Москва: Техносфера, 2011. — 416 с. В книге представлено обобщение накопленного опыта по созданию транзисторов на основе широкозонных материалов, в частности, транзисторов на гетераструктурах типа AlGaN/GaN и СВЧ устройств на их основе. Подробно описаны свойства широкозонных полупроводников, методы их получения и исследования, а также способы создания гетероструктур на различных...
М, Мир, 1984 - 456 с. (300dpi, b/w, OCR) Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. В переводе на русский язык выходит в двух книгах. Книга 1 посвящена физике биполярных приборов (диодов, транзисторов и тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисторов с p–n-переходом и барьером Шоттки). Для научных...