Бушминский И.П., Гудков А.Г., Дергачев В.Ф. Конструкторское проектирование микросхем СВЧ

Под ред. И.П. Бушминского. — М.: МГТУ, 1991. — 225 c.Приведены анализ конструкций и принципы проектирования микрополосковых гибридных и полупроводниковых интегральных схем СВЧ. Рассмотрены характеристики диэлектриков, проводников и полупроводников, конструкции и параметры пассивных и активных элементов. Дан расчет микрополосковых ли­ний, а также основных функциональных узлов гибридных, интегральных микро­схем; приведены конструкции узлов, монолитных интегральных схем, основные сведения о базовых технологических процессах производства микросхем и их влияние на электрические параметры микросхем СВЧ. Затронуты вопросы авто­матизированного конструкторского проектирования микросхем СВЧ. Для студентов специальностей «Конструирование и технология радиоэлект­ронных средств» и «Радиоэлектроника», а также других радиотехнических спе­циальностей, связанных с конструированием и технологией производства радио­ электронных средств.Предисловие.
Введение.
Микроэлектронные устройства СВЧ.
Конструкторско-технологические особенности.
Полупроводниковые микросхемы СВЧ.
Технологические погрешности и их учет при конструкторском проектировании.
Потери в несимметричной микрополосковой линии.
Эффективная диэлектрическая проницаемость несимметричной МПЛ.
Волновое сопротивление.
Элементы и компоненты микросхем СВЧ.
Резистивные элементы.
Неоднородности, сосредоточенные реактивные элементы и компоненты микросхем СВЧ.
Полупроводниковые приборы СВЧ.
Автоматизированное конструкторское проектирование микросхем СВЧ.
Применение САПР ГИС СВЧ.
Адаптирующая система автоматизированного конструкторского проектирования ГИС СВЧ.
Заключение.
Литература.