Перов Г.В., Смирнова К.А., Сединин В.И. Особенности электрофизических свойств ультратонких диэлектриков на неоднородной поверхности затворов энергонезависимой памяти

Новосибирск: СибГУТИ, 2016. — 121 с.Представлены обзорные материалы более 130 источников по конструкции, принципу действия, энергонезависимой памяти (ЗУ). Рассмотрены электрофизические процессы проводимости в ультратонких пленках окисла на неоднородной поверхности поликремния затвора ЗУ. Проанализированы статистические и дискретные модели электронной и ионной проводимости диэлектрика на неоднородной поверхности. Определены принципы и способы повышения электрической прочности термического окисла на поликремнии затвора ЗУ.Введение:
Запоминающие устройства энергонезависимой памяти
Электрофизические процессы в многослойных структурах элементов
памяти в рабочих режимах.
Состояние рынка энергонезависимой памяти 2010–2015 гг.
История развития ЗУ.
Особенности проводимости диэлектрика с неоднородной границей
раздела.
Исследование и моделирование структурных изменений горизонтальной и вертикальной поверхностей затворов энергонезависимой памяти в процессе термического.
Расчет проводимости окисла на шероховатой поверхности затвора.
Экспериментальные исследования и моделирование электрических
процессов с помощью современных САПР в окисле поликремния с
неоднородной границей.
Некоторые способы улучшения электрической прочности
межуровневой изоляции затвора ЭП.
Деградация элемента памяти МОП ППЗУ с поликремниевым затвором в режиме хранения.
Заключение.
Список литературы.