниках. Особенности процесса диффузии.
Эпитаксиальное наращивание полупроводниковых пленок.
Изоляция компонентов в полупроводниковых ИС.
Методы создания полупроводниковых ИС.
Завершающие операции изготовления полупроводниковых ИС.Проектирование интегральных схем.
Общие положения.
Моделирование при проектировании интегральных схем.
Теоретическая модель полевого транзистора.
Теоретическая модель биполярного транзистора.
Расчет параметров элементов микросхем.
Расчет емкости микросхем.
Расчет сопротивления резисторов микросхем.
Индуктивные элементы микросхем.
Многослойные RC-структуры с распределенными параметрами.
Особенности проектирования активных элементов интегральных схем.
Некоторые особенности проектирования топологии микросхем.Измерения, испытания и надежность микросхем.
Измерения микросхем.
Испытания микросхем.
Надежность интегральных схем.
Пути повышения надежности микросхем.Новые направления развития микроэлектроники.Литература.