Тучкевич В.М. Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами

Учебник. — М.: Наука, 1988. — 117 с.В книге описаны два новых способа коммутации, позволяющие увеличить мощность, коммутируемую полупроводниковыми приборами в микросекундном диапазоне почти на порядок, в наносекундном - на три. Рассматриваются физические процессы, определяющие работу новых классов импульсных и высокочастотных приборов, созданных на основе этих импульсов.Введение.
Коммутация с помощью управляющего плазменного слоя.
Реверсивно-включаемьй динистор.
Реверсивно-управляемый транзистор.
Дрейфовый диод с резким восстановлением.
Коммутация с помощью задержанной ударно-ионизационной волны в полупроводниках
Физические основы формирования задержанной ударно-ионизационной волны.
Перенапряженная область у p-n-перехода.
Процессы в квазинейтральной области.
Дрейф инициирующих носителей через ООЗ.
Экспериментальные результаты и их интерпретация.
Приборы на основе принципа коммутации с помощью задержанной ударно-ионизационной волны..
Диодные обострители импульсов.
Триодные обострители импульсов.
Тиристорные обострители импульсов.
Коммутаторы и генераторы микро-, нано-пикосекундного диапазонов.
Микросекундный диапазон, РВД-коммутаторы и генераторы.
Наносекундный диапазон. ДДРВ-коммутаторы.
Пикосекундный диапазон. Коммутаторы на основе ДО.
Литература.