Герасименко Н.Н., Пархоменко Ю.Н. Кремний - материал наноэлектроники

Монография. — М.: Техносфера, 2007. — 360 с. — (Мир материалов и технологий) — ISBN 978-5-94836-101-7Монография посвящена рассмотрению проблем и возможностей использования кремния для создания приборов и устройств наноэлектроники и нанофотоники. Даны представления о квантоворазмерных эффектах, возможности их проявления в кремниевых элементах и структурах, а также физических ограничениях. Рассмотрены наиболее перспективные технологические возможности формирования наноразмерных кремниевых структур (ГФЭ, МЛЭ, ХОГФ, ионный синтез). Рассмотрены технологические, электрические и оптические свойства систем Ge/Si и GeSi/Si (квантовые точки, квантовые проволоки и тонкие пленки). Отдельно рассмотрены возможности моделирования квантовых свойств и энергетического спектра кремниевых наносистем и приборов (нанотранзисторы, одноэлектронные транзисторы и т. д. ).Содержание
Физические принципы наноэлектроники
Кремниевая одноэлектроника
Оптические и фотоэлектрические свойства квантово-размерных структур Si—Ge
Методы получения самоорганизованных Si—Ge-наноструктур
Синтез проводящих и полупроводниковых соединений в кремнии