Соколов С.В., Титов Е.В. Электроника

Москва: Горячая линия-Телеком, 2013. — 204 с.: ил. — ISBN: 978-5-9912-0344-9.В учебном пособии рассмотрены базовые разделы электроники: полупроводниковая электроника, микроэлектроника и функциональная электроника. Дано краткое изложение физических основ построения элементной базы приборов и устройств, их упрощенного математического анализа. Приведен список рекомендуемой литературы для углубленного изучения материала.
Для студентов, обучающихся по направлению подготовки 210700 - "Инфокоммуникационные технологии и системы связи" квалификации (степени) "бакалавр" и квалификации (степени) "магистр", будет полезно для студентов электронных и радиотехнических направлений вузов, аспирантов и специалистов.Введение

Введение в электронику
Краткая историческая справка о развитии электроники.
Этапы развития элементной базы электроники.
Классификация элементной базы микроэлектроники.
Место микроэлектроники в сфере высоких технологий.Физические основы работы полупроводниковых приборов
Общие сведения о полупроводниках.
Основные физические явления в полупроводниках.
Электронно-дырочный переход и основные физические явления в нем.Электронно-дырочный переход при прямом и обратном включении
Прямое смещение p-n-перехода.
Обратное смещение p-n-перехода.
Вольт-амперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода.
Явления пробоя p-n-перехода.Полупроводниковые диоды
Основные характеристики и параметры полупроводниковых диодов.
Основные типы диодов.
Использование вольт-амперной характеристики диода для определения его режима работы.
Математические модели диодов и их использование для анализа электронных схем.Униполярные транзисторы. Полевые транзисторы
Общие сведения о работе униполярных транзисторов.
Структура и принцип действия полевых транзисторов.
Статические характеристики полевых транзисторов.
Малосигнальные параметры и эквивалентная схема полевого транзистора.МДП-транзисторы
Структура и принцип действия МДП-транзисторов.
Статические характеристики МДП-транзисторов.
Малосигнальные параметры и эквивалентная схема МДП-транзистора.Биполярные транзисторы
Устройство и основные физические процессы.
Характеристики и параметры схемы с общей базой.
Характеристики и параметры схемы с общим эмиттером.
Три схемы включения транзистора с ненулевым сопротивлением нагрузки.
h-параметры транзисторов.Математические модели биполярного транзистора
Модель Эберса-Молла с двумя источниками тока, управляемыми токами.
Модель Эберса-Молла с одним источником тока, управляемым током.
Эквивалентная схема транзистора для расчета схем с общим эмиттером.
Анализ схем с транзисторами.Усилители постоянного тока
Основные понятия и определения.
Компенсационные УПТ.
Дрейф в УПТ.
Балансные УПТ.
УПТ с преобразованием усиливаемого напряжения.Операционные усилители
Основные понятия и определения.
Структурная схема операционного усилителя.
Основные параметры операционного усилителя.
Передаточная характеристика операционного усилителя.
Частотные свойства операционного усилителя.
Влияние различных факторов на выходное напряжение операционного усилителя.
Классификация операционных усилителей.Интегральные микросхемы
Общие понятия и определения микроэлектроники.
Большие интегральные микросхемы.
Сравнение различных типов ИМС.Физико-технологические принципы изготовления ИМС
Изоляция элементов ИМС.
Особенности и классификация процессов изготовления полупроводниковых биполярных ИМС.
Особенности, этапы и классификация процессов изготовления гибридных ИМС.Программируемые логические матрицы. Программируемая матричная логика. Базовые матричные кристаллы
Основные сведения, классификация, области применения.
Программируемые логические матрицы.
Программируемая матричная логика.
Базовые матричные кристаллы (вентильные матрицы с масочным программированием).
Программируемые вентильные матрицы.
Программируемые коммутируемые матричные блоки.Перспективные направления развития микроэлектроники
Основные направления развития функциональной микроэлектроники.
Оптоэлектроника и фотоника.Литература